如何用反射谱计算禁带宽度方程式子表示

方法2：利用 2 对 hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用0.5 对hν 做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。F(R∞) 即为Kubelka-Munk 函数，简写为K-M 函数， F(R ∞) = (1- R ∞)2 / 2R∞R 即为相对漫反射率，简称漫反射率R‘∞ 即为绝对漫反射率，常用参比样品为BaSO4，其绝对漫反射率R‘∞约等于1。

禁带宽度和波长的关系：相应的最大辐射几率的波长λ=Eg/hc，其中c是光速，h是普朗克常数。

固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带。要导电就要有自由电子存在。自由电子存在的能带称为导带（能导电）。被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。

物理意义

禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的键合性质等有关。

半导体价带中的大量电子都是价键上的电子（称为价电子），不能够导电，即不是载流子。只有当价电子跃迁到导带（即本征激发）而产生出自由电子和自由空穴后，才能够导电。空穴实际上也就是价电子跃迁到导带以后所留下的价键空位（一个空穴的运动就等效于一大群价电子的运动）。

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