N型半导体和P型半导体中的多子和少子分别是什么?

在N型半导体中，自由电子多，空穴少，多子是自由电子，少子是空穴。

在P型半导体中，空穴多，自由电子少，多子是空穴，少子是自由电子。

不论是N型半导体中的自由电子，还是P型半导体中的空穴，它们都参与导电，统称为“载流子”，“载流子”导电是半导体所特有的。

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载流子所处的能量状态

从晶体能带的角度来看，半导体的能量最高的几个能带分别是导带和价带，导带与价带之间隔着一个禁带。禁带中不具有公有化运动的状态——能级，但可存在杂质、缺陷等束缚能级。

自由电子就处于导带中，一般是在导带底附近（导带底就相当于电子的势能）；自由空穴就处于价带中，一般是在价带顶附近（价带顶就相当于空穴的势能）。价带中有大量的价电子，由于这些价电子是被价键束缚住的，不能自由运动，所以不把它们看成为载流子。

空穴就是由价带中的价电子跃迁到了导带之后所形成的（即留下的价键空位）；这种跃迁就称为本征激发，其特点是电子与空穴成对地产生。

参考资料来源：百度百科--载流子

一、N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加。

二、P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

在纯净的硅晶体中掺入三价元素，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。

扩展资料：

如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素──受主杂质，例如硼或铟，它们的价电子带都只有三个电子，并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。因此电子能够更容易地由锗或硅的价电子带跃迁到硼或铟的传导带。

在这个过程中，由于失去了电子而产生了一个正离子，因为这对于其它电子而言是个“空位”，所以通常把它叫做“空穴”，而这种材料被称为“P”型半导体。

参考资料来源：百度百科-P型和N型半导体

P型半导体又叫空穴型半导体，在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼、铝)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。由于硼或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。 N型半导体又称为电子型半导体，在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)，使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。由于磷原子周围有5个价电子，与周围4价硅原子配位共价键外还有一个多余电子，形成自由电子。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。 在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。 在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子，空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子，自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区。由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。 PN结存在结电容，因此PN结的单向导电性有个允许的最高工作频率。结电容越小，允许的工作频率越高。

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