
N和P是英文缩写!不是结构!
N:Negative(消极,负的)
P:Positive(积极,正的)
N型半导体中有很多的自由电子,空穴没有那么多。所以在导电时参与导电的主要是呈现负电的自由电子,一般是掺入V族的磷,砷,锑等施主杂质,增强导电性能;
P型半导体中有很多的空穴,自由电子没有那么多。所以在导电时参与导电的主要是呈现正电的空穴,一般是掺入III族的硼,铟等受主杂质,增强导电性能。
您给的例图,一边P的那边掺了硼(B),N的那边掺了磷(P)
锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体,它们的导电能力介于导体和绝缘体之间,叫做半导体。把一块半导体的一边制成P型区,另一边制成N型区,则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层,一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用(用黑色箭头表示)。中间部分为PN结的形成过程,示意载流子的扩散作用大于漂移作用(用蓝色箭头表示,红色箭头表示内建电场的方向)。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。
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