改变半导体局部导电性的重要方法？

改变半导体局部导电性的重要方法主要有以下几种：

掺杂：在半导体材料中掺入不同的杂质原子，可以改变材料的导电性质。掺入五价元素（如磷、砷等）可以形成N型半导体，掺入三价元素（如硼、铝等）可以形成P型半导体。

离子注入：通过离子注入技术，在半导体表面形成高能离子轰击区域，使局部区域的导电性质发生改变。离子注入通常用于制作集成电路器件的精细控制区域。

光刻技术：利用光刻技术在半导体表面覆盖一层光刻胶，并在胶面上利用投影机将芯片上的图形投影到光刻胶上，最后在芯片表面暴露出光刻胶中未被覆盖的部分。通过这种方式，可以在芯片表面形成精细的图形结构，进而改变半导体的局部导电性。

聚焦离子束（FIB）技术：FIB技术利用高能离子束在半导体表面进行刻蚀和刻划，可以制作出微米级别的半导体器件结构。通过这种方法可以在半导体表面形成局部结构，进而改变局部区域的导电性质。

这些方法通常用于半导体器件的制造和修饰，可以在半导体表面形成精细的结构和控制区域，对于半导体器件的性能和功能的提升非常重要。

n型半导体才用自由电子导电，p型半导体用的是空穴，不是自由电子。

自由电子是导带中的电子，可以自由移动。

而空穴靠的是价带中的电子，价带中的电子都是成键的，只能电子填补空穴后，这样置换着移动，不能自由移动，不是自由电子。

所以n型半导体的电子迁移率比p型的快

p型半导体的电导率随温度升高而升高。温度升高，受主电子跃迁，电导率升高，当受主电子耗尽时，此时温度不够高，不足以产生明显数量的本征电子和空穴，此时电导率近乎不变，温度达到一定时，本征电子和空穴数量明显增多，导电率进一步升高

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