半导体材料专家梁骏吾院士逝世，他都取得过哪些成就？

发布讣告

根据媒体的报道来看，在2022年6月23日的时候，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世，享年89岁。消息一出，梁骏吾院士生前的同事朋友以及一众网友们纷纷在社交平台上表示哀悼，说为我国曾有这样一位伟大的半导体材料专家而感到骄傲与自豪，为他的离开而感到遗憾。

科研成就

梁骏吾于1955年从武汉大学物理专业毕业后，前往前苏联留学并获得了副博士的学位后，回国担任了中国科学院半导体研究所副室主任，后一直在为高纯硅研制工作而努力，并获得了1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖，由他研制的硅无坩埚区熔提纯设备获了1964年国家科委全国新产品二等奖。在1965年的时候他首次研制成功了中国国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料，为后续的发展奠定了坚实的基础。在20世纪80年代的时候他首创了掺氮中子嬗变区熔硅单晶，获得了1988年中科院科技进步一等奖，完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。

多项荣誉

纵观梁骏吾院士的一生，可以看到他为我国的半导体材料的研制和发展付出了毕生的精力和心血，在他从事半导体材料科学研究工作这六十多年里面，他获得了多项荣誉，如1992年的时候获得了国家级有突出贡献中青年专家称号，在1997年的时候被评为中国工程院院士，先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次，国家科技进步三等奖1次、中科院重大成果和科技进步一等奖3次、二等奖4次，上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。

西安电子科技大学教授郝跃和他带领的宽禁带半导体技术科研团队，依托宽带隙半导体技术国家重点学科实验室，开展宽禁带半导体材料与器件的应用基础研究，实验室已成为国内外宽禁带半导体材料和器件的科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地，是西安电子科技大学微电子学与固体电子学国家重点学科、“211工程”重点建设学科和国家集成电路人才培养基地的重要支撑。

敏锐洞察微电子前沿

上世纪，信息科学技术蓬勃兴起，作为信息时代技术基础的集成电路——微电子技术成为大热门。彼时，在微电子领域已崭露头角的郝跃却敏锐地感觉到，传统的微电子技术研究已经遇到了问题。

以硅为半导体材料的集成电路技术基础研究成为关注的核心。一方面，随着集成电路的集成度每18个月翻一番，使半导体器件和材料基础研究高度依赖于工艺条件，高校的优势慢慢丧失；另一方面，随着相关技术产业化和行业市场的迅猛发展，集成电路技术的开发应用已迅速成为企业的天下，高校乃至研究院所都很难成为主导力量。

寻找新的方向，是学术带头人郝跃直觉到的内在要求。他把目光转向化合物半导体，并最终聚焦到国际上刚起步的宽禁带半导体材料——氮化镓、碳化硅。他看到，宽禁带半导体材料研究可以把电子学与光学紧密结合，必然具备单纯的电子学或光学不具备的优势，同时也有很高的学术和应用价值，容易形成先发优势。

2000年前后，郝跃到美国进行学术交流，他留心考察了美国相关研究的最新动态，发现他们的氮化物宽禁带半导体材料研究也还处于起步阶段。这更加坚定了他的决心。回国后，他毅然宣布，全面转向新的研究方向，宽禁带半导体材料与器件。

据实验室的青年教师马佩军回忆说，这无异于一颗重磅炸d，在学院里引起了不小的震动，很多人都无法理解。当时作为郝跃老师的博士研究生，马佩军也觉得非常突然和吃惊。宽禁带半导体是个新鲜事物，没有人能预料它的发展前景。一没有研究基础，二没有经费支持，在马佩军看来，这一新的未知领域充满风险。

尽管争议很大，但是郝跃非常坚决。没有经费筹措经费，没有条件就创造条件，举全力投入。同事和学生们都感叹，郝老师胆识过人，决策果断，他看准的事情绝不拖泥带水。

短短几年的时间就已证明，当初郝跃带领他的团队爬上的这座山头是个宝藏。氮化镓、碳化硅化合物半导体材料，也就是宽禁带半导体材料，很快被定义为“第三代”半导体电子材料，它翻开了世界微电子学科和微电子产业全新的一页。

自主搭建创新平台

刚开始关于宽禁带半导体材料氮化镓的研究，摆在郝跃面前最大的问题是没有材料生长设备。引进一套设备，当时需要700万元到800万元。然而由于没有研究基础，还不能申请国家的经费支持。

怎么办？郝跃决定不等不靠，自己搭建一套设备。他从手中的项目经费中挤出部分经费，又自己垫资，东拼西凑，终于凑到200万元，由此开始了自主研发并搭建材料研制平台的艰苦历程。

用这200万元购买零部件，团队成员自己动手设计与搭建设备。万事开头难，郝跃鼓励大家说，最痛苦的时候，也是最有希望的时候，等日子好过了，我们就要有危机感了。

2002年，在郝跃的领导和指导下，第一代MOCVD（有机化合物化学气相淀积）设备研制成功。当时毕业留校直接参与了设备研发的青年教师张进成，回忆起那段“带着学生从焊板子开始”的往事，感到更多的是成就感。这套后来被张进成笑称为“作坊”式的设备，满足了材料生长、表征、测试等最基本的研究需要，很快就生长出了具有国际先进水平的GaN（氮化镓）基外延材料。团队成功迈出了具有关键意义的第一步。

与此同时，全世界范围内，宽禁带半导体的时代很快到来了。学术界与产业界逐渐认识到，GaN电子器件是制造高功率微波毫米波器件的理想材料，在新一代无线通信、雷达与导航测控等航天、航空平台设备中，具有重大应用前景。只是GaN材料缺陷密度相对较高，这是长期制约GaN电子器件发展的瓶颈。

郝跃带领他的团队系统研究并揭示了GaN电子材料生长中缺陷形成的物理机理，独创性地提出了脉冲式分时输运方法、三维岛状生长与二维平面生长交替的冠状生长方法，显著抑制了缺陷产生。

正是基于这种创新生长方法的固化集成，团队成功建立第一代自主国产化的MOCVD系统和低缺陷材料生长工艺，并于2005年和2007年迅速更新为第二代和第三代，解决了高性能GaN电子材料生长的国际难题，推动了GaN材料生长技术与核心设备的应用。团队自主研发的MOCVD系统及关键技术已成功产业化，应用于GaN半导体微波器件和光电器件制造企业，已累计实现产值2.1亿元。他们自主制备的高性能GaN电子材料自2003年起批量应用于国内多家研究所与大学，以及日本、新加坡等国家的一些科研机构，被国际用户评价为“特性达到了国际前沿水平”。似乎就在朝夕之间，郝跃教授与他的团队一下拿出一批有显示度的成果，震动了整个微电子领域。

成果转化彰显价值

2002年，GaN高亮度蓝光LED器件在郝跃的实验室成功问世。这种新工艺具备传统发光器件不可比拟的节能等优越性。郝跃预测到该项成果巨大的市场潜力，着力推动技术转让与成果转化。

然而事情一开始并不十分顺利，显然这件新事物的价值还不为市场所认识，没有引起足够的重视。郝跃认为，再好的成果，如果“养在深闺人未识”，没有实现其应有的价值，就不能算最后的成功。不等不靠，郝跃决定主要依靠团队自己的力量，将这项成熟的技术尽快转化。

2005年，团队以少额技术股份转让该项成果，以实验室为技术依托，成立西安中为光电科技有限公司，成功实现了蓝绿、紫外LED的产业化。

此外，他们自主建立的国产化GaN微波毫米波功率器件填补了国内空白，打破了发达国家的技术封锁与禁运，已开始试用于多项雷达和测控国家重点工程，推动了我国宽禁带半导体电子器件的跨越发展和应用。

高质量的GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）材料外延片批量提供企业和研究所使用；微波功率器件已经开始用于国家重点工程；GaN的LED成果已经成为陕西省半导体照明的核心技术；微纳米器件可靠性技术对推动我国高可靠集成电路发展发挥了重要作用……随着多项成果应用于国家和国防重点工程，郝跃带领团队的研究工作得到了国内外的广泛关注，科研水平和学术地位不断提升。

在解决国家重大战略需求方面，团队注意到半导体器件可靠性一直是航天、航空等系统中突出的薄弱环节。美国阿里安火箭100多次发射中有过8次失利，其中7次都是由个别器件故障导致的。随着电子系统复杂度的日益提高，器件可靠性问题越来越突出，对我国更是如此。

郝跃多年来一直关注着这个技术难题。从上世纪末开始，团队在他的领导下系统研究了多种半导体器件的退化与失效机理，提出并建立了相应的模型，系统揭示了半导体器件退化与失效的物理本质。该项成果获得了1998年的国家科技进步奖三等奖。

早在2001年，团队首次提出并建立了高可靠性的自对准槽栅半导体器件结构与制造工艺，使器件可靠性提高近2个数量级，被评价为“槽栅器件是一个很有前途的结构，可改善热载流子效应，从而提高器件可靠性”。这项成果成功用于知名集成电路制造商——中芯国际公司高可靠集成电路大生产。该项成果还获得了2008年的国家科技进步奖二等奖。

“微电子不微”，这是郝跃常挂在嘴边的一句话。微电子技术是一个国家核心竞争力的体现，是国家综合国力的标志。他说，作为科研工作者，要承担起自己的使命。

面向未来，郝跃一方面密切关注着学科前沿此起彼伏的热点，一方面反思着团队持续发展中面临的一些自身的问题：数理基础要进一步巩固和加强，创新性思维有待进一步培育，科学的精神、激情与活力需要进一步激发……他似乎总有一种时不我待的紧迫感。

西安电子科技大学南校区一片美丽的草坪上，一座巨石巍然耸立，上书“四海同芯”四个大字雄浑苍劲，似乎诉说着西电微电子人的执著与奋斗，梦想与追求。

人事变动始终牵动着半导体产界人士的心。

2019 年是不平凡的一年，众多半导体巨头进行了高管调整，或宣布调整信息。下面一起回顾 2019 年半导体产业都经历了哪些重大人事变动。

SK 海力士

2018 年 12 月，SK 海力士公布营运长李锡熙晋升 CEO，原 CEO 朴星昱则转任 SK 集团 Supex 追求协议会 ICT 委员长，负责开拓 SK 集团未来技术与新成长动力。

现年 56 岁的李锡熙产学界经历完整，取得首尔大学无机材料硕士后，1990 年加入 SK 海力士前身现代电子成为研究员，此后又到美国求学，取得史丹佛大学材料博士学位，2000 年进入英特尔(Intel)就职。

任职英特尔 10 年时间，多次获颁最高荣誉的英特尔成就奖，2010 年在韩国科学技术院(KAIST)担任教授，2013 年重回 SK 海力士负责 DRAM 开发，2017 年晋升营运长成为半导体事业负责人。

英特尔

2019 年 1 月 31 日，英特尔宣布任命临时首席执行官罗伯特 - 斯旺(Robert Swan)为正式 CEO。这是英特尔 51 年来第七次任命首席执行官。

自 2018 年 6 月，首席执行官布莱恩 - 科再奇(Brian Krzanich)因违反公司政策与一名员工存在不正当关系而被解职，罗伯特 - 斯旺担任临时首席执行官至今已有 7 个月，他自 2016 年起担任首席财务官，并获选为公司董事会成员。

现任财务副总裁托德 - 安德伍德(Todd Underwood)将接任临时 CFO 一职，公司将寻找一名永久性 CFO。

Swan 拥有布法罗大学工商管理学士学位和宾厄姆顿大学工商管理硕士学位。他是 eBay 的董事会成员。1985 年在通用电气公司开始了他的职业生涯，持有各种高级财务他在那里工作了 15 年。在其职业生涯早期，斯旺担任电子数据系统公司和 TRW 公司的首席财务官，以及担任 Webvan Group Inc。 首席运营官兼首席执行官的首席财务官。2006 年加入 eBay Inc。 担任首席财务官，负责 eBay 财务职能的各个方面，包括管理，财务规划和分析，税务，财务，审计，兼并和收购，和投资者关系。2015 年加入 General Atlantic 担任运营合作伙伴，与公司的全球投资公司密切合作，共同实现增长目标。2016 年 10 月起担任英特尔公司的执行副总裁兼首席财务官(CFO)。他负责监督英特尔的全球金融组织，包括财务，会计和报告，税务，财务，内部审计和投资者关系，信息技术；和公司的企业战略办公室。2018 年 6 月 21 日被任命为英特尔公司的临时首席执行官。

利扬芯片

2019 年 2 月，张亦锋加入广东利扬芯片测试股份有限公司任公司首席执行官。

张亦锋，在西安电子 科技 大学通信工程学院应用电子技术专业获学士学位，复旦大学管理学院工商管理专业(MBA)毕业，研究生学历。2000 年 7 月至 2013 年 12 月，，任职于上海华虹 NEC 电子有限公司，先后在计划部、Foundry 事业部、业务发展部等部门担任资深主管工程师、主任、科长等职。2014 年 1 月至 2015 年 8 月任职于上海华虹宏力半导体制造有限公司，担任产品销售科科长。2015 年 8 月至 2015 年 12 月任职于武汉力源信息股份有限公司，担任 IC 事业部总监。2016 年 1 月至 2019 年 1 月，任职于珠海博雅 科技 有限公司，担任首席商务官、副总裁，兼任全资子公司四川泓芯 科技 有限公司总经理。

华虹集团

华虹半导体

2019 年 3 月 28 日，华虹集团对旗下制造平台进行了人事调整，宣布上海华力集成总经理唐均君接替王煜担任上市公司华虹半导体总裁一职(5 月 1 日正式接任)，希望发挥唐总在 12 英寸生产线的经验，以便更好的让华虹无锡基地的 12 英寸产线快速产生效益。

上海华力

华虹集团对旗下制造平台进行了人事调整，宣布上海华力微总裁雷海波兼任上海华力集成总裁，作为中国大陆培养的本土 12 英寸产线领头人，雷总现在要负责两个 12 英寸产线的运营。华力微在 2018 年实现首次年度盈利。

上海新升

2019 年 5 月 5 日，邱慈云出任上海新升 CEO。

邱慈云生于 1956 年，获得加州伯克利分校电气工程博士学位和哥伦比亚大学高级管理人员工商管理硕士学位。他早年曾在德国慕尼黑固体技术研究所 At&t 贝尔实验室和台积电工作。2001 年曾追随张汝京创办中芯国际；2005 年加入华虹 NEC 担任运营副总裁；2007 年加入马来西亚 Silterra 担任 COO；2009 年回到华虹 NEC 担任总裁兼 CEO；2011 年 8 月起，担任中芯国际 CEO，至 2017 年 5 月因个人原因请辞。

瑞萨电子

2019 年 6 月 26 日，瑞萨电子官方发布公告，现任 CEO 吴文精( Bunsei Kure)将于 2019 年 6 月 30 日辞去其代表董事、总裁兼 CEO，柴田英利(Hidetoshi Shibata)将成为为其代表董事，总裁兼 CEO，任命自 2019 年 7 月 1 日起生效。

吴文精下台的原因是瑞萨经营业绩欠佳。

芯思想研究院认为，瑞萨是日本半导体产业界的一朵奇葩，越整合则越虚弱。

武汉弘芯

2019 年 7 月 17 日，蒋尚义正式出任武汉弘芯总经理。

蒋尚义，1968 年在国立台湾大学获电子工程学学士学位，1970 年在普林斯顿大学获电子工程学硕士学位，1974 年在斯坦福大学获电子工程学博士学位。毕业后，蒋博士曾在德州仪器和惠普公司工作。1997 年回到台湾，任职台积电研发副总裁，是台积电掌管单一部门时间最久的人。2013 年任台积电共同首席执行副总和共同运营官。

在台积电期间，蒋尚义将研发团队从 120 人扩编至 2013 年的 7000 多人，年度研发经费更从 25 亿台币激增至 2013 年的 480 亿台币；曾参与研发 CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、SOS、SOI、GaAs 激光、LED、电子束光刻、矽基太阳能电池等项目；带领台积电自主研发，一路从 0.25 微米、0.18 微米、0.15 微米、0.13 微米、90 纳米、65 纳米走到 40 纳米世代，还参与了 28 纳米 HKMG 高介电金属闸极、16 纳米 FinFET 等关键节点的研发，使台积电的行业地位从技术跟随者发展为技术引领者。

华微电子

2019 年 7 月 9 日，首席执行官(CEO)聂嘉宏先生辞呈。

经公司董事长提名，董事会提名委员会审核，公司董事会同意聘任于胜东先生为首席执行官，任期自董事会通过之日起至本届董事会届满为止。

凯世通

2019 年 8 月，陈克禄接替陈烔(JIONG CHEN)担任凯世通总经理。

陈克禄，原上海浦东 科技 投资有限公司投资总监。

2015 年，上海浦东 科技 投资有限公司(以下简称“浦科投资”)入主万业企业，并于 2018 年成为其控股股东(持股 28.16%)，积极推动其战略转型。

万业企业将转型目标瞄准了集成电路装备及材料产业。2017 年，经董事会和股东大会审议通过，万业企业以 10 亿元自有资金认购上海半导体装备材料产业投资基金首期 20%份额，迈出了转型的第一步。

2018 年 7 月，万业企业启动收购上海凯世通半导体股份有限公司(以下简称“凯世通”)100%股权相关事宜，最终以 3.98 亿元的价格、以现金收购的方式，成功完成对凯世通 100%股权的收购。收购凯世通后，万业企业正式切入集成电路核心装备产业之一的离子注入机领域。

长电 科技

2019 年 9 月 9 日，长电 科技 发布公告称：董事会收到 LEE CHOON HEUNG(李春兴)先生请求辞去首席执行长(CEO)及第七届董事会董事职务的书面辞职书，经研究讨论公司董事会同意李春兴先生辞去首席执行长职务的请求。根据《公司章程》，李春兴先生辞去公司董事职务在书面辞职书送达董事会时已生效，其不再担任公司董事。辞去上述职务后，李春兴先生将继续担任公司首席技术长(CTO)职务，并继续致力于公司的发展。

根据长电 科技 董事长周子学先生提名，经董事会提名委员会审核，一致同意聘任郑力先生为公司首席执行长，同时提名郑力先生为公司第七届董事会非独立董事，任期自本次董事会聘任通过之日起至本届董事会任期届满。

郑力，男，1967 年 8 月出生，天津大学工业管理工程专业工学士，东京大学金融经济管理硕士。郑力在美国、日本、欧洲和中国国内的集成电路产业拥有超过 26 年的工作经验。曾任曾任恩智浦全球高级副总裁兼大中华区总裁；中芯国际全球市场高级副总裁，瑞萨电子大中华区 CEO，NEC 电子(后与日立公司和三菱公司的半导体部门合并为瑞萨电子)大中华区总裁，华虹国际有限公司副总裁，上海虹日国际电子有限公司总经理，日本东棉美国公司(现丰田通商美国公司)加州圣荷西分公司总经理，日本东棉公司总部(现日本丰田通商公司)电子信息系统本部担任产品开发经理、集成电路项目管理经理等职务。

安靠

2019 年 6 月，安靠中国区总裁周晓阳正式离职，10 月由曹持论接任。

周晓阳，西安人，1984 年本科毕业于西安交通大学半导体专业，1984 年至 1987 年在骊山微电子研究所师从黄敞老师，获得硕士学位；1987 年至 1993 年在西安 771 所工作，时任组合车间副主任；1993 年至 1997 年任职国家半导体上海公司工作；1997 年至 2007 年任职英特尔；2007 年至 2011 年任职星科金朋；2011 年至 2014 年在楼氏电子工作，曾任楼氏电子苏州和北京公司总经理；2014 年加入安靠，任中国区总裁及安靠封装测试(上海)有限公司总经理。

安靠中国区在周晓阳的带领下，创下了辉煌的业绩，公司已经成为中国大陆及安靠全球技术最先进、产能最大、发货量最大的 NAND 封测厂，为很多中国集成电路设计公司保驾护航。

在周晓阳带领下，2014-2018 年间，安靠上海年平均贡献税收约为 1 亿元人民币，并获得浦东“纳税突出贡献奖”；进出口额约 224 亿美元，连年获得浦东“贸易贡献奖”；此外，安靠上海名列中国十大封测企业、荣获市外资进出口百强、市外资吸收就业人数百强、市外资双优企业等奖项。

曹持论，2001 年 5 月加入安靠公司，曾担任安靠中国区副总裁及厂长职务。

芯聚能半导体

2019 年 11 月正式加入创业公司芯聚能半导体，接替王颖颖担任法人和总经理。

周晓阳，西安人，1984 年本科毕业于西安交通大学半导体专业，1984 年至 1987 年在骊山微电子研究所师从黄敞老师，获得硕士学位；1987 年至 1993 年在西安 771 所工作，时任组合车间副主任；1993 年至 1997 年任职国家半导体上海公司工作；1997 年至 2007 年任职英特尔；2007 年至 2011 年任职星科金朋；2011 年至 2014 年在楼氏电子工作，曾任楼氏电子苏州和北京公司总经理；2014 年加入安靠，任中国区总裁及安靠封装测试(上海)有限公司总经理。2019 年 6 月离开安靠。

北方华创

10 月 31 日，北方华创发布公告称，董事会于 2019 年 10 月 31 日收到公司副总经理张国铭先生提交的书面辞职报告，张国铭先生由于个人原因申请辞去公司副总经理职务，辞职后不在公司担任任何职务。

张国铭先生曾任北方华创 科技 集团股份有限公司高级副总裁、首席战略官，并兼任北京北方华创微电子装备有限公司董事、副总裁，北京七星华创流量计有限公司董事长，北京七星华创集成电路装备有限公司执行董事。曾任北京建中机器厂总工程师、副厂长，北京七星华创电子股份有限公司微电子设备分公司总经理，北京七星华创电子股份有限公司副总经理。

张国铭先生担任国家 02 科技 重大专项总体专家组专家、 科技 部“十三五”重点专项先进制造专家组专家、国家集成电路产业投资基金股份有限公司投资审核委员会委员、北京电子制造装备行业协会秘书长、国际 SEMI 协会全球董事会董事、SEMI 中国半导体设备及材料委员会主席等多种职务。

据悉，张国铭已经加盟华海清科。

来源: 与非网

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