N型半导体本身是带负电还是电中性的？

半导体内还有不可移动的电荷，比如带正电的原子核，这样就能与N型半导体的多数载流子是电子平衡，维持电中性条件了；在杂质半导体中， 正负电荷数是相等的，它们的作用相互抵消，因此保持电中性。

半导体是中性物。在激发态才是P型半导体，也叫空穴半导体，在硅中掺杂了3价的铝元素，与周围硅4价形成共价结合，缺一个电子，形成空穴。这样是相当于带正电的粒子。

N型半导体，也叫电子半导体，在硅中掺杂5价磷，和硅4价，结合共价后，多一个自由电子。当PN结组合形成二极管结构，就利用PN结的特性。

扩展资料：

n型半导体是里面加了一些带自由电子的原子参杂，是稳态的，这些电子虽然比空穴多，但是受核子的束缚。

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

参考资料来源：百度百科-N型半导体

首先得知道

N型半导体，指带富余电子的半导体，

P型半导体指带富余空穴的半导体。

电子带负电荷，相应的空穴就是带正电荷。

如果N型半导体串联在电路里面，它的带电粒子就是电子，电子就会往电路里面高压（高压就相当于正电荷）的一方移动，就会形成完整电路，

P型半导体正好相反，空穴能吸收电子，就相当于空穴往低压一方移动。

在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。

由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。

开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。

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