
材料的导电性是由「传导带」(conduction band)中含有的电子数量决定。当电子从「价带」(valence band)获得能量而跳跃至「导电带」时,电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的「能隙」非常小,在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电,而绝缘材料则因为能隙很大(通常大于9电子伏特),电子很难跳跃至导电带,所以无法导电。
一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特,介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发,或是改变其能隙之间距,此材料就能导电。
半导体通过电子传导或电洞传导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似,即在电场作用下高度离子化(ionization)的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。电洞导电则是指在正离子化的材料中,原子核外由于电子缺失形成的「电洞」,在电场作用下,电洞被少数的电子补入而造成电洞移动所形成的电流(一般称为正电流)。
材料中载子(carrier)的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他「杂质」(三、五族元素)来控制。如果我们在纯矽中掺杂(doping)少许的砷或磷(最外层有五个电子),就会多出一个自由电子,这样就形成N型半导体;如果我们在纯矽中掺入少许的硼(最外层有三个电子),就反而少了一个电子,而形成一个电洞(电洞),这样就形成P型半导体(少了一个带负电荷的电子,可视为多了一个正电荷)。,参考: zh. *** /w/index?title=%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94&variant=zh-,
载流子的迁移率μ是表征载流子在电场作用下加速运动快慢的一个物理量,等于单位电场作用下的漂移速度:μ=vd/E [cm2/V-s],E为电场[V/cm],vd为平均漂移速度[cm/s]。载流子迁移率的大小决定于在运动过程中遭受散射的情况:μ=qt/m*,t是散射时间(等于散射几率的倒数,在简单情况下就是平均自由时间),m*是有效质量,q为电子电荷。注意:由于载流子的平均漂移速度是定向运动,是一它总是小于混乱的热运动速度(室温下载流子的热运动速度大约为107cm/s)。英文原版标准网络上免费的比较少。你可以去中国标准化研究院的国家标准馆去复印。比较靠普,也不是很贵。
其实,我建议你去中国国家标准化网站标准目录查询,在采用标准处查找,你列出的不少标准已经被国家标准等同采用,你直接看中文标准就行。
例如:IEC60146-1-1-1991就被下列标准等同采用了,也就是基本是直接翻译过来的了。这样你再找国家标准就好找了。
参考网址:http://new.sac.gov.cn/SACSearch/search?channelid=160591&templet=gjcxjg_detail.jsp&searchword=STANDARD_CODE='GB/T 3859.1-1993'&XZ=T
标准号
Standard No.GB/T 3859.1-1993中文标准名称
Standard Title in Chinese半导体变流器 基本要求的规定
刚才无聊帮你搜了一下:
BS EN 60146-1-1:1993 |KJGM1]G
IEC 60146-1-1:1991 cUug}/!I
General requirements and line commutated convertors
Part 1-1: Specifications of basic requirements
在下面有,可是似乎要什么威望,你去看看吧,也许别的也能找到
http://www.angui.org/read.php?tid=25316
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