表面贴装式封装
表面贴装则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有：晶体管外形(D-PAK)、小外形晶体管(SOT)、小外形封装(SOP)、方形扁平式封装(QFP)、塑封有引线芯片载体(PLCC)等。
插入式封装
插入式就是MOSFET的管脚穿过 PCB的安装孔焊接在PCB上。随着技术的发展，目前主板、显卡等的PCB板采用直插式封装方式的越来越少，更多地选用了表面贴装式封装方式。
1、双列直插式封装(DIP)
DIP封装有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上，其派生方式为SDIP(Shrink DIP)，即紧缩双入线封装，较DIP的针脚密度高6倍。
DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP、单层陶瓷双列直插式DIP、引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式、塑料包封结构式、陶瓷低熔玻璃封装式)等。DIP封装的特点是可以很方便地实现PCB板的穿孔焊接，和主板有很好的兼容性。
但由于其封装面积和厚度都比较大，而且引脚在插拔过程中很容易被损坏，可靠性较差同时由于受工艺的影响，引脚一般都不超过100个，因此在电子产业高度集成化过程中，DIP封装逐渐退出了历史舞台。
2、晶体管外形封装(TO)
属于早期的封装规格，例如TO-3P、TO-247、TO-92、TO-92L、TO-220、TO-220F、TO-251等都是插入式封装设计。
TO-3P/247：是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点。
TO-220/220F：TO-220F是全塑封装，装到散热器上时不必加绝缘垫TO-220带金属片与中间脚相连，装散热器时要加绝缘垫。这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用。
TO-251：该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积，主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。
TO-92：该封装只有低压MOS管(电流10A以下、耐压值60V以下)和高压1N60/65在采用，目的是降低成本。
近年来，由于插入式封装工艺焊接成本高、散热性能也不如贴片式产品，使得表面贴装市场需求量不断增大，也使得TO封装发展到表面贴装式封装。TO-252(又称之为D-PAK)和TO-263(D2PAK)就是表面贴装封装。
TO封装产品外观
TO252/D-PAK是一种塑封贴片封装，常用于功率晶体管、稳压芯片的封装，是目前主流封装之一。
采用该封装方式的MOSFET有3个电极，栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。
其中漏极(D)的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于输出大电流，一方面通过PCB散热所以PCB的D-PAK焊盘有三处，漏极(D)焊盘较大。其封装规范如下：
TO-252/D-PAK封装尺寸规格
TO-263是TO-220的一个变种，主要是为了提高生产效率和散热而设计，支持极高的电流和电压，在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。
除了D2PAK(TO-263AB)之外，还包括TO263-2、TO263-3、TO263-5、TO263-7等样式，与TO-263为从属关系，主要是引出脚数量和距离不同。
TO-263/D2PAK封装尺寸规格
3、插针网格阵列封装(PGA)
PGA(Pin Grid Array Package)芯片内外有多个方阵形的插针，每个方阵形插针沿芯片的四周间隔一定距离排列，根据管脚数目的多少，可以围成2～5圈。安装时，将芯片插入专门的PGA插座即可，具有插拔方便且可靠性高的优势，能适应更高的频率。
其芯片基板多数为陶瓷材质，也有部分采用特制的塑料树脂来做基板，在工艺上，引脚中心距通常为2.54mm，引脚数从64到447不等。
这种封装的特点是，封装面积(体积)越小，能够承受的功耗(性能)就越低，反之则越高。这种封装形式芯片在早期比较多见，且多用于CPU等大功耗产品的封装，如英特尔的80486、Pentium均采用此封装样式不大为MOS管厂家所采纳。
4、小外形晶体管封装(SOT)
SOT(Small Out-Line Transistor)是贴片型小功率晶体管封装，主要有SOT23、SOT89、SOT143、SOT25(即SOT23-5)等，又衍生出SOT323、SOT363/SOT26(即SOT23-6)等类型，体积比TO封装小。
SOT封装类型
SOT23是常用的三极管封装形式，有3条翼形引脚，分别为集电极、发射极和基极，分别列于元件长边两侧，其中，发射极和基极在同一侧，常见于小功率晶体管、场效应管和带电阻网络的复合晶体管，强度好，但可焊性差，外形如下图(a)所示。
SOT89具有3条短引脚，分布在晶体管的一侧，另外一侧为金属散热片，与基极相连，以增加散热能力，常见于硅功率表面组装晶体管，适用于较高功率的场合，外形如下图(b)所示。
SOT143具有4条翼形短引脚，从两侧引出，引脚中宽度偏大的一端为集电极，这类封装常见于高频晶体管，外形如下图(c)所示。
SOT252属于大功率晶体管，3条引脚从一侧引出，中间一条引脚较短，为集电极，与另一端较大的引脚相连，该引脚为散热作用的铜片。
5、小外形封装(SOP)
SOP(Small Out-Line Package)是表面贴装型封装之一，也称之为SOL或DFP，引脚从封装两侧引出呈海鸥翼状(L字形)。材料有塑料和陶瓷两种。
SOP封装标准有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等，SOP后面的数字表示引脚数。MOSFET的SOP封装多数采用SOP-8规格，业界往往把“P”省略，简写为SO(Small Out-Line)。
SOP-8封装尺寸
SO-8为PHILIP公司率先开发，采用塑料封装，没有散热底板，散热不良，一般用于小功率MOSFET。
后逐渐派生出TSOP(薄小外形封装)、VSOP(甚小外形封装)、SSOP(缩小型SOP)、TSSOP(薄的缩小型SOP)等标准规格其中TSOP和TSSOP常用于MOSFET封装。
常用于MOS管的SOP派生规格
6、方形扁平式封装(QFP)
QFP(Plastic Quad Flat Package)封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般在大规模或超大型集成电路中采用，其引脚数一般在100个以上。
用这种形式封装的芯片必须采用SMT表面安装技术将芯片与主板焊接起来。该封装方式具有四大特点：
适用于SMD表面安装技术在PCB电路板上安装布线
适合高频使用
*** 作方便,可靠性高
芯片面积与封装面积之间的比值较小。
与PGA封装方式一样，该封装方式将芯片包裹在塑封体内，无法将芯片工作时产生的热量及时导出，制约了MOSFET性能的提升而且塑封本身增加了器件尺寸，不符合半导体向轻、薄、短、小方向发展的要求另外，此类封装方式是基于单颗芯片进行，存在生产效率低、封装成本高的问题。
因此，QFP更适于微处理器/门陈列等数字逻辑LSI电路采用，也适于VTR信号处理、音响信号处理等模拟LSI电路产品封装。
7、四边无引线扁平封装(QFN)
QFN(Quad Flat Non-leaded package)封装四边配置有电极接点，由于无引线，贴装表现出面积比QFP小、高度比QFP低的特点其中陶瓷QFN也称为LCC(Leadless Chip Carriers)，采用玻璃环氧树脂印刷基板基材的低成本塑料QFN则称为塑料LCC、PCLC、P-LCC等。
是一种焊盘尺寸小、体积小、以塑料作为密封材料的新兴表面贴装芯片封装技术。
QFN主要用于集成电路封装，MOSFET不会采用。不过因Intel提出整合驱动与MOSFET方案，而推出了采用QFN-56封装(“56”指芯片背面有56个连接Pin)的DrMOS。
需要说明的是，QFN封装与超薄小外形封装(TSSOP)具有相同的外引线配置，而其尺寸却比TSSOP的小62%。根据QFN建模数据，其热性能比TSSOP封装提高了55%，电性能(电感和电容)比TSSOP封装分别提高了60%和30%。最大的缺点则是返修难度高。
传统的分立式DC/DC降压开关电源无法满足对更高功耗密度的要求，也不能解决高开关频率下的寄生参数影响问题。
随着技术的革新与进步，把驱动器和MOSFET整合在一起，构建多芯片模块已经成为了现实，这种整合方式同时可以节省相当可观的空间从而提升功耗密度，通过对驱动器和MOS管的优化提高电能效率和优质DC电流，这就是整合驱动IC的DrMOS。
瑞萨第2代DrMOS
经过QFN-56无脚封装，让DrMOS热阻抗很低借助内部引线键合以及铜夹带设计，可最大程度减少外部PCB布线，从而降低电感和电阻。
另外，采用的深沟道硅(trench silicon)MOSFET工艺，还能显著降低传导、开关和栅极电荷损耗并能兼容多种控制器，可实现不同的工作模式，支持主动相变换模式APS(Auto Phase Switching)。
除了QFN封装外，双边扁平无引脚封装(DFN)也是一种新的电子封装工艺，在安森美的各种元器件中得到了广泛采用，与QFN相比，DFN少了两边的引出电极。
8、塑封有引线芯片载体(PLCC)
PLCC(Plastic Quad Flat Package)外形呈正方形，尺寸比DIP封装小得多，有32个引脚，四周都有管脚，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形，是塑料制品。
其引脚中心距1.27mm，引脚数从18到84不等，J形引脚不易变形，比QFP容易 *** 作，但焊接后的外观检查较为困难。PLCC封装适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，具有外形尺寸小、可靠性高的优点。
PLCC封装是比较常见，用于逻辑LSI、DLD(或程逻辑器件)等电路，主板BIOS常采用的这种封装形式，不过目前在MOS管中较少见。
一、MOS管封装
不同的封装尺寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率，需要考虑系统的散热条件和环境温度(如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素)，基本原则就是：在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。
常见的MOS管封装有：
①插入式封装：TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92②表面贴装式：TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3不同的封装形式，MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样，简单介绍如下。
1、TO-3P/247
TO247是比较常用的小外形封装，表面贴封装型之一，247是封装标准的序号。
TO-247封装与TO-3P封装都是3引脚输出的，里面的裸芯片(即电路图)是可以完全一样的，所以功能及性能基本一样，最多是散热及稳定性稍有影响TO247一般为非绝缘封装,TO-247的管子一般用在大功率的POWER中,用作开关管的话，它的耐压和电流会比较大一点是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点，适于中压大电流(电流10A以上、耐压值在100V以下)在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。
2、TO-220/220F
这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用，不过TO-220背部有散热片，其散热效果比TO-220F要好些，价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。
3、TO-251
该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积，主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。
4、TO-92
该封装只有低压MOS管(电流10A以下、耐压值60V以下)和高压1N60/65在采用，主要是为了降低成本。
5、TO-263
是TO-220的一个变种，主要是为了提高生产效率和散热而设计，支持极高的电流和电压，在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。
6、TO-252
是目前主流封装之一，适用于高压在7N以下、中压在70A以下环境中。
STD2NK100Z 的参数
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1 kV
Id-连续漏极电流: 1.85 A
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 16 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 70 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
高度: 2.4 mm
长度: 6.6 mm
系列: STD2NK100Z
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
宽度: 6.2 mm
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值: 2.4 S
下降时间: 32.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 6.5 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 41.5 ns
典型接通延迟时间: 7.2 ns
单位重量: 4 g
1、各行业应用较多的是TO-220F（塑封），TO-220AB（铁封），TO-3P，TO-247。2、因为芯片大小关系，电流小的一般用TO-220，而电流较大会用TO-247的。
3、而某些物料基本都用一个封装的，比如FMH9N90用TO-3P的为主，FGW40N120HC用TO-247为主，FMV20N60和FMW20N60S1用TO-220和TO-247都有，FMW47N60S1用TO-247。
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