杂质和缺陷对半导体电性能产生影响的机理是什么

施主和受主杂质可以提供载流子，增大电导率；非施主和受主杂质往往会产生复合中心，减短非平衡载流子寿命；缺陷一般是产生复合中心。各种杂质和缺陷都对载流子都有散射作用，使迁移率降低，降低电导率。

主要影响是自由电子和空穴数量的精确控制。简单说，杂质越多，说明物理材料中的自由电子和空穴精确控制就越差，差可以导致物理指标下降：杂散电流随环境温度增加而增加；PN结的耐压程度和温度系数变劣。

扩展资料：

掺入半导体中的一类杂质或缺陷，它能接受半导体中的价带电子，产生同数量的空穴，从而改变半导体的导电性能.例如，掺入半导体锗和硅中的三价元素硼、镓等原子都是受主.如果某一半导体的杂质总量中，受主的数量占多数，则这半导体是P型半导体，这种杂质或缺陷叫做受主。

半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(Donor)杂质，相应能级称为施主能级，位于禁带上方靠近导带底附近。

参考资料来源：百度百科-杂质半导体

半导体器件的特性和稳定性可靠性与半导体表面性质有很密切的关系。为了避免因环境和其他外界因素对器件的影响，除了将芯片封入一个特制的气密性很好的外壳外，还需要在芯片表面覆盖一层保护膜。这种形成表面保护膜和为克服表面缺陷而采用的工艺统称为表面钝化工艺。

钝化，除了通常意义上的“保护”作用外，还有着明确的特定的微电子学物理意义，这就是钝化层对以Na+为代表的可动电荷有着阻挡、固定和提取的作用。

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