半导体器件课后作业的两道题，那位专家能解答一下~~貌似给出的选项是矛盾的。。。。

两题都是围绕 爱因斯坦方程 D/u = KT/q 展开的D 载流子（电子或空穴）扩散系数，u 载流子迁移率 KT/q除T温度外其他为常数。常温下（20摄氏度293k） KT/q=0.026ev 这个要记住，常用第一题 0.026*1500=39，常温下为39400k下用比例计算最方便，应为扩散系数与温度正比，X/39=400/293，X=53这个53是精确值，题目的52是常温按照300k来计算的，你可以自己试试看哦第二题一个道理，先计算常温时的迁移率，39/X=0.026（又用到了，只要记住，非常方便），X=1500这回迁移率和温度反比，我们用300k来计算，1500/Y=400/300 ，Y=1125通过这两个题我想你一定就掌握爱因斯坦方程的运用了吧~~

锗中掺锑，锑是五族元素，在锗中是施主杂质，锗的禁带宽度小于硅，由此断定室温下杂质全电离，因此电子浓度就是锑的掺杂浓度。由质量作用定理ni^2=p*n，电子浓度已经知道，就能算出空穴浓度。电导率的公式σ=n*μn*q+p*μp*q，计算电导率，求倒数就是电阻率。

少子的平均漂移速度就是指在电场作用下载流子单位时间移动的距离，这里漂移速度V=1cm/10^(-4)s=10^4cm/s，迁移率μ=V/E，然后根据爱因斯坦关系，扩散系数D=μkT/q，即可求出扩散系数。

其实半导体物理的计算多为套公式，只要熟悉每个名词背后的概念，将各个概念的关系能够联系起来做计算题就没什么问题了。

这里计算rbe，要用到发射极静态点电流；

则：Ib*Rb+Ube = Ucc，（Ube=0.7v），Ie =(1+β）*Ib；

而源电压放大倍数：

这里，Vbe=Ui，就是上面的 Ui；上面电压放大倍数：Au=Uo/Ui=β*RL'/rbe

则 Ui/Us = rbe/(Rs+rbe)；

Aus = Uo/Us=（Uo/Ui）*（Ui/Us）=β*RL'/(Rs+rbe)；

这些东西完全是教材上都有的，你要是认真看书是会做的，我这完全是看在200分而来的；

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