bgbm工艺全称

半导体bgbm。

1、BG：是背面减薄(BacksideGridding)，采用In-Feed削磨的方式，将晶圆厚度减薄到目的厚度。提高芯片热扩散效率、电性能、机械性能，减小封装体积，及划片加工量。

2、BM：是背面金属化(BacksideMetallization)，使用电子束产生高温蒸发金属，使金属原子在真空中直线运动，沉积在晶圆上，实现晶圆背面金属化。

门极电阻是指你额外给IGBT门极串联的电阻，一般选用低感的金膜电阻。

因为一些寄生电感，寄生电容的作用，门极回路会产生振荡，另外IGBT的关断速度会影响Vce的电压应力，开通速度会影响续流二极管的电压应力以及IGBT自身的电流应力，这些问题都可以通过调节门极电阻来解决。

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