混动新科技，倍思推出87W氮化镓能量堆，充电宝+充电器二合一

回想一下，出行时为了解决数码产品的续航，你会带上多少充电配件？手机充电器、笔记本充电器、移动电源、数据线等，十分繁琐且重量惊人。倍思为了解决繁复的出行充电问题开发出“能量堆”产品线，内置10000mAh锂电池、内置87W氮化镓电源适配器、集成1A1C接口，一个能量堆等于充电宝+充电器，大幅度精简用户出行物品。

概述

倍思87W氮化镓能量正式名字为“倍思能量堆4混动Hybrid氮化镓移动电源适配器”，型号PPNLD87C，具备AC+DC两种模式进行混合动力输出。侧面带有AC插头，内部集成10000mAh聚合物电池组，1A1C输出口配置，是充电器与移动电源二合一的产物。外观沿用倍思氮化镓快充家族的ID设计，四角圆润弧度握感舒适，磨砂与亮面双工艺处理的壳体，黑白双色可选。侧面印有巨大的87W GaN字眼，表明其采用氮化镓功率器件并且性能一点都不简单。顶部侧栏带有4灯多功能指示灯，除提供电量显示外，还可以判断快充状态。

倍思能量堆 历史

2019年9月倍思就推出了第一代能量堆产品，充电器+移动电源双模式很好地照顾了外带累赘问题。次年2020年4月，倍思将氮化镓技术运用到能量堆上，推出了第二代氮化镓能量堆，输出功率提升至45W，兼顾了大功率设备充电。2021年8月，倍思能量堆4发布，继承前面几代的优点的同时再一次将输出功率提升至87W，手机、平板、笔记本都可以使用。

接口配置

倍思87W氮化镓能量堆拥有一个USB-C双向快充输出口，一个USB-A多协议快充输出口，也就是常说的1A1C万金油配置，可适用于市面上不同规格线缆、不同设备使用。接口选用了醒目的橘色大电流母座，输出口下面带有开关按钮，支持双击开启小电流模式，整体面板微微内凹低于边缘，避免日常携带发生误触。

充电器模式

拉出侧面的插头在插座上使用时，倍思87W氮化镓能量堆自动切换到性能强大的充电器模式，此时USB-C接口支持5V3A / 9V3A / 12V3A / 15V3A / 20V3.25A五档电压输出，最大输出功率65W。USB-A支持4.5V5A / 5V3A / 9V2A / 12V1.5A四档电压输出，最大输出功率22.5W。且支持双设备同时快充，全局输出功率65W + 22.5W。

移动电源模式

依赖于内部10000mAh聚合物锂电池组，倍思87W氮化镓能量平时就是一个移动电源，可以直接外带使用。移动电源模式时，USB-C接口支持5V3A / 9V2.22A / 12V1.5A三档电压输出，最大输出功率20W，完美适配iPhone12系列使用。USB-A支持4.5V5A / 5V3A / 9V2A / 12V1.5A四档电压输出，最大输出功率22.5W。移动电源模式时，USB-C接口支持18W快充输入，180分钟充满100%，多种自充模式用起来更加舒心。

三围尺寸

GaN（氮化镓）被誉为第三代半导体材料，芯片集成度高转化率高，响应速度更快，实现了体积、性能、安全三大均衡，倍思拥有成熟的氮化镓快充配件开发经验，在氮化镓黑 科技 的加持下，氮化镓倍思87W氮化镓能量堆体积与市面上常见的移动电源接近，放入了大功率电源适配器与大容量电池后，三围尺寸也仅为108mm X 64.3mm X 32mm，重量约为325g，修长的外形一手可掌握。

改善出行体验

以前出门需要带上手机充电器、笔记本充电器、移动电源、数据线，如今拥有倍思87W能量堆，将精简成能量堆+数据线，不用再带数个充电器与移动电源，一个倍思87W能量堆解决出行时数码产品的续航需求，与累赘的行李配件说再见。

混动新 科技

倍思能量堆4具备混动模式，在AC模式下，根据电池电量及温度情况，实时自动调整输出功率，实现充电蓄电同时工作，AC与电池协同混动输出，兼顾了低温与大功率快充。内置NTC温度传感器，并集成过流保护、过压保护、短路保护、过放保护、过充保护、过功率保护、温度保护、恢复保护、电磁场保护等安全措施。

登陆小米有品商城

倍思87W氮化镓能量堆是最新一代倍思能量堆产品，具备混动模式，在AC模式下，根据电池电量及温度情况，实时自动调整输出功率，实现充电蓄电同时工作，AC与电池协同混动输出，兼顾了低温与大功率快充。

内置10000mAh聚合物电池组与电源适配器，1A1C万金油输出口配置，最大支持87W大功率输出，等效于笔记本充电器+手机充电器+移动电源，在保证强悍性能的同时为用户精简出行物品。倍思87W氮化镓能量堆目前已上架小米有品商城，标准版包含能量堆本体、100W C2C数据线、收纳袋，定价为199元，感兴趣的小伙伴可以自行上车。

第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(C)为代表，我国从1995年开始涉足第三代半导体材料的研究。其中，碳化硅凭借其耐高压、耐高温、低能量损耗等特性被认为是5G通信晶片中最理想的衬底，氮化镓则凭借其高临界磁场、高电子迁移率的特点被认为是超高频器件的绝佳选择。需要说明的是，第三代半导体与第一代、第二代半导体之间并不是相互替代的关系。它们适用于不同的领域，应用范围有所交叉，但不是完全等同。第三代半导体有其擅长的领域，在特定的“舒适区”内性能确实是优于硅、锗等传统半导体材料，但在“舒适圈”之外，硅仍然占据王者地位

碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）。

1、碳化硅（SiC）

碳化硅，化学式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。

2、氮化镓（GaN）

氮化镓是氮和镓的化合物，是一种III族和V族的直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。

此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光的条件下，产生紫光激光。

3、氧化锌（ZnO）

氧化锌是锌的氧化物，难溶于水，可溶于酸和强碱。它是白色固体，故又称锌白。它能通过燃烧锌或焙烧闪锌矿取得。在自然中，氧化锌是矿物红锌矿的主要成分。人造氧化锌有两种制造方法：由纯锌氧化或烘烧锌矿石而成。

4、金刚石

金刚石（diamond），俗称“金刚钻”，它是一种由碳元素组成的矿物，是石墨的同素异形体，化学式为C，也是常见的钻石的原身。金刚石是自然界中天然存在的最坚硬的物质。石墨可以在高温、高压下形成人造金刚石。

金刚石的用途非常广泛，例如：工艺品、工业中的切割工具，也是一种贵重宝石。

5、氮化铝（AlN）

氮化铝是铝的氮化物。纤锌矿状态的氮化铝是一种宽带隙的半导体材料。故也是可应用于深紫外线光电子学的半导体物料。

---