n沟道结型场效应管 有哪些

场效应晶体管可分为结场效应管和MOS场效应管，而结场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。你说的两个管子3DJ6、3DJ7都是3DJ系列的如果要代换用3DJ系列的应该没问题，如3DJ1、2、3、、4、5。。

给个3DJ3的参数你：

3 D J 3

产品特点:N沟道结型场效应管,双向开关传输(低电平) 导通电阻:≈ 30 左右

产品应用:多路电平传输 开关信号放大 调制电路

1.极限参数

数 值 参数名称 符号

最小值 最大值

单位

最低和最高工作环境温度 Tstg -55 +125 ℃

最低及最高储存温度 Tamb -55 +175 ℃

最大耗散功率 Ptot 100 mW

最高有限温度 T( vj ) +175 ℃

2.电参数 (TA=25 ℃ )

测试参数和条件 参数

名称

MIN NOM MAX 单

位

栅源击穿电压 VDS =0V, IGS ≤ 1 μ A V(BR)

GSS

|20| V

栅极截止电流 VDS =0V, VGS =10V IGSS 100 nA

栅源截止电压 VDS =10V, ID =10 μ A VGS(O

FF)

|-9| V

A 30

B 50

零栅压时的漏及电流 (饱和电流) VDS

=10V, VGS =0V

C

IDSS

80

mA

A 12000

B 12000

小信号短路正向跨导VDS =10V, ID

=10mA,f =1KHz

C

gfs

12000

μ

S

漏源关态电阻VDS =10V , VGS =-9V rds(o

ff)

10 8 Ω

100

50

漏源通态电阻 VGS =0V , I D =1 mA rds(o

n)

30

Ω

A 50

B 30

开启时间VDS =10V , RL =1K Ω,CL

=10PF

C

ton

20

ns

A 12.5

B 7.5

关断时间

C

toff

5

ns

其他的请到这网上看参数

http://www.buyecs.com/basis/20081109894.html

顺便私人赠送个常用的3DJ型N沟道结型场效应管为例解释其测试方法：

3DJ型结型场效应管可看作一只NPN型的晶体三极管，栅极G对应基极b，漏极D对应集电极c，源极S对应发射极e。所以只要像测量晶体三极管那样测PN结的正、反向电阻既可。把万用表拨在R*100挡用黑表笔接场效应管其中一个电极，红表笔分别接另外两极，当出现两次低电阻时，黑表笔接的就是场效应管的栅极。红表笔接的就是漏极或源极。对结型场效应管而言，漏极和源极可以互换。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。

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BM1430转移特性曲线,在场效应管漏源电压保持不变的情况下,从图8-4中可以得出以下结论:栅源电压UGs=0时,漏极电流D=Dss。栅源电压UGs向负值方向变化时,漏极电流ID逐渐减小。栅源电压UGs=UP时,漏极电流JD=0。rDss称为饱和漏极电流,UP称为夹断电压。输出特性曲线 输出特性曲线是表示在栅源电压一定条件下,漏极电流与漏源电压之间的关系,如图8-5所示。电阻区、放大击穿区、截止区。由场效应管组成的放大电路中,场效应管必须工作在放大区,即必须采用合适的直流电流将其工作点(UDs,rD)设置于输出特性曲线的放大区或恒流区,且保持稳定。与三极管放大电路相类似,场效应管放大电路有共源、共漏、共栅二种接法。绝缘栅型场效应管,绝缘栅场效应管是一种栅极与源极、漏极之间有绝缘层的场效应管,简称MOS管。绝缘栅场效应管也有N沟道型及P沟道型两种结构形式。无论是N沟道型或P沟道型,都有增强型和耗尽型两种。N沟道增强型绝缘栅场效应管 以P型硅片作为衬底.其间扩散两个高掺杂的N・区并引出两个电极,作为源极S和漏级D。制作场效应管时先在半导体上制作Sio2绝缘层,之后在Sio2上制作一层金属铝,引出电极作为栅极G,此时的P型半导体称为衬底B。N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号如图8-6所示,N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号,场效应管可看作一个受栅源电压控制的,可当yDs增剧增,出现电击穿。如果对此不加限制,将损坏场效应管。不允许场效应管工作在这个区域,rD-IV恒流区场效应管,在恒流区具有线性放大作用,-2V截止区-41栅极P衬底.缘栅型场效应管的特点是输入电阻高,噪声小。在通常情况下.源极一般都是与衬底相连.即Us=0。为保证N沟道增强型MOs管正常工作,应达到如下条件。UGs=0时,漏源之间是相当于两只背靠背的PN结,不论UDs极性.两个PN结中总有一个PN结反偏,即不存在寻电沟道。LIGs必须大于0(UGs>0),场效应管才能工作。漏极对源极的电压UDs必须为正值(UDs)0)。在漏极电压作用下,源区电子沿导电沟道行进到漏区,产生自漏极流向源极的电流。N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理，当UGs=0,在漏、源极之问加正向电压UDs时.漏源极之P衬底MoSFET是利用栅源电压的大小,来改变半导体表面感生电荷的多少,从而控制漏极电流的大小。N沟道增强型绝缘栅场效应管的工作原理．BM1430转移特性曲线,在场效应管漏源电压保持不变的情况下,从图8-4中可以得出以下结论:栅源电压UGs=0时,漏极电流D=Dss。栅源电压UGs向负值方向变化时,漏极电流ID逐渐减小。栅源电压UGs=UP时,漏极电流JD=0。rDss称为饱和漏极电流,UP称为夹断电压。输出特性曲线 输出特性曲线是表示在栅源电压一定条件下,漏极电流与漏源电压之间的关系,如图8-5所示。电阻区、放大击穿区、截止区。由场效应管组成的放大电路中,场效应管必须工作在放大区,即必须采用合适的直流电流将其工作点(UDs,rD)设置于输出特性曲线的放大区或恒流区,且保持稳定。与三极管放大电路相类似,场效应管放大电路有共源、共漏、共栅二种接法。绝缘栅型场效应管,绝缘栅场效应管是一种栅极与源极、漏极之间有绝缘层的场效应管,简称MOS管。绝缘栅场效应管也有N沟道型及P沟道型两种结构形式。无论是N沟道型或P沟道型,都有增强型和耗尽型两种。N沟道增强型绝缘栅场效应管 以P型硅片作为衬底.其间扩散两个高掺杂的N・区并引出两个电极,作为源极S和漏级D。制作场效应管时先在半导体上制作Sio2绝缘层,之后在Sio2上制作一层金属铝,引出电极作为栅极G,此时的P型半导体称为衬底B。N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号如图8-6所示,N沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号,场效应管可看作一个受栅源电压控制的,可当yDs增剧增,出现电击穿。如果对此不加限制,将损坏场效应管。不允许场效应管工作在这个区域,rD-IV恒流区场效应管,在恒流区具有线性放大作用,-2V截止区-41栅极P衬底.

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