【求助】荧光半导体物质都有哪些？

从这个意义上说，所有的半导体，只要激发光能够激发起来，都能够发出荧光。带间跃迁产生的荧光波长基本上与带隙成反比，如果单位采用纳米和电子伏，乘积为1240左右。GrasaVampiro(站内联系TA)CdS，等荧光粉物质rava(站内联系TA)发光共轭聚合物（也称导电高分子）应该也可以归到此类。loujilong(站内联系TA)Originally posted by exciton-wu at 2009-10-15 15:21:一般来说，荧光就是在光激发下，样品能够发光。从这个意义上说，所有的半导体，只要激发光能够激发起来，都能够发出荧光。带间跃迁产生的荧光波长基本上与带隙成反比，如果单位采用纳米和电子伏，乘积为1240左右。 大哥，给举个例子行吗？exciton-wu(站内联系TA)比如GaAs，带隙1.4eV，发光850－870nm，ZnSe，带隙2.6－2.7eV，带边发光在460nm到470nm。ZnO带隙3.2eV，带边发光380nm，CdS 带隙2.5eV，带边发光约500－520nm。比如GaAs，带隙1.4eV，发光850－870nm，ZnSe，带隙2.6－2.7eV，带边发光在460nm到470nm。ZnO带隙3.2eV，带边发光380nm，CdS 带隙2.5eV，带边发光约500－520nm。

LED是发光二极管，就是有的手电上啊，玩具上啊，牌匾上的那种小灯。至于半导体嘛就是：材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。这种材料在某个温度范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度，电阻率下降

一、N型半导体

N型半导体也称为电子型半导体，即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

形成原理

掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料，掺杂Ⅴ族元素，当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时，可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子，这就形成了半导体中导带电子浓度的增加，该类杂质原子称为施主. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半导体，其化学配比往往呈现缺氧，这些氧空位能表现出施主的作用，因而该类氧化物通常呈电子导电性，即是N型半导体，真空加热，能进一步加强缺氧的程度。

二、P型半导体

P型半导体一般指空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。

形成

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

特点：

（一）、N型半导体

由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。

（二）、P型半导体

掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

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