
2、作用:不但可以直接利用半导体现有200mm晶圆制程,达到高集成度,据以创造经济规模,还有媲美GaAs的高速特性。随着近来IDM大厂的投入,SiGe技术已逐步在截止频率(fT)与击穿电压(Breakdownvoltage)过低等问题获得改善而日趋实用。
3、SiGe既拥有硅工艺的集成度、良率和成本优势,又具备第3到第5类半导体(如砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP))在速度方面的优点。只要增加金属和介质叠层来降低寄生电容和电感,就可以采用SiGe半导体技术集成高质量无源部件。
半导体、绝缘体和导体由禁带宽度划分,即导带与价带之间的相对位置决定。1 导体的导带和价带基本重合,禁带宽度为0,电子由价带进入导带基本无需额外能量,因此内部存在大量自由电子,具有低电阻率。
2 半导体导带和价带距离适中,即禁带宽度适中,因此价带中的电子在常见能量级别的激励下,例如光、热和电压,即可进入导带,导致半导体电阻率变化。
3 绝缘体与半导体类同,但禁带宽度很宽,需要大量能量才能导电,例如高于5000V的高压电,因此电阻率很高。光和热通常无法导致绝缘体导电,绝缘体一般耐热性不高,能导致电子跃迁到导带的温度下,大部分碳基绝缘体已经碳化,其余绝缘体已经熔化或气化。
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