n型硅的电子迁移率

n型硅的电子迁移率为1350cm^2/(VS)。根据查询相关资料迁移率是指载流子（电子和空宏）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迂移率越大。运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，An是电子的迁移率高于空穴。如室温下，低拉小硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/(VS)，而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。

两题都是围绕 爱因斯坦方程 D/u = KT/q 展开的D 载流子（电子或空穴）扩散系数，u 载流子迁移率 KT/q除T温度外其他为常数。常温下（20摄氏度293k） KT/q=0.026ev 这个要记住，常用第一题 0.026*1500=39，常温下为39400k下用比例计算最方便，应为扩散系数与温度正比，X/39=400/293，X=53这个53是精确值，题目的52是常温按照300k来计算的，你可以自己试试看哦第二题一个道理，先计算常温时的迁移率，39/X=0.026（又用到了，只要记住，非常方便），X=1500这回迁移率和温度反比，我们用300k来计算，1500/Y=400/300 ，Y=1125通过这两个题我想你一定就掌握爱因斯坦方程的运用了吧~~

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