
肖克莱在1939年12月29日写在实验笔记本上的这段话“我认为,用半导体取代真空管做放大器,在原理上是可行的,”这是最早的晶体管设想的文字记录。这里的背景是,晶体二极管已在此前诞生。1945年秋,以肖克莱为首,有另一位贝尔实验室的科学家、具有半导体实验经验的布拉顿(1902~1987)参加的固体物理研究组里,又增加了一位新成员——擅长理论探索和电气工程的同体物理专家巴丁(1908~1991)。此外,还配有几个各学科的专业人员。
是。
黄令仪是当时我国为数不多的半导体专业的领军女科学家。
1936年生于广西南宁的黄令仪,于1958年从华中科技大学毕业,而她研修的主要课题是关于半导体器件,后来她还参与过“两d一星”相关项目芯片研发。
黄令仪的科研之路始终都在和各种各样的电子管打交道,从二极管到简陋的三极管,到大规模的集成电路,再到由中国自主研发设计的第一枚芯片,每一步都有她的身影。
1960年黄令仪在母校留校任教,并创建半导体专业,率领着年轻的教职工和学生们成立研究半导体二极管的实验室。
黄令仪就是在这样艰苦的环境下带领着年轻的学生们进行实践探索,遇山开山,遇水淌水,居然真的凭借一己之力研究出半导体二极管,得到各界的赞誉,当时的科学院长郭沫若都对他们的成果表示由衷的鼓励。
又在82岁时成功研制新一代的“龙芯3号”,打破美国严密防护多年的技术,挽回我国的亿万市场,如今中国国内芯片行业的蓬勃发展,可以说离不开黄令仪院士的辛勤奉献。
半导体的四个特性:电阻率的负温度特性、光照导电效应、光伏现象、整流效应。1833年,法拉第发现了硫化银的电阻随着温度的变化而显现出的特性与一般金属不同。通常情况下,金属的电阻随温度升高而增加,法拉第发现硫化银的电阻随着温度的上升而降低。这是人类首次发现的半导体现象。
1839年,法国科学家亚历山大·贝克雷尔(Alexandre Edmond Becquerel)发现了光伏现象。那是一个半导体和电解质接触形成的结,在光照下会产生电压,这是半导体的第二个特征。
1873年,英国科学家史密斯(W.Smith)发现了硒晶体材料在光照下电阻减弱的现象,这是半导体第三个特性。
1880年,半导体的霍尔效应被发现。
1874年,德国的布劳恩(Ferdinand Braun)发现了硫化物半导体的整流效应。同年,氧化铜的整流效应也被发现。
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