电源二极管PN结，扩散运动与漂移运动的区别

1、概述不同：

扩散运动（指的是扩散电流的运动）的概述：化学中的扩散电流是指在极谱分析中由溶液本体扩散到电极表面的金属离子所形成的电流。而溶液中离子的扩散速率有极大值，当扩散速率达到最大时所形成的电流就称为极限扩散电流。

漂移运动（指的是漂移电流的运动）的特点：在凝聚体物理学和电化学中，漂移电流是在施加电场下载流子定向运动产生的电流。当电场加在半导体材料上时，载流子流动产生电流。漂移速度是指漂移电流中载流子运动的平均速度。

2、作用不同：

扩散运动（指的是扩散电流的运动）的作用：针对扩散电容来说，PN结反向偏置时电阻大，扩散电容小，主要为势垒电容。正向偏置时，电容大，取决于扩散电容，电阻小。频率越高，电容效应越显著。在集成电路中，一般利用PN结的势垒电容，即让PN结反偏，只是改变电压的大小，而不改变极性。

漂移运动（指的是漂移电流的运动）的作用：正向电压增加时，N区将有更多的电子扩散到P区，也就是P区中的少子，电子浓度、浓度梯度增加。同理，正向电压增加时，N区中的少子---空穴的浓度、浓度梯度也要增加。相反，正向电压降低时，少子浓度就要减少。从而表现了电容的特性。

扩展资料

扩散运动公式表达式为：

式中id为平均极限扩散电流(单位μA)，代表汞滴上从形成至降落过程中的平均电流，n为电极反应中电子的转移数，D为电极上起反应的物质在溶液中的扩散系数(单位是cm/s)，m为汞的流速(单位mg/s)，t为汞滴的周期(单位S)，C为电极上起反应物质的浓度(单位mmol/L)。

这一公式反映了影响扩散电流主要因素，当控制这些影响因素使之恒定时，则扩散电流id与待测物质的浓度成正比，即id=KC，是极谱定量的依据

最基础的PN结理论，呵呵，建议阅读《半导体物理学》刘恩科版

1

PN结加正向电压：

扩散电流>漂移电流

2

PN结加反偏电压：

扩散电流<漂移电流

3

PN结零偏

（即不加电压）：这就是热平衡态的PN结，扩散电流=漂移电流

以下内容可以帮助你理解哈，我写得很详细很通俗的：

扩散电流是什么的扩散？

是多数载流子的扩散运动（因为多数载流子在PN结两侧有巨大的浓度差，即浓度梯度）

漂移电流是什么的漂移？少数载流子受电场力的漂移运动。（这个内建电场是耗尽区空间电荷形成的，方向是

从N区指向P区）

不加任何外电压时，PN结处于平衡态，内建电场的作用（从内建电场的方向可以知道，是阻碍多子扩散，利于少子漂移），使得两种运动趋势相等，因此刚好总的净的电流为零。

（所以才说，这是一个动态平衡状态。）

外加电压，正偏

或

反偏，都是打破了原有的这种平衡。

1、正偏的时候，外加电压产生的电场与内建电场相反，抵消一部分内建电场（前面说了，内建电场方向是不利于多子扩散的，现在外加电压削弱一部分内建电场，所以多子扩散受到的阻力减小了），从而数量巨大的多子，向对方区域相互扩散，产生明显的扩散电流

2、反偏的时候，外加电压产生的电场与内建电场方向相同，因此扩散受到更强烈的抑制，反之漂移得到加强，漂移运动>扩散运动，但是（关键是）少数载流子数目很少很少（少了n个数量级呢），因此漂移电流还是非常的小。

因此，PN结正偏时候电流大，反偏时候电流小（小到几乎可以认为电流是零），这才是PN结单向导电性的本质！

希望我的回答对你有所帮助

，一字一句都是原创，呵呵，望采纳

这个就是你对动态平衡的理解了。

1、热平衡时，扩散电流与漂移电流确实相等，这种平衡是一种动态平衡。也就是载流子的激发，复合依旧在持续，只是激发和复合的量是相等的。

2、此时，如果外界有光照（注意，光照相当于外界给以半导体的一种能量，这种能量会影响载流子的运动，并在运动中不断损耗，能量损耗完了，平衡就重新获得了。同样的，加热也是外界给以能量。），就相当于给了原来一个已经平衡的系统一个扰动，对于系统而言，只要时间足够长，可以重新获得平衡，但在平衡获得之前，未必有扩散电流等于漂移电流的条件。

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