2020-02-24小刘科研笔记之几种常见的研磨抛光液的优劣势分析

2020-02-24小刘科研笔记之几种常见的研磨抛光液的优劣势分析,第1张

研磨抛光是半导体加工过程中的一项重要工艺, 主要应用于半导体表面进行加工, 研磨液、抛光液是影响半导体表面质量的重要因素。

研磨是半导体加工过程中的一项重要工艺, 它主要是应用化学研磨液混配磨料的方式对半导体表面进行精密加工, 这种化学研磨工艺几乎涉及到半导体制程中的各个环节, 研磨液是影响半导体表面质量的重要因素。

对于研磨工件产品,品种多;可选择不同程度效果的氧化铝研磨液,研磨速度快可减省研磨时间,提高生产效率,作业后工件表面比较平滑。

加油或者加水稀释使用,有效,方便,无污染,不腐蚀等特点。其中金刚石颗粒硬度好,粒度均匀,磨削效果好。

用于在蓝宝石衬底的研磨和减薄的研磨液,蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性,在研磨抛光过程中保持高切削的效率,同时不易对工件产生划伤。

(1)切力较稳定,性价比高;

(2)铝为电和热的良导体,而氧化铝则是电与热的绝缘体;

(3)具有良好的研磨稳定效果;

(4)品种多,可以进行粗磨和细磨,视半导体材质而定;

(5)适用作为Inp、GaAs半导体的研磨液。

  分散稳定性不好、易团聚、易沉淀。

(1)金刚石磨料是研磨硬质合金、陶瓷、宝石、光学玻璃等高硬度材料的理想原料;

(2)蓝宝石研磨液是蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻璃和晶体、超硬陶瓷和合金、刺头、硬盘、芯片领域的研磨;

(3)不适用于Inp、GaAs。

CMP抛光液( chemical mechanical polishing化学机械抛光,简称CMP)是平坦化精密加工工艺中超细固体研磨材料和化学添加剂的混合物,CMP抛光液一般由提供研磨作用的超细固体粒子如纳米级SiO2、Al2O3粒子等和提供腐蚀溶解作用的表面活性剂、稳定剂、氧化剂等组成。

广泛用于各类集成电路、半导体、蓝宝石、LED行业及其他领域的抛光过程,用来辅助抛光、保护硅片等材料免受划伤,因此在芯片的制备过程中是离不开它的。

①.氧化铝抛光液:晶向稳定、硬度高、颗粒小且分布均匀;磨削力强、抛光速率快、镜面效果好;抛光液不易沉淀。

②. 氧化硅抛光液:

(1)分散性好。

(2)粒径分布广泛:5-100nm。

(3)适合与各种抛光垫、合成材料配合抛光使用。

(4)适用硅晶圆、蓝宝石等半导体及衬底材料的粗抛和精抛,抛光后易清洗,表面粗糙度低。

③ 白刚玉抛光液:纯度高、耐酸碱腐蚀、耐高温、热态性能稳定它硬度略高于棕刚玉,韧性稍低,自锐性好、磨削能力强、发热量小、效率高、热稳定性好。

优势在于

(1)氧化铝抛光的抛光速率快、二氧化硅抛光液易清洁。

(2)氧化铝抛光液良好的微粒形状,纯度高、磨削力强,表面粗糙度5-15nm。

(3)二氧化硅抛光液表面粗糙度低,而且抛光后易清洗,适用于二次抛光解决脏污。

(4)如图下氧化铝抛光液结合二氧化硅抛光液的效果图。

劣势在于: 氧化铝抛光液异常多,比如橘皮现象、表面出现白点现象;二氧化硅抛光液抛光过程中易产生结晶,对硬底材料抛光速率低。

白刚玉微粉可用做触媒体,绝缘体以及精密铸造砂等。

不积珪步,无以至千里;不积细流,无以成江海。做好每一份工作,都需要坚持不懈的学习。

给你推荐个经典配置,CABOT的抛光液,罗门哈斯的抛光垫。

是硅片抛光吗?目前用的最广的是二氧化硅胶体为磨料的碱性抛光液。磨料粒径50-100nm。

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HOFFMAN

公司的也还不错,国内的很少吧,基本上进口的好一些,不过要试用了才知道,设备不一样会有很大区别的

我以前使用氧化铈和粗孔抛光布,比较普遍。

你是要问厂商还是材料啊

一般用SIO2粒子研磨液,粒子SIZE(20nm-200nm),我们有韩国的牌子代替cabot在韩国,需要可以联系用金刚石抛光液3μm和无毛抛光布后再用氧化铝抛光液抛光和长毛抛光布

抛光液是一种不含任何硫、磷、氯添加剂的水溶性抛光剂,具有良好的去油污,防锈,清洗和增光性能,并能使金属制品超过原有的光泽。本产品性能稳定、无毒,对环境无污染等作用,光液使用方法:包括棘轮扳手、开口扳手,批咀、套筒扳手,六角扳手,螺丝刀等,铅锡合金、锌合金等金属产品经过研磨以后,再使用抛光剂配合振动研磨光饰机,滚桶式研磨光式机进行抛光;1抛光剂投放量为(根据不同产品的大小,光饰机的大小和各公司的产品光亮度要求进行适当配置),2:抛光时间:根据产品的状态来定。3、抛光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。

抛光液的主要产品可以按主要成分的不同分为以下几大类:金刚石抛光液(多晶金刚石抛光液、单晶金刚石抛光液和纳米金刚石抛光液)、氧化硅抛光液(即CMP抛光液)、氧化铈抛光液、氧化铝抛光液和碳化硅抛光液等几类。

多晶金刚石抛光液

多晶金刚石抛光液以多晶金刚石微粉为主要成分,配合高分散性配方,可以在保持高切削率的同时不易对研磨材质产生划伤。

主要应用于蓝宝石衬底的研磨、LED芯片的背部减薄、光学晶体以及硬盘磁头等的研磨和抛光。

氧化硅抛光液

氧化硅抛光液(CMP抛光液)是以高纯硅粉为原料,经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。

广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光,如:硅晶圆片、锗片、化合物半导体材料砷化镓、磷化铟,精密光学器件、蓝宝石片等的抛光加工。

氧化铈抛光液

氧化铈抛光液是以微米或亚微米级CeO2为磨料的氧化铈研磨液,该研磨液具有分散性好、粒度细、粒度分布均匀、硬度适中等特点。

适用于高精密光学仪器,光学镜头,微晶玻璃基板,晶体表面、集成电路光掩模等方面的精密抛光。

氧化铝和碳化硅抛光液

是以超细氧化铝和碳化硅微粉为磨料的抛光液,主要成分是微米或亚微米级的磨料。

主要用于高精密光学仪器、硬盘基板、磁头、陶瓷、光纤连接器等方面的研磨和抛光。


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