
纳米是一个极小的尺度,在一下单位中表示:1
纳米(nm)= 10-9米(m)。因此,一个含有100纳米的化合物半导体,实际上是一个长度为0.0000001米(10-7 m)的微小物体。要想观测到这个微小物体,需要使用高分辨率的显微镜或扫描电子显微镜(SEM)。它们可以放大物体的图像,使人们可以清楚地观察到100纳米的化合物半导体。1-3纳米。国外芯片最低达到3纳米。目前3纳米芯片成功流片的是
三星芯片,采用全环绕栅极
架构(GAA架构),据称性能超越台积电FinFET架构的3纳米芯片,而台积电规划是2纳米会采用新的GAA架构。理论上GAA架构要优于FinFET架构,但量产要等到明年,目前还没法比较,这两家就是目前芯片市场中最极致的芯片工艺制程了。
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