半导体中主要散射机构是什么？各种散射机构在什么情况下起主要作用

1) 对掺杂的Si、Ge，主要的散射是声学波散射和电离杂质散射；

2) 对III-V族化合物半导体，如GaAS，光学波散射也很重要，即主要散射是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射；

3) 电离杂质散射：τi∝Ni^(-1)T^(3/2),

声学波散射：τs∝T^(-3/2),

光学波散射：τ0∝exp[(hυl/k0T)-1]

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晶格振动散射与温度的关系是随着温度的增加晶格振动的散射越来显著。载流子由于各种因素使得半导体内部周期性势场被破坏，导致载流子运动速度的大小和方向不断发生改变，称为载流子的散射，载流子的散射，半导体的主要散射机构。

半导体的主要散射机构

在一定温度下，半导体内部的大量载流子，即使没有电场作用，它们也不是静止不动的，而是永不停息地作着无规则的、杂乱无章的运动，称为热运动。同时晶格上的原子也在不停地围绕格点作热振动，半导体还掺有一定的杂质，它们一般是电离了的，也带有电荷。

载流子在半导体中运动时，便会不断地与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生作用，或者说发生碰撞，碰撞后载流子速度的大小及方向就发生改变，用波的概念，就是说电子波在半导体中传播时遭到了散射。

所以，载流子在运动中，由于晶格热振动或电离杂质以及其他因素的影响，不断地遭到散射，载流子速度的大小及方向不断地在改变着。

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