
半导体二极管的重要特性之一是什么?——答案:单向导电性。
半导体二极管最重要的特性是单向导电性。即当外加正向电压时,它呈现的电阻(正向电阻)比较小,通过的电流比较大;当外加反向电压时,它呈现的电阻(反向电阻)很大,通过的电流很小。
半导体二极管是指利用半导体特性的两端电子器件。最常见的半导体二极管是PN结型二极管和金属半导体接触二极管。它们的共同特点是伏安特性的不对称性,即电流沿其一个方向呈现良好的导电性,而在相反方向呈现高阻特性。可用作为整流、检波、稳压、恒流、变容、开关、发光及光电转换等。利用高掺杂PN结中载流子的隧道效应可制成超高频放大或超高速开关的隧道二极管。
因为晶体二极管是用硅(Si)或锗(Ge)半导体材料制造的,所谓半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的物体。它内部是在硅或锗单晶基片上,加工出P型区和相邻的N型区即PN结正向偏置时,电阻很小,外于导通状态,PN结反向偏置时,电阻很大,外于截止状态。综上所述,晶体二极管是用硅或锗材料制造的半导体器件,它的内部是一个具有单向导电性的PN结,所以二极管具有单向导电性。二极管PN结正向导通,反向截止,即为单向导电性。
1、正向:将P型区接电源正极,N型区接电源负极,则外电场削弱了内电场。扩散运动加强,漂移运动减弱,扩散大于漂移,形成正向电流IF。结电压很低,显示正向电阻很小,称为正向导通。
2、反向:将P型区接电源负极,N型区接电源正极,则外电场加强了内电场。扩散运动减弱,漂移运动增强,漂移大于扩散,形成反向电流IR。
由于漂移运动是由少子形成,数量很少,所以IR很小,可以忽略不计,但IR受温度影响较大。结电压近似等于电源电压,显示反向电阻很大,称为反向截止。
扩展资料:
工作原理:
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。
当外加的反向电压高到一定程度时,pn结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。pn结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
参考资料来源:百度百科——单向导电性
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