LPE外延方法的原理和特点

LED外延片生长的基本原理是：在一块加 LED外延片热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和、SiC、Si)上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。LED外延片衬底材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料，需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术，衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。LED外延片衬底材料选择特点： 1、结构特性好，外延材料与衬底的晶体结构相同或相近、晶格常数失配度小、结晶性能好、缺陷密度小 2、界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性强 3、化学稳定性好，在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀 4、热学性能好，包括导热性好和热失配度小 5、导电性好，能制成上下结构6、光学性能好，制作的器件所发出的光被衬底吸收小 7、机械性能好，器件容易加工，包括减薄、抛光和切割等 8、价格低廉。 9、大尺寸，一般要求直径不小于2英吋。 10、容易得到规则形状衬底(除非有其他特殊要求)，与外延设备托盘孔相似的衬底形状才不容易形成不规则涡流，以至于影响外延质量。 11、在不影响外延质量的前提下，衬底的可加工性尽量满足后续芯片和封装加工工艺要求。

半导体ip和芯片里的ip代表意思分别是：半导体ip代表的是知识产权核。

而芯片ip称之为称为IP核，看似类似，但是两者的有差异地方，不管怎么说，像半导体领域设备用到ups电源这个大家都知道，这里就可以直接咨询我们优比施厂家，专业设计生产ups电源。IP(intelligentpropertycore)是指在半导体集成电路设计中具有自主知识产权的可复用设计模块。

设计公司不需要设计芯片的每一个细节，通过购买成熟可靠的ip方案来实现特定的功能。

这种类似于积木的开发模式缩短了芯片的开发时间，提高了芯片的性能。p核通常已经通过设计验证。

设计师基于IP核进行设计，可以缩短设计周期。知识产权核心可以由一方通过协议提供给另一方，也可以由一方单独拥有。IP核的概念源于产品设计的专利证书和源代码的版权。设计人员可以基于IP核设计ASIC或FPGA的逻辑，从而缩短设计周期。

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

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