pn结内建电势差公式

pn结的内建电势差计算公式为

第一种形式：

VD=kT/q*ln(nno*ppo/n²i) ①

VD 内建电位差

T 绝对温度值

q 电子电荷量绝对值

nno n型半导体电子浓度

ppo p型半导体空穴浓度

ni 本征半导体电子浓度

第二种形式：

VD=kT/q*ln(ND*NA/n²i) ②

ND 施主杂质浓度

NA 受主杂质浓度

第三种形式：

VD=kT/q*ln(ppo/pno) ③

VD=kT/q*ln(nno/npo) ④

pno n型半导体空穴浓度

npo p型半导体电子浓度

从上述计算公式可以看出与内建电位差相关的因素。

锗型半导体的内建电位差约为0.2~0.3伏；硅型半导体的内建电位差约为0.6~0.8伏。

电势差的公式Uab＝φa－φb。

电场中某点的电荷的电势能跟它的电量的比值，叫做这点电势。

U=E/q，其中U表示电势，E表示电势能，q表示电荷量。

电势能E=W=Uq，电势差的公式Uab＝φa－φb。

a、b两点的电势差等于a的电势和b的电势的差值。

如何求电势差：

电势差是指电场中两点之间电势的差值，也叫电压，用字母U表示。

在国际单位制中，电势差的单位是伏特，简称为伏，符号是V。

1库电荷从电场中的一点移动到另一点，如果电场力做了1焦耳的功，这两点间的电势差就是1伏。

Uab=φa－φb。

电荷q在电场中由一点A移动到另一点B时，电场力所做的功与电荷量的比值叫做A、B两点的电势差。

关系式为：Uab=Wab/q。

电势差  U=E/q。

电势能E=W=Uq。

电势差Uab＝φa－φb。a、b两点的电势差等于a的电势和b的电势的差值。

电势差定义：电荷在电场中，由一点A移到另一点B时，电场力做功与移动电荷的电荷量的比值。

电势差与电势的关系：UAB＝φA－φB，UAB＝－UBA。

影响因素：

电势差UAB由电场本身的性质决定，与移动的电荷q及电场力做的功WAB无关，与零电势点的选取无关。

运用类比值定义的方法，得到电势差的公式，让学生理解电势差是描述电场的能的性质的物理量，理解电势差与零点电势面位置的选取无关，熟练应用其概念及定义式进行相关的计算。

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