电器半导体发热时温度的上升速度与哪些因素有关,如需降低上升速度,要在哪些

跟你使用环境有关的吧。

在一定温度下，半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。

半导体的五大特性∶掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。

你说的这是单晶状态下的半导体，要想容易的理解这个问题，可以从晶格结构来理解。所谓的阻值，就是电子脱离原来束缚它的位置而变为自由电子形成导电的能力。通过量子物理的解释，任何物质都有波的概念，也就是物质波，通俗一点说就是任何物质都有震动，电子也是，那么随着温度的升高，电子所获得的的哈密尔顿量（也就是总能量）增加，震动能力也增加，这样会导致电子比低温状态下更容易脱离原位置，而导电，反应出来的效果就是阻值变小。

但是，非晶状态下的半导体就不同，这时温度升高阻值变大。其原因是由于非晶状态下的一切“导”的现象（导电，导热，导磁等）都会大幅降低，就好比你点蜡烛的时候，一边化成水了，另一头还是凉的。在微观的角度上，我没听到过有谁专门去解释，个人认为是这样：在非晶状态下，晶格大小不为常数，这样会出现个别部位的电子需要很高的能量去脱出，这样的部位在加热的时候，并没有太大的变化，还有一部分电子过于紧密，在加热的时候单个电子活动能力加强，但是由于电子距离太近导致其相互斥力过大，好比刚要脱出原位置，就被周围的电子“斥”了回去，所以温度越大，电子相互之间“挤”的越紧，导致更不导电。

---