半导体存储器

RAM ROM

其中RAM

DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）

SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）

VRAM（Video RAM，视频内存）

EDO DRAM（Extended Data Out DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器）

BEDO DRAM（Burst Extended Data Out DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器）

MDRAM（Multi-Bank DRAM，多插槽动态随机存取存储器）

WRAM（Window RAM，窗口随机存取存储器）

RDRAM（Rambus DRAM，高频动态随机存取存储器）

SDRAM（Synchronous DRAM，同步动态随机存取存储器）

SGRAM（Synchronous Graphics RAM，同步绘图随机存取存储器）

SB SRAM（Synchronous Burst SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器）

PB SRAM（Pipeline Burst SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器）

DDR SDRAM（Double Data Rate二倍速率同步动态随机存取存储器）

SLCDRAM（CACHED DRAM，同步缓存动态随机存取存储器）

DRAM （Synchronize Link，同步链环动态随机存取存储器）

DDRII (Double Data Rate Synchronous DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器)

DRDRAM (Direct Rambus DRAM)

ROM可分

MASK ROM（掩模型只读存储器）

PROM（Programmable ROM，可编程只读存储器）

EPROM（Erasable Programmable，可擦可编程只读存储器

EEPROM（Electrically Erasable Programmable，电可擦可编程只读存储器）

Flash Memory（快闪存储器）

半导体是通过保持电平存储数据的。

1 电路中用高电平表示1，低电平表示0；

2 同样的在存储介质中，写入电平值，下次读出判断是1/0；

3 存储介质的存储利用的是浮栅和衬底间电容效应：电容充电，读出的值就是高电平。电容放电后，读出的就是低电平。

半导体存储器芯片按照读写功能可分为只读存储器（Read Only Memory，ROM）和随机读写存储器（Random Access Memory，RAM）两大类。

只读存储器电路结构简单，且存放的数据在断电后不会丢失，特别适合于存储永久性的、不变的程序代码或数据（如常数表、函数、表格和字符等），计算机中的自检程序就是固化在ROM中的。ROM的最大优点是具有不易失性。

不可重写只读存储器

1、掩模只读存储器（MROM）

掩模只读存储器，又称固定ROM。这种ROM在制造时，生产厂家利用掩模（Mask）技术把信息写入存储器中，使用时用户无法更改，适宜大批量生产。

掩模只读存储器可分为二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS管ROM三种类型。

2、可编程只读存储器（PROM）

可编程只读存储器（Programmable ROM，简称PROM），是可由用户一次性写入信息的只读存储器，是在MROM的基础上发展而来的。

随机读写存储器

1、静态存储器（SRAM）

利用双稳态触发器来保存信息，只要不断电信息就不会丢失。静态存储器的集成度低，成本高，功耗较大，通常作为Cache的存储体。

2、动态存储器（DRAM）

利用MOS电容存储电荷来保存信息，使用时需要不断给电容充电才能保持信息。动态存储器电路简单，集成度高，成本低，功耗小，但需要反复进行刷新（Refresh） *** 作，工作速度较慢，适合作为主存储器的主体部分。

3、增强型DRAM（EDRAM）

EDRAM芯片是在DRAM芯片上集成一个高速小容量的SRAM芯片而构成的，这个小容量的SRAM芯片起到高速缓存的作用，从而使DRAM芯片的性能得到显著改进。

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