快恢复二极管和肖特基二极管的区别是什么

超快恢复二极管（SRD）是一种半导体二极管，开关特性好、反向恢复时间超短，常被用来给高频逆变装置的开关器件做续流、吸收、钳位、隔离、输出和输入整流器，使得开关器件的功能得到充分发挥，是用电设备高频化（20KHz以上）和高频设备固态化发展不可或缺的器件。

肖特基二极管（SBD）是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的，具有开关频率高和正向压降低等优点，适合用在低压、大电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。

肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。

最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。

一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面，通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。

肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。

扩展资料

二极管，电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管则用来当作电子式的可调电容器。

大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。

早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。

一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。

当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性

参考资料：百度百科-肖特基二极管

参考资料：百度百科-二极管

      肖特基（Schottky）二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）简称SBD。SBD不是运用P型半导体与N型半导体触摸形成PN结原理制造的，而是运用金属与半导体触摸形成的金属－半导体结原理制造的。因而，SBD也称为金属－半导体（触摸）二极管或外表势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

上图是在 电子元器材采购网 深铭易购买的肖特基二极管SS14 SMA(DO-214AC) 40V,1A,VF=0.55V 1A，肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器材。其反向康复时间极短（能够小到几纳秒），正导游通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优秀特性是快康复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多选用封装办法。

      肖特基二极管分为有引线和外表安装（贴片式）两种封装办法，选用有引线式封装的肖特基二极管一般作为高频大电流整流二肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管极管、续流二极管或维护二极管运用。它有单管式和对管（双二极管）式两种封装办法。

      肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出办法。

      选用外表封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装办法，有A~19种管脚引出办法。

      肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器材。最明显的特点为反向康复时间极短（能够小到几纳秒），正导游通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、维护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管运用。在通信电源、变频器等中比较常见。

      一个典型的使用，是在双极型晶体管BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状况时其实处于很接近截止状况，从而进步晶体管的开关速度。这种办法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中运用的技术。

      肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的康复时间短。它也有一些缺陷：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要全面考虑。

      肖特基二极管一般用在电源次级输出整流上面。

      作用仍是整流，其优势是正向压降低，反向康复时间快，所以整体损耗会比其他的二极管低许多。

      B5819W为集电极电流1A 基极电压40V的贴片肖特基管，1N5819为参数相同的插件式肖特基管，两个管只是封装不同。简单来说便是一个是贴片的 一个是插接件式的。

SBD具有开关频率高和正向压降低一级长处，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其使用规模。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路功率开关器材的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有运用快速康复外延二极管（FRED）和超快速康复二极管（UFRD）。目前UFRD的反向康复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等范畴用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，因为UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和分量添加，不符合小型化和轻浮化的发展趋势。因而，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。

SBD的主要长处包含两个方面：

1）因为肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正导游通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。

2）因为SBD是一种大都载流子导电器材，不存在少数载流子寿命和反向康复问题。SBD的反向康复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向康复时间。因为SBD的反向康复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频使用。

      可是，因为SBD的反向势垒较薄，并且在其外表极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。因为SBD比PN结二极管更简单受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。

      以上便是肖特基二极管封装_肖特基二极管作用，期望对各位有协助

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