
材料:由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
作用:在光刻工艺过程中,用作抗腐蚀涂层材料。
光刻胶(Photoresist)又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。半导体材料在表面加工时,若采用适当的有选择性的光刻胶,可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。
光刻胶
在光刻胶工艺过程中,涂层曝光、显影后,曝光部分被溶解,未曝光部分留下来,该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来,而未曝光被溶解,该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同,又分为紫外光刻胶(包括紫外正、负性光刻胶)。
深紫外光刻胶、X-射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂,品种规格较多,在电子工业集成电路的制造中,对所使用光刻胶有严格的要求。
以上内容参考:百度百科——光刻胶
光刻胶属于半导体板块。
光刻胶是电子领域微细图形加工关键材料之一,是由感光树脂、增感剂和溶剂等主要成分组成的对光敏感的混合液体。在紫外光、深紫外光、电子束、离子束等光照或辐射下,其溶解度发生变化,经适当溶剂处理,溶去可溶性部分,最终得到所需图像。
按显示效果分类,光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。按照曝光波长分类,光刻胶可分为紫外光刻胶(300~450nm)、深紫外光刻胶(160~280nm)、极紫外光刻胶(EUV,13.5nm)、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X 射线光刻胶等。
按行业分类,可分为PCB光刻胶、面板光刻胶、半导体光刻胶。目前,中国本土光刻胶以 PCB 用光刻胶为主,平板显示、半导体用光刻胶供应量占比极低,市场炒作以面板显示及半导体这块为主。
光刻胶的应用:
1、液体火箭发动机层板喷注器上金属板片型孔的双面精密加工,以及液体推进器预包装贮箱上的膜片阀金属片刻痕。
2、在金刚石台面上制备金属薄膜电极以及在偏聚二氟乙烯(PVDF)压电薄膜上制备特定尺寸和形状的金电极。
3、制作各种光栅、光子晶体等微纳光学元件。早在80年代中期,Ⅲ~Ⅴ族化合物光电子器件的制备就用到了激光全息光刻技术,其中研究最多的是用全息光刻直接形成分布反馈(DFB)半导体激光器的光栅结构。
4、医用领域还用光刻制造微针和生物芯片等微细医疗器件。
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