第三代半导体材料都有什么？

第三代半导体材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(C)为代表，我国从1995年开始涉足第三代半导体材料的研究。其中，碳化硅凭借其耐高压、耐高温、低能量损耗等特性被认为是5G通信晶片中最理想的衬底，氮化镓则凭借其高临界磁场、高电子迁移率的特点被认为是超高频器件的绝佳选择。需要说明的是，第三代半导体与第一代、第二代半导体之间并不是相互替代的关系。它们适用于不同的领域，应用范围有所交叉，但不是完全等同。第三代半导体有其擅长的领域，在特定的“舒适区”内性能确实是优于硅、锗等传统半导体材料，但在“舒适圈”之外，硅仍然占据王者地位

"超高速微电子学及其应用"本方向主要研究:

具有全新物理思想和结构的异质结超高频（高速）器件及超高频（高速）电路，特别是超高频低噪声SiGe/Si HBT、IC和光通讯、移动通讯、高速计算相关的电路和通讯应用系统，具有极重要科学价值和极广阔的应用前景。

http://www.eol.cn/xkds_4003/20060323/t20060323_56618.shtml

说白了,还是平平常常的微电子专业,就是把名字叫的牛B一点!超高速微电子就是研究一下用新的半导体材料做成的集成电路,这种材料制成的器件比一般的硅材料速度,稳定性都强许多,不过只要是微电子都学这的.别被忽悠了.

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