中国锂电可以成功,为什么半导体不行

中国推动数字领域创新的首要举措之一是国际数字丝绸之路（DSR），它是“一带一路”倡议的组成部分。 通过 DSR，中国将拓展国外市场，确保国外供应商的持续供给，和进入海外消费市场，并建立信息和通信技术的技术标准。 如果成功，DSR 将为中国的经济创新提供稳定的需求， 这正是政府追求的目标。 然而，DSR 及其充满希望的创新取决于中国在硬件方面的成功。 尽管中国面临着国外的竞争，但中国经济创新的最大障碍是国内。 中国成为 5G 技术的领导者，但其创新水平落后于其他领域。 中国的主要创新挑战是缺乏高价值数字硬件的本土能力，尤其是半导体逻辑芯片。

2010-2020年，中国试图整合半导体产业，鼓励国内半导体企业共享研发，让外国减少出口管制，从国外获得高技能人才。然而，到 2022 年初，中国仍然没有设计或制造大量价值最高的半导体逻辑芯片（中国市场份额不到 1%，中国在全球市场中的份额不到 6%）。但这只是问题的一部分。两个最高价值的半导体逻辑芯片是中央处理单元 (CPU) 和图形处理单元 (GPU)。正如乔治卡尔霍恩所指出的，在这两个类别中，中国生产的芯片不仅质量低劣，而且缺乏竞争力，即使在中国也是如此。

制造出属于自己的中国芯，估计再过20年吧。中芯国际最早在2035年才能追平台积电，让中国就有了自己的3纳米以下芯片，和美国、韩国以及中国台湾也有的并非自己的3纳米以下芯片同为全球顶级，中国不再只有7、5纳米这样的属于自己的芯片；至少再过5年才能超越台积电，独自登顶全球芯片制造，让中国独有了属于自己的1纳米以下芯片。

这样估计，是不是乐观了？只要中国半导体行业坚定不移地推动国内芯片企业自立自强，绝不满足于搞定14纳米以及28纳米“全国产”之后能生产80%以上的芯片，绝不干等着美国及其盟国盟友回心转意，包括把中芯国际移除实体清单、让阿斯麦向中芯国际出售EUV光刻机，就有望在不到20年的时间里先追平、再超越，创造出一国有了自己的先进和领先高端芯片这样的奇迹，全球芯片制造有史以来的第一例，大不了用20以上的时间！

中芯国际超越台积电就是中国半导体行业超越“美国及其盟国盟友半导体行业”。也就是一国的芯片技术链产业链供应链领先于全球，关键是整体自主、全面可控，设计出的、制造出的、封装好的全球顶级芯片都是中国自己的，连设计所依托的全球顶级芯片架构和EDA软件都是中国自己的，芯片制造所依托的全球顶级光刻机以及其他工艺设备、原材料、配件等还是中国自己的。

从此，哪个环节和领域的中国芯片企业就都不会再出现被卡脖子的情况，美国及其盟国盟友根本就没有这样的机会了。当然，中国不会去卡别国包括美国及其盟国盟友的芯片企业的脖子，而是一如既往、不计前嫌地推动国内芯片企业去主动积极地提供最好的服务，其结果将是提升全球供应链的水平。

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