6英寸导电型碳化硅衬底与晶圆区别

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。目前国内晶圆生产线以 8英寸和 12 英寸为主。 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅衬底材料主要应用于智能电网、轨道交通、电动汽车、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域的功率元器件。

碳硅铝热沉衬底的作用

碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。受技术与工艺水平限制， 氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或半 绝缘碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件，主要应用于宏基站通 信射频领域；而碳化硅材料则主要以在导电型碳化硅衬底上外延生长碳化硅外延层，应 用在各类功率器件上，近年来随着技术工艺的成熟、制备成本的下降，在新能源领域的 应用持续渗透。碳化硅材料将是未来新能源、5G 通信领域中碳化硅、氮化镓器件的重 要基础。

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