为什么半导体的导电率随温度升高而增加

因为电子随温度的升高而运动加速,所以导电性能提高。半导体中参与导电的电子、空穴，会随温度的升高受激发而明显增多，导电性增加，电阻下降。半导体是要高纯度的，其中杂质多了就成导体了。所以将半导体与导体结合，制得的是导体，决不会是超导体。

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。常见的半导体有热敏电阻（如钴、锰、镍等的氧化物）、光敏电阻（如镉、铅等的硫化物与硒化物）。

扩展资料：

在纯净的半导体中掺入微量的某种杂质后，它的导电能力就可增加几十万甚至几百万倍。例如在纯硅中掺入百万分之一的硼后，硅的电阻率就大大减小，利用这种特性制成了各种不同的半导体器件，如二极管、双极型晶体管、场效晶体管及晶闸管等。

当半导体两端加上外电压时，半导体中将出现电子电流、空穴电流，即同时存在着电子导电和空穴导电。这是半导体导电的最大特点，也是半导体和金属在导电原理上的本质差别。

p型半导体的电导率随温度升高而升高。温度升高，受主电子跃迁，电导率升高，当受主电子耗尽时，此时温度不够高，不足以产生明显数量的本征电子和空穴，此时电导率近乎不变，温度达到一定时，本征电子和空穴数量明显增多，导电率进一步升高

你这个“一般情况”说的不清楚。对于半导体的电阻率对温度变化的性质，要分两种情况讨论。第一，本征半导体，载流子全部由自身产生，温度升高，载流子浓度增加，电导率提升，电阻率下降；第二，杂质半导体，这个要结合本征激发和杂质电离综合讨论，还要考虑温度升高对晶格散射的影响，只能结合实例分析。你找到的第二个应该可以参考硅基半导体掺杂后电阻率随温度变化的情况，可以翻一翻刘恩科的《半导体物理》，讲的很清楚。

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