半导体致冷片热端控制在多少度最理想?

不是想控制多少就能控制多少的吧？否则的话，效率会无穷大，所谓的最佳温度其实我个人理解就是它的基本工作电流。

在它的额定电压下的额定电流，就是它最正常的工作状态，低于此状态当然对其寿命更好，但是有浪费，高于此状态则可能会烧毁元件。在额定范围内的工作状态就是冷端最正常的温度。

对这个东西了解也不多，个人见解，仅供参考。

（1）熔断器类型的选择

选择熔断器类型时，主要依据负载的保护特性和预期短路电流的大小。

（2）熔断器额定电压的选择

所选熔断器的额定电压应不低于线路的额定工作电压，但当熔断器用于直流电路时，应注意制造厂提供的直流电路数据或与制造厂协商，否则应降低电压使用。

（3）熔体额定电流的选择

①用于保护照明或电热设备及一般控制电路的熔断器，所选熔体的额定电流应等于或稍大于负载的额定电流。

②用于保护电动机的熔断器，应按电动机的启动电流倍数考虑，避开电动机启动电流的影响，一般选熔体额定电流为电动机额定电流的1.5～3.5倍。

（4）快速熔断器的选择

快速熔断器的选择与其接入电路的方式有关，以三相硅整流或三相晶闸管电路为例，快速熔断器接入电路的方式常见的有接入交流侧和接入整流桥臂（即与硅元件相串联）两种。

①熔体额定电流的选择。选择熔体的额定电流时应当注意，快速熔断器熔体的额定电流是以有效值表示的，而硅整流元件和晶闸管的额定电流却是用平均值表示的。

②快速熔断器额定电压的选择。快速熔断器分断电流的瞬间，最高电弧电压可达电源电压的1.5～2倍。因此，硅整流元件或晶闸管的反向峰值电压必须大于此电压值才能安全工作，即：

式中　UF——硅整流元件或晶闸管的反向峰值电压；　

UN——所选快速熔断器额定电压；　

K2——安全系数，其值一般为1.5～2。

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