从2018年开始，多款基于氮化镓技术开发的快充充电器相继量产，氮化镓也正式开启了在消费类电源领域商用。
近日，氮化镓半导体材料被正式写入“十四五规划”中，这就意味着氮化镓产业将在未来的发展中获得国家层面的大力扶持，前景十分值得期待。
氮化镓（gallium nitride，GaN）属于第三代半导体材料，其运行速度比传统硅（Si）技术加快了二十倍，并且能够实现高出三倍的功率，用于尖端快速充电器产品时，可以实现远远超过现有产品的性能，在尺寸相同的情况下，输出功率提高了三倍。
氮化镓新技术应用领域广阔，覆盖5G通信、人工智能、自动驾驶、数据中心、快充等等，这其中快充市场发展最为迅猛，成为先进技术普惠大众的一个标杆应用，可谓是人人都能享受到新技术从实验室走向市场的便利；而快充出货量、需求量庞大，也反哺了氮化镓技术的不断迭代。快充与氮化镓，堪称天生一对。
凭借优秀的性能，两年来氮化镓技术在快充电源方面的发展一路突飞猛进，普及速度十分快，获得越来越来越多品牌客户和消费者的认可。而作为氮化镓快充的核心器件，GaN功率芯片也一直都是大家关注的焦点。
充电头网通过长期跟踪调研了解到，近两年时间里，业内GaN功率芯片供应商也从起初的一两家迅速增长至十余家。今天这篇文章就是带大家详细的了解一下当前快充领域的氮化镓功率芯片领域的主要玩家。
众多厂商入局氮化镓功率器件
面对日益增长的快充市场，全球范围内已有纳微、PI、英诺赛科、英飞凌、意法半导体、Texas Instruments、GaNsystems、艾科微、聚能创芯、东科半导体、氮矽 科技 、镓未来、量芯微、Transphorm、能华、芯冠 科技 等16家氮化镓功率芯片供应商。
值得一提的是，英诺赛科苏州第三代半导体基地在去年9月举行设备搬入仪式。这意味着英诺赛科苏州第三代半导体基地开始由厂房建设阶段进入量产准备阶段，标志着全球最大氮化镓工厂正式建设完成，同时也预示中国功率半导体步入一个崭新时代。
充电头网通过整理了解到，目前市面上合封氮化镓芯片可分为以下四种类型：
控制器+驱动器+GaN：这种方式以老牌电源芯片品牌PI为代表，其基于InSOP-24D封装，推出了十余款合封主控、氮化镓功率器件、同步整流控制器等的高集成氮化镓芯片，PowiGaN芯片获众多品牌青睐，成为了合封氮化镓快充芯片领域的领导者。
此外在本土供应商中，东科半导体率先推出两款合封氮化镓功率器件的主控芯片DKG045Q和DKG065Q， 对应的最大输出功率分别为45W和65W。这两款芯片在节约系统成本，加速产品上市方面均有着巨大的优势，并有望在2021年量产。
驱动器+GaN：这种合封的氮化镓功率芯片以纳微半导体为主要代表，其为业界首家推出内置驱动氮化镓功率芯片的厂商，凭借精简的外围设计，获得广大工程师及电源厂商青睐，在2020年底，达成芯片出货量突破1300万颗的好成绩。
驱动器+2*GaN：合封两颗氮化镓功率器件以及驱动器的双管半桥产品，其集成度较传统的氮化镓功率器件更高。这类产品应用于ACF架构，以及LLC架构的氮化镓快充产品中，可以实现更加精简的外围设计。目前纳微半导体、英飞凌、意法半导体等厂商在这类合封氮化镓芯片方面均有布局。
驱动器+保护+GaN：纳微半导体近期推出了新一代氮化镓功率芯片NV6128，集成GaN FET、驱动器和逻辑保护器件。将保护电路也加入氮化镓器件中，通过整合开关管和逻辑电路，可得到更低的寄生参数以及更短的响应时间。该芯片可以实现数字输入，功率输出高性能，电源工程师可基于此设计出更快更小更高速的电源。
氮化镓芯片品牌盘点
以下排名不分先后，仅按照品牌首字母排序，方便读者查阅。
ARK艾科微
艾科微电子专注于高功率密度整体方案开发, 并以解决高功率密度电源系统带来的痛点与瓶颈为使命, 核心团队具备超过 20 年专业经验于功率半导体产业, 我们透过不断的创新及前瞻的系统架构并深入结合功率器件及高效能封装, 来实现高品质、高效能与纯净的电源系统，以满足市场对未来的需求。
艾科微在AC/DC 快充方案上不仅推出原副边芯片, 另有自主的开发MOSFET功率器件。伴随各种应用上电子产品针对高功率密度之强烈需求，我们承诺持续投资、创新、研发并一同与我们的合作伙伴引领市场、开创未来。
Cohenius聚能创芯
青岛聚能创芯微电子有限公司成立于2018年7月，公司坐落于青岛国际创新园区，主要从事第三代半导体硅基氮化镓（GaN）的研发、设计、生产和销售，专注于为业界提供高性能、低成本的GaN功率器件产品和技术解决方案。
聚能创芯掌握业界领先的GaN功率器件与应用设计技术，致力于整合业界优势资源，打造GaN器件开发与应用生态系统，为PD快充、智能家电、云计算、5G通讯等提供国产化核心元器件支持。
背靠上市公司赛微电子（300456）与知名投资基金支持，聚能创芯建立了业界领先的管理和技术团队。在产品研发与量产过程中，始终坚持高品质与高可靠性的要求。在得到合作伙伴广泛认同的同时，逐步成为第三代半导体领域的国际知名企业。
在消费类电源领域，聚能创芯面向快充应用国产化GaN材料和器件技术解决方案，并基于现有的氮化镓功率器件推出全新65W、100W、120W氮化镓快充参考设计。
Corenergy能华
江苏能华微电子 科技 发展有限公司是由留美归国博士于2010年创建。团队汇集了众多海内外的专业人才，是一家专业设计、研发、生产、制造和销售高性能氮化镓外延、晶圆、器件及模块的高 科技 公司。
氮化镓（GaN）是新一代复合半导体的代表，江苏能华已建立了GaN功率器件生产线。项目计划总投资50个亿，分期投资。预计第一期投资超10个亿。公司于2017年搬入张家港国家再制造产业园，新厂房占地3万平方，拥有万级、千级以及百级的无尘车间，并配备有先进的生产设备以及专业的技术人员。
DANXI氮矽 科技
成都氮矽 科技 有限公司是一家专注于第三代半导体氮化镓功率器件与IC研发的 科技 型公司，专注于氮化镓功率器件及其驱动芯片的设计研发、销售及方案提供，公司两位创始人均拥有超过5年的氮化镓领域相关研发经验。
氮矽 科技 于2020年3月发布国内首款氮化镓超高速驱动器DX1001，同年4月推出国内多款量产级别的650V氮化镓功率芯片DX6515/6510/6508，搭配该公司的驱动芯片，进军PD快充行业。
值得一提的是，氮矽 科技 还推出了业内最小尺寸、最强散热能力的650V/160mΩ氮化镓晶体管，引领氮化镓产业革命。基于现有的氮化镓功率器件，氮矽 科技 推出4套国产GaN快充参考设计，丰富快充电源工程师的产品选型需求。
DONGKE东科
安徽省东科半导体有限公司于2009年成立，总部位于安徽省马鞍山市，主要从事开关电源芯片、同步整流芯片、BUCK电路电源芯片等产品研发、生产和销售；并成立深圳及无锡全资子公司和印度公司，负责全球市场销售及技术支持。
东科半导体在北京、青岛、无锡、深圳多地成立研发中心，多名海归博士主持研发 探索 ，在安徽马鞍山拥有2万平方米的封装车间和品质实验室，拥有DIP-8/SOP-8/SM-7/SM-10/TO-220等多种产品封装能力；在东科半导体总部成立的马鞍山集成电路国家实验室，具备对芯片进行开封、失效分析、中测、划片、高低温测试等多种分析能力，为公司产品品质和供货提供可靠保障。
针对快充领域的应用，东科半导体推出了业界首颗合封氮化镓功率器件的电源芯片，成为了国产氮化镓快充发展史上的里程碑。
GaN system氮化镓系统公司
GaN Systems于2008年成立于加拿大首都渥太华，创始人是前北电的资深功率半导体专家。公司专注于增强型氮化镓功率器件的开发，提供高性能、高可靠性的增强型硅基GaN HEMT功率器件。
GaN Systems拥有专利的GaN芯片设计，GaNPx 芯片级封装技术和市场上最全的650V和 100V产品系列，涵盖了从小功率消费电子到几十kW以上工业级电源应用。
GaN Systems采用无晶圆厂模式，与世界级代工厂和供应链合作。产品自2014年开始量产以来，在全球范围服务超过2000家客户。在中日韩和北美及欧洲设有销售分公司和应用支持。据了解，目前GaN Systems的氮化镓功率芯片已经进入飞利浦快充供应链。
GaNext镓未来
珠海镓未来 科技 有限公司成立于2020年10月，公司致力于第三代半导体GaN-on-Si器件技术创新和领先。通过高起点、强队伍等，实现GaN技术的国产化，推动GaN器件的技术的*，并且通过电源系统的创新设计，实现能源的绿色、高效利用。
公司创始团队由3位资深GaN-on-Si技术/产业专家构成，以深港微电子学院于洪宇教授和美国知名氮化镓公司研发VP领衔，前华为GaN产业共同创始人加盟，构建了完整的技术、制造、市场的铁三角，厚积薄发。通过成熟领先的产品，推动GaN技术国产化，依托中国巨大电源应用市场和国家第三代半导体产业政策的支持，向氮化镓产业顶峰进军，助力国家第三代半导体产业目标的突破。
GaNPower量芯微
苏州量芯微半导体有限公司是加拿大GaNPower International Inc.在中国注册成立的公司。GaNPower于2015年在加拿大成立，总部位于加拿大温哥华市。GaNPower是全球氮化镓功率器件行业的知名公司，目前产品主要为涵盖不同电流等级及封装形式的增强型氮化镓功率器件及氮化镓基电力电子先进应用解决方案。
苏州量芯微半导体公于2019年荣获苏州工业园区第十三届金鸡湖 科技 领军人才称号；《氮化镓功率器件及相关产业化应用》被列为政府重点扶持项目。公司的氮化镓功率器件产品荣获行业权威大奖：2020年ASPENCORE中国IC设计成就奖之年度功率器件奖。公司目前拥有40项美国和中国的专利及申请。
据悉，量芯微半导体已经推出650V氮化镓功率器件，适用于45W-300W快充。
Innoscience英诺赛科
英诺赛科 科技 有限公司成立于2015年12月，国家级高新技术企业，致力于研发和生产8英寸硅基氮化镓功率器件与射频器件；英诺赛科是全球最大的氮化镓功率器件IDM 企业之一， 拥有氮化镓领域经验最丰富的团队、先进的8英寸机台设备、加上系统的研发品控分析能力，造就英诺赛科氮化镓产品一流品质和性能的市场竞争优势。
自从2017年建立全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线以来， 目前英诺赛科已经发布和销售多款650V以下的氮化镓功率器件，产品的各项性能指标均达到国际先进水平，能广泛应用于多个新兴领域， 如快充、5G 通信、人工智能、自动驾驶、数据中心等等。
目前，英诺赛科已经建成了全球最大的氮化镓工厂，在USB PD氮化镓快充市场，英诺赛科650V高压氮化镓功率器件已经在努比亚、魅族、MOMAX、ROCK等众多知名品牌产品中得到应用，并在近期推出第二代InnoGaN产品，性能较上一代有显著提升。
此外，英诺赛科还推出了多款低压GaN功率器件，适用于同步整流、DC-DC电压转换以及激光雷达等领域。在全球市场中，英诺赛科是少有具备氮化镓高压、低压全品类产品线的IDM芯片原厂。
infineon英飞凌
英飞凌 科技 股份公司是全球领先的半导体 科技 公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年（截止9月30日），公司的销售额达85亿欧元，在全球范围内拥有约46,700名员工。2020年4月，英飞凌正式完成了对赛普拉斯半导体公司的收购，成功跻身全球十大半导体制造商之一。
英飞凌电源与传感系统事业部提供应用广泛的电源、连接、射频（RF）及传感技术，让充电设备、电动工具、照明系统在变得更小、更轻便的同时，还能提升能效。新一代的硅基/宽禁带半导体解决方案（碳化硅/氮化镓）将为5G、大数据及可再生能源应用，带来前所未有的突出性能和可靠性。
高精度XENSIV 传感器解决方案为物联网设备赋予了人类的感官功能，让这些设备能够感知周遭的环境，并做出“本能”反应。音频放大器产品扩充了电源与传感系统事业部的产品线，让智能音箱及其它音频应用设备能够提供卓越的音质体验。
Navitas纳微
纳微半导体是全球领先氮化镓功率IC公司，成立于2014年，总部位于爱尔兰，拥有一支强大且不断壮大的功率半导体行业专家团队，在材料、器件、应用、系统、设计和市场营销方面，拥有行业领先的丰富经验，公司创始者拥有320多项专利。
GaNFast功率IC将GaN功率（FET）与驱动，控制和保护集成在一起，可为移动、消费电子、企业、电动交通和新能源市场提供更快的充电，更高的功率密度和更强大的节能效果。纳微在GaN器件、芯片设计、封装、应用和系统的所有方面已发布和正在申请的专利超过120项，已完成生产并成功交付了超过1300万颗GaNFast氮化镓功率IC，产品质量和出货量全球领先。
近期，纳微半导体也推出了最新一代氮化镓功率芯片NV6128，内置驱动和保护功能，适用于大功率快充产品。凭借优异的产品性能，纳微半导体已经成为小米、OPPO、联想、戴尔、LG等众多知名品牌的氮化镓芯片供应商，基于GaNFast芯片开发的产品多达百余款。
PI
Power Integrations 是一家专注于高压电源管理及控制领域的高性能电子元器件及电源方案的供应商，总部位于美国硅谷。
PI所推出的集成电路和二极管为包括移动设备、家电、智能电表、LED灯以及工业应用的众多电子产品设计出小巧紧凑的高能效AC-DC电源。SCALE 门极驱动器可提高大功率应用的效率、可靠性和成本效益，其应用领域包括工业电机、太阳能和风能系统、电动 汽车 和高压直流输电等。
自1998年问世以来，Power Integrations的EcoSmart 节能技术已节省了数十亿美元的能耗，避免了数以百万吨的碳排放。由于产品对环境保护的作用，Power Integrations的股票已被归入到由Cleantech Group LLC及Clean Edge赞助的环保技术股票指数下。
充电头网拆解了解到，PI的氮化镓芯片已被小米、OPPO、ANKER、绿联、belkin等多个品牌的快充产品采用。此外，PI还推出了全新的MinE-CAP IC，用于快充充电器时，体积可缩小40％。
ST意法半导体
意法半导体（STMicroelectronicsST）是全球领先的半导体公司，提供与日常生活息息相关的智能的、高能效的产品及解决方案。意法半导体的产品无处不在，致力于与客户共同努力实现智能驾驶、智能工厂、智慧城市和智能家居，以及下一代移动和物联网产品。享受 科技 、享受生活，意法半导体主张 科技 引领智能生活（life.augmented）的理念。意法半导体2018年净收入96.6亿美元，在全球拥有10万余客户。
目前，ST意法半导体推出了一款GaN半桥器件，内置驱动器和两颗氮化镓，并基于该芯片推出了一套推出65W氮化镓快充参考设计。
Texas Instruments德州仪器
德州仪器 （Texas Instruments）是全球领先的半导体公司，致力于设计、制造、测试和销售模拟和嵌入式处理芯片。数十年来，TI一直在不断取得进展，推出的80000多种产品可帮助约100000名客户高效地管理电源、准确地感应和传输数据并在其设计中提供核心控制或处理，从而打入工业、 汽车 、个人电子产品、通信设备和企业系统等市场。
2020年11月10日，德州仪器推出了650V和600V两款氮化镓功率器件，进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器，可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99％的效率，并将电源磁性器件的尺寸减少59％。
Transphorm
Transphorm公司致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓（GaN）半导体功率器件。Transphorm持有数量极为庞大的知识产权组合，在全球已获准和等待审批的专利超过1000多项 ，是业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET的IDM企业之一。
得益于垂直整合的业务模式，Transphorm公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新——包括设计、制造、器件和应用支持。充电头网拆解了解到，此前ROMOSS推出的一款65W氮化镓充电器内置的正式Transphorm公司的GaN器件。
XINGUAN芯冠 科技
大连芯冠 科技 有限公司是全球领先的第三代半导体氮化镓外延及器件制造商，致力于硅基氮化镓外延与功率器件的研发、设计、生产和推广，拥有先进的外延材料与功率器件生产线，提供650V全规格的功率器件产品，电源功率的应用覆盖几十瓦到几千瓦范围。广泛应用于消费类电子（快充、大功率适配器等）、工业电子与 汽车 电子等领域。
芯冠氮化镓功率器件的特点是兼容标准MOS驱动，应用设计简单；抗击穿电压高达1500V以上，使用安心。
充电头网总结
从三年前GaN技术开始在消费类电源领域商用，到如今市售GaN快充已经多达数百款，市场发展速度可谓是突飞猛进。这一方面是借助各大手机、笔电厂商陆续入局的产生的品牌影效应，另一方面也离不开氮化镓快充生态的日趋完善。
就充电头网本次不完全统计，已经布局快充市场的氮化镓芯片供应商已经多达16家，方案多达数百款；并且涵盖了多样化的封装方式，完全可以满足当前快充电源市场对核心器件的选型需求。
相信随着国家十四五规划对氮化镓产业的大力扶持，入局氮化镓功率芯片的厂商数量将越来越多。不仅产品类型将会的得到进一步完善，更重要的是当氮化镓产业呈现规模化发展后，电源厂商开发氮化镓快充的成本将会得到优化；而氮化镓功率芯片也将成为越来越多高性能快充电源产品的首选。
易车讯 8月16日，长城控股集团与江苏省锡山经济技术开发区签约战略合作，无锡极电光能科技有限公司（以下简称“极电光能”） 全球总部及钙钛矿创新产业基地项目、长城汽车旗下蜂巢易创第三代半导体模组封测制造基地项目落地锡山经济技术开发区，计划投资38亿元。
此次签约的极电光能全球总部及钙钛矿创新产业基地项目，将投资30亿元，总占地面积156亩。计划建设全球首条GW级钙钛矿光伏组件及BIPV产品生产线、100吨钙钛矿量子点生产线、全球创新中心及总部大楼，预计年产值将达到25亿元。
极电光能是专业从事钙钛矿光伏、钙钛矿光电产品研发和制造的创新型高科技企业。2021年极电光能钙钛矿光伏组件效率全行业首破20%成为全球第一，并以组件效率20.5%的优异表现被Martin Green全球太阳电池效率表收录。目前，极电光能已完成2.2亿元Pre-A轮融资，并建有全球规模最大的150MW钙钛矿光伏组件试制线。
与极电光能全球总部及钙钛矿创新产业基地项目同时达成签约合作的还有第三代半导体模组封测制造基地项目，总投资约8亿元，按照工业4.0标准建设，占地面积约30亩，建筑面积约28000平方米，规划车规级模组年产能120万套。项目完全达产后，预计年营收可达15亿元，纳税1亿元。该项目源于长城汽车蜂巢易创业务，未来规划通过采用“上游原材料绑定+自建半导体业务”的模式，先期布局模组封测，旨在打造一家具备车规级功率模组研发、生产、销售为一体的高科技半导体公司，立志成为中国车规级功率半导体龙头企业。
第三代半导体模组将应用在新能源汽车的主逆变器与充电领域，得益于其优越的物理性能，更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率的器件，能够助力新能源汽车、光伏、直流特高压输电、消费电源等领域电能的高效转换。
钙钛矿创新产业基地项目与第三代半导体模组封测制造基地项目作为长城汽车森林生态体系的一部分，将在新能源领域展现出重要作用。长城汽车森林生态体系包含新能源与智能化两大领域布局。在新能源汽车领域，长城汽车具有强大的电动、混动汽车的研发制造实力，拥有电池垂直供应链优势，并布局氢能全产业链核心技术、以及风能发电、地热发电、温差发电、储能等未来清洁能源，打造了基于碳中和的清洁能源体系。现如今，以新能源与智能化为核心的长城汽车森林生态体系蓝图已初见雏形，该体系不仅是长城汽车迈向全球化智能科技公司的一张王牌，也将助力中国汽车产业链转型升级，增强中国汽车产业链安全可控力。
根据易车App“热度榜”数据，哈弗的日均关注度为41.50万，在全部品牌中排名第16位，如需更多数据，请到易车App查看。
“眼见他起高楼，眼见他宴宾客，眼见他楼塌了。”
许多人曾用这样的描述形容互联网泡沫与投机者，如今，轮到了半导体行业，业内用 “芯片烂尾潮” 来形容一系列光怪陆离的景象，但真正内核的原因仍有待挖掘。
2020 年 10 月 20 日，由于不少地方芯片项目烂尾的报道持续发酵，国家发改委新闻发言人孟玮在例行发布会上指出：国内投资集成电路产业的热情不断高涨，一些没经验、没技术、没人才的 “三无” 企业投身集成电路行业，个别地方对集成电路发展的规律认识不够，盲目上项目，低水平重复建设风险显现，甚至有个别项目建设停滞、厂房空置，造成资源浪费。
武汉弘芯是一个涉及上千亿资金的明星项目，成立于 2017 年 11 月，目标是为实现 14 纳米和 7 纳米制程的芯片生产线，每月产能 3 万片，还聘来了台积电关键研发人物蒋尚义担任 CEO。2019 年 12 月，弘芯还成功引进了国内唯一能生产 7 纳米芯片的 ASML 光刻机设备，一时风光无限。
2020 年 6、7 月份，武汉弘芯被曝出，项目存在较大资金缺口，随时面临资金链断裂导致项目停滞的风险。同时，由于弘芯项目二期用地一直未完成土地调规和出让，且缺少土地、环评等支撑资料，无法上报国家发改委窗口指导，导致国家半导体大基金、其他股权基金无法导入。同时，弘芯还被曝出拖欠着供应商数千万工程款，价值 5.8 亿元的 “全新” 光刻机也被抵押给银行。
实际上，类似弘芯这类经过短暂风光却频现问题的半导体项目，也在不少地方存在并发生着。
在 2019 年，南京德科码 30 亿美元晶圆项目停摆，沦为欠薪、欠款、欠税的 “三欠” 公司，被法院列为失信被执行人；成都格芯消耗政府 70 亿元投资建设了厂房，现在停产、停业、倒闭裁员，沦为一座空房；贵州华芯通半导体宣布破产清算，与高通的合作以失败告终；江苏淮安德怀半导体被曝腐败窝案，46 亿元资金打了水漂……
据悉，国家下一步将引导地方加强对重大项目建设的风险认识，按照 “谁支持、谁负责” 原则，对造成重大损失或引发重大风险的，予以通报问责。
近年来，国家对半导体产业的投资扶持力度堪称前所未有，尤其是在中兴、华为事件之后。
2014 年 9 月 24 日，国家大基金一期成立，首期募资 1387.2 亿元，为国内单期规模最大的产业投资基金；2018 年两会之后，国内提出发展集成电路产业的城市高达 30 个，多地政府都成立了集成电路产业发展基金，预计募集基金规模超过 3000 亿元；2019 年 10 月 22 日，国家大基金二期成立，注册资本为 2041.5 亿元，业内预计两期大基金可以撬动的 社会 资本规模超过 1 万亿元，越来越多的地方政府、 社会 资本介入半导体产业，希望能实现一些突破。
但盯上这块大蛋糕的人更多。用企查查搜索 "芯片" 关键词， 能得到 54733 家名称里带芯片的注册公司，而搜索 “半导体” 和 “集成电路”，分别能得到 91247 与 261681 家企业数据。
这么多资金投入、这么大扶持力度、这么多企业参与，却换来了一波 “芯骗” 苦果，不禁让人思考问题出在哪里？追责固然重要，然而在新的发展周期启动前，我们该如何从源头上避免下一次芯片烂尾潮？
对此，华裔微纳电子学家马佐平向 DeepTech 分享了其独到看法。他是中科院外籍院士，兼任耶鲁大学电机系讲座教授、前系主任，也曾在 IBM、Intel、 HP、日立、东芝、台积电等国际大厂担任高级 科技 顾问。
以下对话内容，在保持原意的基础上略有删改。
DeepTech：你怎么看待这批地方芯片烂尾项目？
马佐平：在 2014 年国家大基金成立的时候，我曾向相关负责人谏言，建议从大基金中拿出一部分钱来做基础研究，做技术扎根，虽然业绩要到 5 10 年后才能看到，但是这个非常重要。而那位负责人当时的回应是：“我们都了解，也都非常赞同，但我只是一个执行的人，上面花钱投入，希望我们每年要有业绩，所以我不能等着 5 年、10 年以后再看业绩，那到时候我也不知道被调到哪里去了。”
于是，就有相当一部分钱去投入到买设备去盖厂房等方面。我记得在 2018 年 4 月中兴事件之后，一个月内就传出将会新成立一个大基金。
再后来就如我们现在看到的现象，出现一大堆骗钱的烂尾芯片项目。可以说这个并不是意外，症结就是有些地方在乱撒钱，很多投资并没有明晰让从业者做什么，为什么要做这个？甚至没有有效监督，成百上千家新的公司纷纷成立，很多对半导体根本不了解的人都去开公司了。
这对产业发展来讲不但没有用处，反而有害处，优质资源被浪费掉了，也把半导体行业变成了一个骗钱行业，真正要做事情的人反而被人家看不起。
最重要的一定是要好好找真正的专家团进行规划，我们到底缺什么？我们到底要把钱用在怎样的刀口上，不能投机取巧，搞形象工程。
DeepTech：以武汉弘芯为例，他们聘到了台积电资深的元老蒋尚义，甚至成功引进了 7 纳米光刻机，而且武汉有比较成功的长江存储、武汉新芯等项目，地方应该不缺乏经验？
马佐平：这个非常可惜。弘芯聘请的 CEO 蒋尚义是我的大学同学，非常有实力的一个人，他是台积电创办人张忠谋十分倚重的研发元老，人称 “蒋爸”，期间也雇我做过顾问，他如果要带团队真的有能力做成，非常好的一个人，可是没想到的是，这么好的一个人也被骗。
很多国内报道都说背后有几个人在北京搞了一个空壳公司（北京光量）做大股东，根本没有资本和技术实力 *** 盘，而且也查不到更多信息。
DeepTech：我们能否从根源上避免部分地区乱撒钱搞芯片的方式？
马佐平：可以参考国外的决策经验，比如在美国，别说几千几万亿的项目，就是只有几个亿的项目，政府推进工程发包之前，也会请很多专家组成顾问团，各种审核，怎样花钱，第一步做什么，第二步做什么，细节都要规划到了，至少要推敲几个月。
华为事件之后，外媒还传言中国要投入 9 万亿用更大力度全面扶持半导体产业，且不说这个数字是真是假，如果真是这么大的资金规模，决定过程至少要超过一年以上。首先行政部门需要有一个非常清晰的规划和审核，之后还要看参众两院多方投票是否能通过，可能到最后只能批准 5 万亿的预算，不过都会有非常充分的理由支撑，不是随便拍脑门决定的。
政府工程发包的时候也要有一个顾问团，都是来自各个领域的专家，包括技术方面、财务方面、执行方面的专家，然后给出落实建议，要具体执行的时候，还有另外的顾问团或是顾问公司，各个环节是非常独立的，杜绝之间的利益关系。
而如果是拍脑门决定，无疑效率非常高，但是会有很多欠考虑的地方以及看不到衍生出来的关联影响。我们不能在开会的时候，大家都说这个计划很好很好，一开始执行才发现里面利益牵扯太多，乃至没办法打破。
DeepTech：这个情况在当下的半导体行业，是很普遍的一个现象？
马佐平：很普遍。我经历过太多这种事情，地方半导体行业有很多外行领导内行的情况，我的建议也要组建无利益关系的顾问团，其实很容易，但是后来有人跟我们讲，你这种是不可能的，你如果去搞这种顾问团的话，等于是把人家利益部分都砍掉了。最后很多钱，流向了骗子和贪污。
你这个项目要这么多钱是干什么的？你一项一项地把它列出来，审核部门再找相关专家、顾问团详细讨论和决策，就会很难被蒙骗，可能要很久才能出来方案，但是，将来出错的几率就会很小。
DeepTech：扶持半导体事业已经成为国家战略，而且市场的投资热度都很高，但我们造的芯片可能大多在一些非常细分的领域或者相对中低端一些，这种方式能让中国半导体事业进阶到一个理想预期么？
马佐平：现在业界投资的很多芯片，是有一些商机的，虽然不是最高端的芯片，但在中国市场的需求量还是很大。如果这批创业者比较了解的话，抓住这个重点，弥补市场空白，外面进不来，刚好我们自己有这个能力去弄，而且可以很快研发出来，一定程度上可以把我们国内的供应链产业链给加强，当然这只是短期。
长远来看，我们国家芯片产业真正的目标还是要做高端芯片，像华为等公司需要的旗舰手机芯片、5G 设备芯片等，它需要非常高端的基础技术支撑，国内没办法供应它，那短期能怎么办？没办法，那就要沉下心来做长期打算，真的是忍痛前行。
芯片产业链非常复杂，涉及面非常广，从材料、制造、设计、设备、封装、生产最后到市场，这些环节全部都紧密连在一起，哪里是我们最弱的？那里我们能够迎头赶上等等，需要系统规划一下。
我觉得对于芯片产业，完全要自己封闭起来搞，这是不可能的，一定要争取国际合作，即便美国技术领先，也是要靠国际力量的。我觉得我们可以用外交手段等，推进业界寻求国际合作，而且不能说，完全是我们这边都占利，这种强势的方法不太可行，我们也需要给到对方好处，大家互相促进，能自力更生固然好，但对于芯片产业来说几乎不可能。
这也是一个很现实的事， 因为芯片产业不是某个单一的东西，比如说我们自己造原子d、人造卫星很厉害，攻克几个关键技术就可以做出来。
芯片产业发展是日新月异的，每一个星期每一个月都在创新，你现在以为跟别人的差距差不多了，人家两年以后又翻了一倍，不可能自己闭关自守，我们需要深刻了解这一点，有的时候需要放下一些身段跟人家合作。
我们经常说要赶超，但现阶段只要不差的更远就不错了，人家研发能力更强，也不是不动的，人家也在努力发展。
DeepTech：这么多年来，我们的芯片产业似乎与国际产业链的契合紧密度仍然不够？比如我们遇到制裁禁令会变得很被动，也难以牵动国际产业链帮助进行脱困。
马佐平：契合度比较低。最主要是你可以给人家什么，人家跟你合作，人家能得到什么，我们要得到什么，需要互利的基础，都是很现实的问题。
中国有一个很大的利基就是市场非常大，中国市场已占到全球集成电路市场的近乎一半。此外中国的扶持政策、财力、建厂土地等都具备很大的吸引力，还有一方面，中国近年来培养出来的工程师人才，是美国的好几倍，这些都是非常大的优势所在，怎样利用好这些资源互利，不要老是去对抗。
我们可以集中所有的力量去干一件大事，刚好那个东西不是那么复杂，但现在对于芯片产业来讲，完全不是这个样子，太复杂了。比如一台光刻机就有几十万个零件，其中比较精密的材料来自很多发达国家，荷兰的 ASML 可以把它整合起来，但是里面的关键元件和技术有一大部分是美国提供的，所以美国可以通过一些手段卡住它对中国的供应。
我知道很多地方领导希望看到有实体的东西，比如盖大楼、建厂房、买设备，有一个实体东西在那就安心了，但是这不解决核心问题。
DeepTech：怎么解决你说的核心问题？
马佐平：这需要看一个芯片项目具体的性质，是要做什么事情，但最重要的是人，没有靠谱的人才团队，大楼盖起来，机器买来也没有用。人才为什么会去？他需要知道很明晰且有力的规划，将来能切实落实。据我所知，弘芯就曾计划从台积电高价挖来一些人，给他们开出 3 倍高的薪水，但是呢，单纯为钱而来的人并不一定是最好的人才。
至少要把人才稳住，之后要扩建什么当然是无可厚非的，不能本末倒置。
弘芯项目当前的处境非常可惜，据我了解，蒋尚义已经寻找到了 50 多个得力干将，因为在芯片业界有一个规则，不能从同业竞争公司之中挖来骨干马上雇佣，这期间至少要 “周转” 一年时间， 但是真的有几个厉害人，因为信任他，所以愿意跟着他。
如果没有太多意外和干扰，我相信他带领团队真的可以做成弘芯，而且可能不需要太多年，就能越过 14 纳米工艺，实现 7 纳米乃至更高的水平，因为蒋尚义在台积电就曾领导过 7 纳米工艺的研发突破。
遗憾的是，没人出面将弘芯的局面稳住，就看着它垮掉，这些人才如果都散掉了，不仅前面的钱白花了，重要的是接下来再想攻克 7 纳米工艺谈何容易，再试图从台积电等大厂挖核心人才也会被盯得更紧了。
DeepTech：芯片烂尾潮之外，最近半导体行业还有哪些现象显示出了不好的征兆？
马佐平：我看到了很多中国公司在报道里说开发出了第三代半导体，所谓的第三代半导体，好像很先进，其他的都是一代、二代，我们有了第三代芯片不是更先进吗？其实要我来说，不是第三代，只不过是 “第三类” 半导体，可以局部用到一些大功率、 汽车 、高温设备等细分领域。
还有很多人大谈摩尔定律失效。摩尔定律有狭义与广义之分，狭义的摩尔定律就是把芯片微器件不断缩小，肯定是快到尽头了，比如说台积电 5 纳米，再下一个阶段 3 纳米，最多 1.5 纳米，能够分布几百亿个晶体管等等，但我认为广义的摩尔定律才刚刚开始，很多业内人士也赞同这个说法。
芯片不只是平面的，工程师可以堆叠好几层乃至几十层，新的制造封装工艺在台积电已经在不断突破，而且预期很快会变成主流，就是广义的摩尔定律还不会失效，可以想象一下如果一层有几百亿个晶体管，像盖高楼一样构建几层乃至几十层会有怎样的性能，芯片纳米工艺到极限之后，可把它立体化，用三维的方法重新定义。
DeepTech：我还看到不少光电芯片、乃至碳基芯片可能要取代硅基芯片的说法。
马佐平：光电芯片当然在某些方面可以有很好的应用，而所谓的碳基也好，比如石墨烯或者纳米碳管的炒作，这些是不可能取代硅芯片的，尤其是石墨烯领域的报道很多是在乱讲，它能够做导体，但你要做到硅基晶体管的水平是完全不对的，用碳基取代硅基有些痴人说梦。
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