p型半导体中掺入的三价元素是什么

p型半导体中掺入的三价元素是硼、铟、镓等。

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。

对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度。

在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，由于铟或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。

扩展资料：

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

参考资料来源：百度百科--P型半导体

参考资料来源：百度百科--半导体

⑴PCl 3 +H 2 O+Cl 2 ＝POCl 3 +2HCl     ⑵①b  溶液变为红色 ②防止在滴加NH 4 SCN时，将AgCl沉淀转化为AgSCN沉淀    偏小 ⑶①将废水中的H 3 PO 3 氧化为PO 4 3 － ，使其加入生石灰后转化为磷酸的钙盐    ②bc ③5×10 －6   （除第⑵①第一空1分外，其余每空2分，共15分）

试题分析：⑴氯化水解法生产三氯氧磷的反应物有PCl 3 、H 2 O、Cl 2 ，生成物有POCl 3 ，据原子守恒应该还有HCl生成，然后通过观察法将其配平。 ⑵①当滴定达到终点时NH 4 SCN过量，可以用含有Fe 3+ 的NH 4 Fe(SO 4 ) 2 作指示剂，即溶液变为红色，半分钟内不褪色，即可确定滴定终点。 ②由于AgSCN沉淀的溶解度比AgCl小，可加入硝基苯用力摇动，使AgCl沉淀表面被有机物覆盖，避免在滴加NH 4 SCN时，将AgCl沉淀转化为AgSCN沉淀；若无此 *** 作，NH 4 SCN标准液用量偏多，使所测的氯元素的含量偏小； ⑶①在沉淀前先加入适量漂白粉使废水中的H 3 PO 3 氧化为PO 4 3 － ，使其加入生石灰后能完全转化为磷酸的钙盐，达到较高的回收率。 ②根据图1、2可确定pH=10、反应时间30 min时磷的沉淀回收率较高。 ③根据K sp [Ca 3 (PO 4 ) 2 ]＝[c(Ca 2+ )] 3 ×c(PO 4 3- )＝2×10 －29 ，将c(PO 4 3 － )=4×10 －7 mol·L －1 代入计算得c(Ca 2+ )＝5×10 －6 mol·L －1 。 考点；本题考查化学综合实验（条件的选择、滴定 *** 作、误差分析、溶解度的计算等）。

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

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