半导体制冷芯片装上去后两边都发热是怎么回事啊

第一个问题 ：

5v是可以工作，不过致冷就差了一点，你想用电脑电源带动的话，就要看你电脑电源的负载电流，一般4cmx4cm工作电流是5A，（你可以看电脑电源旁边有张负载说明的）最少带动致冷片电流要一安。在低电压低电流工作下，致冷就有所减少。

第二个问题

温差方面帮不了你，我没温度计。装在电脑上面的话要看你装到那里，如果装在CPU上的话，CPU有过温保护的，所以你可以试验一下的。散热片足够大的话是可以控制在85度以下，呵呵！散热片的面积方面就是一个可怕问题，可以用风冷或水冷的。

最后一个问题

如果你要装半导体致冷片在CPU上，那致冷片散热的那一面，要装的散热片要比你原先装的CPU散热片要大好好多。还有用的电比原风冷用的电多好多。

总结

半导体致冷片本身就是一个发热体，原理就是用发热来带走另一边的热，所以一边发热另一边是冷，得不偿失。半导体致冷片这个名就到这样来的，它不是叫半导体制冷片。

制冷片也叫热电半导体制冷组件，帕尔贴等。国内目前以 帕尔贴半导体（中国）有限公司 生产的以“Peltier"为品牌的帕尔贴热电半导体致冷器件，品质优良，价格低廉，成为半导体制冷的航母。

一、预备知识：

1．Peltier effect（珀尔帖效应）：

珀尔帖效应的论述很简单——当电流通过热电偶时，其中一个结点散发热而另一个结点吸收热，这个现象由法国物理学家Jean Peltier在1834年发现。

2．P型半导体

半导体材料的一种形式，其导带中的电子密度超过了价带中的空穴密度。P型材料通过增加受主(acceptor)杂质来形成，例如在硅上掺杂硼。

3．N型半导体

半导体材料的一种形式，在导带中的电子密度大于在价带中的空穴密度的半导体，N型材料通过对硅的晶体结构中加入施主杂质(掺杂)——比如砷或磷——来得到。

二、珀尔帖效应应用

半导体致冷器是由半导体所组成的一种冷却装置，於1960左右才出现，然而其理论基础Peltier effect可追溯到19世纪。如图是由X及Y两种不同的金属导线所组成的封闭线路。

通上电源之後，冷端的热量被移到热端，导致冷端温度降低，热端温度升高，这就是著名的Peltier effect 。这现象最早是在1821年，由一位德国科学家Thomas Seeback首先发现，不过他当时做了错误的推论，并没有领悟到背後真正的科学原理。到了1834年，一位法国表匠，同时也是兼职研究这现象的物理学家 Jean Peltier，才发现背後真正的原因，这个现象直到近代随著半导体的发展才有了实际的应用，也就是[致冷器]的发明(注意，这种叫致冷器，还不叫半导体致冷器)。

三、半导体致冷法的原理以及结构：

半导体热电偶由N型半导体和P型半导体组成。N型材料有多余的电子，有负温差电势。P型材料电子不足，有正温差电势；当电子从P型穿过结点至N型时，结点的温度降低，其能量必然增加，而且增加的能量相当于结点所消耗的能量。相反，当电子从N型流至P型材料时，结点的温度就会升高。

直接接触的热电偶电路在实际应用中不可用，所以用下图的连接方法来代替，实验证明，在温差电路中引入第三种材料（铜连接片和导线）不会改变电路的特性。

这样，半导体元件可以用各种不同的连接方法来满足使用者的要求。把一个P型半导体元件和一个N型半导体元件联结成一对热电偶，接上直流电源后，在接头处就会产生温差和热量的转移。

在上面的接头处，电流方向是从N至P，温度下降并且吸热，这就是冷端；而在下面的一个接头处，电流方向是从P至N，温度上升并且放热，因此是热端。

因此是半导体致冷片由许多N型和P型半导体之颗粒互相排列而成，而N／P之间以一般的导体相连接而成一完整线路，通常是铜、铝或其他金属导体，最後由两片陶瓷片像夹心饼乾一样夹起来，陶瓷片必须绝缘且导热良好，外观如下图所示。

珀尔帖现象最早是在1821年，由一位德国科学家Thomas Seeback首先发现，不过他当时做了错误的推论，并没有领悟到背後真正的科学原理。到了1834年，一位法国表匠，同时也是兼职研究这现象的物理学家Jean Peltier，才发现背後真正的原因，珀尔帖发现这样一种现象：用两块不同的导体联接成电偶，并接上直流电源，当电偶上流过电流时，会发生能量转移现象，一个接头处释放热量变冷，另一个接头处吸收热量变热，这种现象称作珀尔帖效应。这个现象直到近代随著半导体的发展才有了实际的应用，也就是[致冷器]的发明(注意，这种叫致冷器，还不叫半导体制冷器)。

帕尔帖(peltire)效应

电流流过两种不同导体的界面时，将从外界吸收热量，或向外界放出热量。这就是帕尔帖效应。由帕尔帖效应产生的热流量称作帕尔帖热，用符号 表示。

对帕尔帖效应的物理解释是：电荷载体在导体中运动形成电流。由于电荷载体在不同的材料中处于不同的能级，当它从高能级向低能级运动时，便释放出多余的能量；相反，从低能级向高能级运动时，从外界吸收能量。能量在两材料的交界面处以热的形式吸收或放出。

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