18,化学机械平坦化
19,硅片测试
20,淀积
12,金属化
13,光刻：气相成底膜到软烘
14,光刻：对准和曝光
15,光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术
16,刻蚀
171,半导体产业介绍
2,半导体材料特性
3,器件技术
4,硅和硅片制备
5,半导体制造中的化学品
6,硅片制造中的沾污控制
7,测量学和缺陷检查
8,工艺腔内的气体控制
9,集成电路制造工艺概况
10,氧化
11
通常半导体材料都是单晶材料。单晶材料的电学特性——化学组成，原子排列。
半导体——元素半导体（IV四价，Si Ge），化合物半导体（V，III三价五价；IV）
单晶——空间晶格——BCC,SC,FCC晶格类型——晶格结构/晶格尺寸（晶格常数）——原子体密度（计算方法见示例）——晶面和米勒指数——最近间距，原子的面密度——Si的金刚石结构
为什么原子集合倾向于特定的晶格结构：热平衡系统的总能量趋于达到某个最小值。
原子间的相互作用可以用量子力学描述
原子价键（最外层电子）
离子键——共价键——金属键——范德华键（电偶极子）
固体中的缺陷和杂质——很大程度上影响电学性能
固有缺陷——热振动（热能——温度的函数）
点缺陷：空位缺陷，填隙缺陷，弗仑克尔缺陷（空位和填隙离得很近）
线缺陷：
杂质：替位杂质，填隙杂质
掺杂：杂质扩撒，离子注入。
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