
(1).Click through rate的缩写 也就是所谓的点击率。
(2).临界温度电阻CTR(Crit1Cal Temperature Resistor),温度计的一种。
临界温度热敏电阻CTR(Crit1Cal Temperature Resistor)具有负电阻突变特性,在某一温度下,电阻值随温度的增加激剧减小,具有很大的负温度系数.构成材料是钒、钡、锶、磷等元素氧化物的混合烧结体,是半玻璃状的半导体,也称CTR为玻璃态热敏电阻.骤变温度随添加锗、钨、钼等的氧化物而变.这是由于不同杂质的掺入,使氧化钒的晶格间隔不同造成的.若在适当的还原气氛中五氧化二钒变成二氧化钒,则电阻急变温度变大;若进一步还原为三氧化二钒,则急变消失.产生电阻急变的温度对应于半玻璃半导体物性急变的位置,因此产生半导体-金属相移.CTR能够作为控温报警等应用.
1、查看内存标签:正品金士顿内存标签印刷清晰规则,而假货则明显粗糙浅淡,字体显得比较单薄。另外,真假金士顿内存标签的排版规则也有很大出入,请仔细观察。
2、查看内存颗粒:通过图片中金士顿内存颗粒可以清晰看出,正品金士顿内存颗粒印刷清晰,而假内存的颗粒则非常暗淡,与正品形成鲜明对比。
3、查看注册商标标识:正品金士顿的注册商标“R”的周围清楚的印有由"KINGSTON"英文字母组成的圆圈,而假货则明显胡乱仿制的一个圆框而已。
扩展资料:
评价内存条性能指标:
(1) 存储容量:即一根内存条可以容纳的二进制信息量,如常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍为1GB到8GB。
(2) 存取速度(存储周期):即两次独立的存取 *** 作之间所需的最短时间,又称为存储周期,半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。
(3) 存储器的可靠性:存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量,可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。
(4)性能价格比:性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容,性能价格比是一个综合性指标,对于不同的存储器有不同的要求。
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