
半导体:常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。主要材料:元素
半导体:锗和硅是最常用的元素半导体;
化合物半导体:包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化镓、磷化镓等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。技术科研领域:(1)集成电路它是半导体技术发展中最活跃的一个领域,已发展到大规模集成的阶段。在几平方毫米的硅片上能制作几万只晶体管,可在一片硅片上制成一台微信息处理器,或完成其它较复杂的电路功能。集成电路的发展方向是实现更高的集成度和微功耗,并使信息处理速度达到微微秒级。(2)微波
器件半导体微波器件包括接收、控制和发射器件等。毫米波段以下的接收器件已广泛使用。在厘米波段,发射器件的功率已达到数瓦,人们正在通过研制新器件、发展新技术来获得更大的输出功率。(3)光电子器件半导体发光、摄象器件和激光器件的发展使光电子器件成为一个重要的领域。它们的应用范围主要是:光通信、数码显示、图象接收、光集成等。最早的半导体材料以硅(包括锗)为主。随着信息发展,人们需求的增加,出现了以砷化镓(GaAs)等为代表的半导体材料,算是第二代半导体材料吧。现主要的半导体材料有金属氧化物(LDMOS),碳化硅(SiC)和硅(Si)基做基底的氮化物。SiC是在历史上研究得较早的一种半导体,但由于它的晶相很多,单晶生长困难,成本高。氮化镓是最早被利用的、并且研究得最充分的第三代半导体。它有很强的键强度,决定了它的材料强度大,耐高温,耐缺陷,不易退化,在器件应用上有很多优点。尽管以前氮化镓与LDMOS相比价格过高,但是MACOM公司的最新的第四代硅基氮化镓技术(MACOM GaN)使得二者成本结构趋于相当。硅半导体器件比锗半导体器件的漏电流要小的多,这是它成为主流半导体材料的主要原因。 另外硅元素在地壳中的储藏量巨大,这也是原因之一,因为砷化镓材料的性能更好,但是由于储藏量和生产成本的原因就不能成为主流材料。
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