Sic电驱动系统能给新能源汽车市场带来哪些变化呢？

随着电气化时代的到来，汽车界也掀起了一场极大的变革。而随着新能源车型技术成熟度越来越高，轻量化，小型化，高效化也成为了电力驱动系统最主要的研究和发展方向。而SiC芯片的出现也引发了广泛的关注，国内外厂商纷纷开始抢先布局和研发。那么这种SiC芯片究竟有何神奇之处，又能给新能源汽车市场带来怎样的变化呢？

首先，SiC是一种复合半导体材料，主要用于电子领域，可以实现电力的转换和控制作用。并且由于SiC能够承受更大的击穿场强并且导热系数更高，所以也被广泛的应用在高压电子领域，例如电源，逆变器等。而如果将这种材料巧妙的应用在电动汽车充电装置当中，就能够生产出强度更高，更耐高压的电驱系统了。

其次，当汽车电控系统采用这种芯片之后，由于其导热系数较高，在电能转化与控制过程当中，可以减少大约50%以上的热损耗，极大的提高了电子元件的能量使用效率，使汽车动力更加充足，续航里程也能够得到大幅的提升。而根据相关的研究表明，采用了这种芯片的新能源车型单次充电续航里程大约可以提升6%左右。

最后，虽然SiC芯片存在着很多的优势，但是其生产成本较高，这也在一定程度上限制了它的发展。厂商们想要通过这种芯片替换掉原来的电动机驱动器来减少驱动器损耗，在保持续航里程不变的情况下缩减电池容量进而降低生产成本。但如果不能生产更加便宜的SiC芯片，缩小电池尺寸和容量也就无法弥补其高昂的成本了。因此目前很多汽车厂商考虑将这种芯片首先应用在车载充电器以及充电站上，这样就可以弥补其成本高的劣势了。

综上来看，SiC芯片在电动汽车领域还是有着很大发展潜力的，如果供应商能够降低生产成本，那么SiC功率半导体将会引发又一轮新能源汽车革命。

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（运营人员：博洋）

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1.第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料。作为第一代半导体材料的锗和硅，在国际信息产业技术中的各类分立器件和应用极为普遍的集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应用，硅芯片在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。

2.第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体（又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

3.第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。在应用方面，根据第三代半导体的发展情况，其主要应用为半导体照明、电力电子器件、激光器和探测器、以及其他4个领域，每个领域产业成熟度各不相同。在前沿研究领域，宽禁带半导体还处于实验室研发阶段。

扩展资料

Si和化合物半导体是两种互补的材料，化合物的某些性能优点弥补了Si晶体的缺点，而Si晶体的生产工艺又明显的有不可取代的优势，且两者在应用领域都有一定的局限性，因此在半导体的应用上常常采用兼容手段将这二者兼容，取各自的优点，从而生产出符合更高要求的产品，如高可靠、高速度的国防军事产品。因此第一、二代是一种长期共同的状态。

但是第三代宽禁带半导体材料，可以被广泛应用在各个领域，消费电子、照明、新能源汽车、导d、卫星等，且具备众多的优良性能可突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，故被市场看好的同时，随着技术的发展有望全面取代第一、二代半导体材料。

参考资料百度百科——半导体材料

新能源 汽车 、轨道交通、5G技术、智能电网等产业的快速发展，提高了电子技术对高温、高功率、高压、高频的器件需求，第三代半导体应运而生。目前，全球半导体材料以领先国内更新的速度完成了第三代半导体的研发以及部分应用。碳化硅材料是迄今发展最成熟的第三代半导体的核心，与氮化镓、金刚石、氧化锌共同组成新一代半导体材料。

01

行业应用及前景

与传统的第一代、第二代半导体材料硅和砷化镓相比，碳化硅具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能，可以满足电机、功能转化器的小型化需求，提高新能源发电、电力传输的能量传导率，得以实现在智能电网、新能源电动 汽车 、轨道交通、工业电机上的广泛应用，成为半导体领域的热点。主要西方国家均制定了相应的发展规划，电子产业巨头也都投入巨资进行技术转化。

第三代半导体正引起一场清洁能源和电子技术的重大革命。电动车行业领导企业特斯拉在Model 3电动车中，将碳化硅MOSFET器件用在 汽车 主驱动控制器上，以达到降低传导和开关损耗的目标，从而延长续航里程。在特斯拉的认证和产品大势推广的基础上，可以预见整车企业会越来越多的在功率模块中采用碳化硅器件。根据IHS Markit预测，碳化硅半导体的市场规模将以平均每年25%的增速发展到2026年超过50亿美元。其中，JBS和MOSFET芯片作为碳化硅应用的主流产品，占据碳化硅市场约70%的份额。

02

产业链介绍

碳化硅产业链包括上游的衬底和外延环节、中游的器件和模块环节，以及下游的应用环节。与硅基集成电路的制造类似，碳化硅器件的生产也有IDM和Fabless模式两种，当前以IDM模式为主。

作为典型的资本密集型和技术密集型产业，西方国家已对碳化硅持续投资超过30年。当前，西方企业掌握产业话语权，呈现美日欧三足鼎立态势。其中美国占据全球碳化硅产量的70%以上，典型公司为Cree公司、II-VI公司，Cree公司占据领跑者的位置；欧洲企业拥有完整的衬底、外延、器件以及应用产业链，典型公司为英飞凌、意法半导体等；日本企业在设备和模块开发方面具备优势，典型企业为罗姆半导体、三菱电机等。

尽管我国企业起步相对较晚，但在多个领域已经有所布局。衬底方面有中天科合达、山东天岳，外延片方面有瀚天天成、东莞天域，器件方面有中电科55所、基本半导体等。

03

投资机会分析

碳化硅对于我国工业发展有重大战略意义，从传统的国家供电系统、新能源逆变器到近年快速崛起的新能源 汽车 ，再到用于军事与航天航空的精密器件，都有碳化硅器件的用武之地，蕴含着巨大的市场机会。

相对国际先进企业，我国碳化硅企业在材料研发、芯片设计、芯片制造和下游应用能力尚有较大差距。尽管如此，碳化硅产业格局尚未形成，且我国作为碳化硅下游的最大市场，随着制备技术的进步、需求拉动叠加成本降低，我们认为碳化硅的市场空间和进口替代需求必将打开，投资机会将不断涌现。

近期，华为通过旗下的哈勃 科技 投资有限公司投资了山东天岳公司，占股10%，上市公司天通股份、露笑 科技 、扬杰 科技 、三安光电均涉足了碳化硅项目。中咨华盖把握行业发展趋势，拟与下游产业龙头合作，投资一家具备碳化硅材料加工制造能力及新一代器件设计工艺标的，以促进碳化硅产业在中国的发展。

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