求助各位大神：水印代码为M的是哪家覆铜基板厂家？

铝基板（金属基散热板（包含铝基板，铜基板，铁基板））是一种独特的金属基覆铜板（结构见下图），它具有良好的导热性、电气绝缘性能和机械加工性能。福斯莱特铝基板图片(20张)编辑本段特点●采用表面贴装技术（SMT）；路灯铝基板●在电路设计方案中对热扩散进行极为有效的处理；●降低产品运行温度，提高产品功率密度和可靠性，延长产品使用寿命；●缩小产品体积，降低硬件及装配成本；●取代易碎的陶瓷基板，获得更好的机械耐久力。结构铝基覆铜板是一种金属线路板材料、由铜箔、导热绝缘层及金属基板组成，它的结构分三层：Cireuitl.Layer线路层：相当于普通PCB的覆铜板，线路铜箔厚度loz至10oz。DielcctricLayer绝缘层：绝缘层是一层低热阻导热绝缘材料。厚度为：0.003”至0.006”英寸是铝基覆铜板的核心技术所在，已获得UL认证。BaseLayer基层：是金属基板，一般是铝或可所选择铜。铝基覆铜板和传统的环氧玻璃布层压板等，目前市场上主流的是福斯莱特铝基板。电路层（即铜箔）通常经过蚀刻形成印刷电路，使组件的各个部件相互连接，一般情况下，电路层要求具有很大的载流能力，从而应使用较厚的铜箔，厚度一般35μm~280μm；导热绝缘层是铝基板核心技术之所在，它一般是由特种陶瓷填充的特殊的聚合物构成，热阻小，粘d性能优良，具有抗热老化的能力，能够承受机械及热应力。该公司生产的高性能铝基板的导热绝缘层正是使用了此种技术，使其具有极为优良的导热性能和高强度的电气绝缘性能；金属基层是铝基板的支撑构件，要求具有高导热性，一般是铝板，也可使用铜板（其中铜板能够提供更好的导热性），适合于钻孔、冲剪及切割等常规机械加工。PCB材料相比有着其它材料不可比拟的优点。适合功率组件表面贴装SMT公艺。无需散热器，体积大大缩小、散热效果极好，良好的绝缘性能和机械性能。编辑本段铝基板分类经由以上散热途径解释，可得知散热基板材料的选择与其LED晶粒的封装方式于LED热散管理上占了极重要的一环，后段将针对LED散热铝基板做概略说明。LED散热铝基板LED散热铝基板主要是利用其散热基板材料本身具有较佳的热传导性，将热源从LED晶粒导出。因此，我们从LED散热途径叙述中，可将LED散热基板细分两大类别，分别为(1)LED晶粒基板与(2)系统电路板，此两种不同的散热基板分别乘载着LED晶粒与LED晶片将LED晶粒发光时所产生的热能，经由LED晶粒散热基板至系统电路板，而后由大气环境吸收，以达到热散之效果，目前市场上福斯莱特品牌铝基板占据主流之地。福斯莱特大功率铝基板(14张)LED晶粒基板LED晶粒基板主要是作为LED晶粒与系统电路板之间热能导出的媒介，藉由打线、共晶或覆晶的制程与LED晶粒结合。而基于散热考量，目前市面上LED晶粒基板主要以陶瓷基板为主，以线路备制方法不同约略可区分为：厚膜陶瓷基板、低温共烧多层陶瓷、以及薄膜陶瓷基板三种，在传统高功率LED元件，多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基板，再以打金线方式将LED晶粒与陶瓷基板结合。如前言所述，此金线连结限制了热量沿电极接点散失之效能。因此，近年来，国内外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式有二，其一为寻找高散热系数之基板材料，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基板，其中矽及碳化矽基板之材料半导体特性，使其现阶段遇到较严苛的考验，而阳极化铝基板则因其阳极化氧化层强度不足而容易因碎裂导致导通，使其在实际应用上受限，因而，现阶段较成熟且普通接受度较高的即为以氮化铝作为散热基板；然而，目前受限于氮化铝基板不适用传统厚膜制程(材料在银胶印刷后须经850℃大气热处理，使其出现材料信赖性问题)，因此，氮化铝基板线路需以薄膜制程备制。以薄膜制程备制之氮化铝基板大幅加速了热量从LED晶粒经由基板材料至系统电路板的效能，因此大幅降低热量由LED晶粒经由金属线至系统电路板的负担，进而达到高热散的效果。编辑本段用途用途：功率混合IC（HIC）。日光灯用铝基板1.音频设备：输入、输出放大器、平衡放大器、音频放大器、前置放大器、功率放大器等。2.电源设备：开关调节器`DC/AC转换器`SW调整器等。3.通讯电子设备：高频增幅器`滤波电器`发报电路。4.公自动化设备：电动机驱动器等。5.汽车：电子调节器`点火器`电源控制器等。6.计算机：CPU板`软盘驱动器`电源装置等。7.功率模块：换流器`固体继电器`整流电桥等。8、灯具灯饰：随着节能灯的提倡推广，各种节能绚丽的LED灯大受市场欢迎，而应用于LED灯的铝基板也开始大规模应用。编辑本段散热知识铝基板产品图铝基板由电路层（铜箔层）、导热绝缘层和金属基层组成。电路层要求具有很大的载流能力，从而应使用较厚的铜箔，厚度一般35μm~280μm；导热绝缘层是PCB铝基板核心技术之所在，它一般是由特种陶瓷填充的特殊的聚合物构成，热阻小，粘d性能优良，具有抗热老化的能力，能够承受机械及热应力。IMS-H01、IMS-H02和LED-0601等高性能PCB铝基板的导热绝缘层正是使用了此种技术，使其具有极为优良的导热性能和高强度的电气绝缘性能；金属基层是铝基板的支撑构件，要求具有高导热性，一般是铝板，也可使用铜板（其中铜板能够提供更好的导热性），适合于钻孔、冲剪及切割等常规机械加工。工艺要求有：镀金、喷锡、osp抗氧化、沉金、无铅ROHS制程等。编辑本段铝基板制作工艺流程一、开料1、开料的流程铝基板制作工艺流程领料——剪切2、开料的目的将大尺寸的来料剪切成生产所需要的尺寸3、开料注意事项①开料首件核对首件尺寸②注意铝面刮花和铜面刮花③注意板边分层和披锋二、钻孔1、钻孔的流程打销钉——钻孔——检板2、钻孔的目的对板材进行定位钻孔对后续制作流程和客户组装提供辅助3、钻孔的注意事项①核对钻孔的数量、空的大小②避免板料的刮花③检查铝面的披锋，孔位偏差④及时检查和更换钻咀⑤钻孔分两阶段，一钻：开料后钻孔为外围工具孔二钻：阻焊后单元内工具孔三、干/湿膜成像1、干/湿膜成像流程磨板——贴膜——曝光——显影2、干/湿膜成像目的在板料上呈现出制作线路所需要的部分3、干/湿膜成像注意事项①检查显影后线路是否有开路②显影对位是否有偏差，防止干膜碎的产生③注意板面擦花造成的线路不良④曝光时不能有空气残留防止曝光不良⑤曝光后要静止15分钟以上再做显影四、酸性/碱性蚀刻1、酸性/碱性蚀刻流程蚀刻——退膜——烘干——检板2、酸性/碱性蚀刻目的将干/湿膜成像后保留需要的线路部分，除去线路以外多余的部分3、酸性/碱性蚀刻注意事项①注意蚀刻不净，蚀刻过度②注意线宽和线细③铜面不允许有氧化，刮花现象④退干膜要退干净五、丝印阻焊、字符1、丝印阻焊、字符流程丝印——预烤——曝光——显影——字符2、丝印阻焊、字符的目的①防焊：保护不需要做焊锡的线路，阻止锡进入造成短路②字符：起到标示作用3、丝印阻焊、字符的注意事项①要检查板面是否存在垃圾或异物②检查网板的清洁度COB铝基板③丝印后要预烤30分钟以上，以避免线路见产生气泡④注意丝印的厚度和均匀度⑤预烤后板要完全冷却，避免沾菲林或破坏油墨表面光泽度⑥显影时油墨面向下放置六、V-CUT，锣板1、V-CUT，锣板的流程V-CUT——锣板——撕保护膜——除披锋2、V-CUT，锣板的目的①V-CUT：将单PCS线路与整PNL的板材切割留有少部分相连方便包装与取出使用②锣板：将线路板中多余的部分除去3、V-CUT，锣板的注意事项①V-CUT过程中要注意V的尺寸，边缘的残缺、毛刺②锣板时注意造成毛刺，锣刀偏斜，及时的检查和更换锣刀③最后在除披锋时要避免板面划伤七、测试，OSP1、测试，OSP流程线路测试——耐电压测试——OSP2、测试，OSP的目的①线路测试：检测已完成的线路是否正常工作②耐电压测试：检测已完成线路是否能承受指定的电压环境福斯莱特品牌铝基板图(20张)③OSP：让线路能更好的进行锡焊3、测试，OSP的注意事项①在测试后如何区分后如何存放合格与不合格品②做完OSP后的摆放③避免线路的损伤八、FQC，FQA，包装，出货1、流程FQC——FQA——包装——出货2、目的①FQC对产品进行全检确认②FQA抽检核实③按要求包装出货给客户3、注意①FQC在目检过程中注意对外观的确认，作出合理区分②FQA真对FQC的检验标准进行抽检核实③要确认包装数量，避免混板，错板和包装破损FPC(flexibleprintedcircuit)柔性电路板介绍柔性电路板是以聚酰亚胺或聚酯薄膜为基材制成的一种具有高度可靠性，绝佳的可挠性印刷电路板。简称软板或FPC，具有配线密度高、重量轻、厚度薄的特点.主要使用在手机、笔记本电脑、PDA、数码相机、LCM等很多产品.柔性电路板(FPC)的特性—短小轻薄1.短:组装工时短所有线路都配置完成.省去多余排线的连接工作2.小:体积比PCB小可以有效降低产品体积.增加携带上的便利性3.轻:重量比PCB(硬板)轻可以减少最终产品的重量4薄:厚度比PCB薄可以提高柔软度.加强再有限空间内作三度空间的组装柔性电路板的产品应用行动电话著重柔性电路板轻的重量与薄的厚度.可以有效节省产品体积,轻易的连接电池,话筒,与按键而成一体.电脑与液晶荧幕利用柔性电路板的一体线路配置,以及薄的厚度.将数位讯号转成画面,透过液晶荧幕呈现CD随身听著重柔性电路板的三度空间组装特性与薄的厚度.将庞大的CD化成随身携带的良伴磁碟机无论硬碟或软碟,都十分依赖FPC的高柔软度以及0.1mm的超薄厚度,完成快速的读取资料.不管是PC或NOTEBOOK.FPC的基本结构铜箔基板(CopperFilm)铜箔:基本分成电解铜与压延铜两种.厚度上常见的为1oz与1/2oz.基板胶片:常见的厚度有1mil与1/2mil两种.胶（接着剂）:厚度依客户要求而决定.覆盖膜保护胶片(CoverFilm)覆盖膜保护胶片:表面绝缘用.常见的厚度有1mil与1/2mil.胶（接着剂）:厚度依客户要求而决定.离形纸:避免接着剂在压着前沾附异物便于作业.补强板(PIStiffenerFilm)补强板:补强FPC的机械强度,方便表面实装作业.常见的厚度有3mil到9mil.胶（接着剂）:厚度依客户要求而决定.离形纸:避免接着剂在压着前沾附异物.希望以上回答对你有用！

我国SMIC成为世界第三大合约芯片生产商

据报道，我国大陆的合约半导体生产商中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)已经挤掉新加坡特许半导体制造公司，在2005年成为世界第三大硅芯片供应商。

SMIC去年的市场份额为6.4％，销售额11.7亿美元，年增20.1％，超过了特许半导体的6.2％、11.3亿美元、2.6％。

在SMIC之前位列第一和第二的分别是我国台湾的TSMC(台积电)和UMC(联电)。2005年TSMC的份额高达44.8％，销售额82.2亿美元，年增7.2％；UMC份额为15.4％，销售额28.2亿美元，下降19.3％。排名第五的是IBM生产部门，份额4.5％，销售额8.23亿美元，年增2.1％。

其他排名前十的合约芯片生产商还有：韩国MagnaChip半导体(2.1％，3.96亿美元)、台湾Vanguard国际半导体(1.9％，3.54亿美元)、韩国Dongbu半导体(1.9％，3.47亿美元)、我国上海Hua Hong NEC(1.7％，3.05亿美元)、美国捷智Jazz半导体(1.1％，2.10亿美元)。

芯片生产商一览表

A-Data Technology

Advanced Analogic Technologies

Advanced Linear Devices

Advanced Micro Devices （美国先进微电子器件公司）

Advanced Monolithic Systems

Advanced Power Technology

Advanced Semiconductor

AECO(日本阿伊阔公司)

AEG-TELEFUNKEN(德国德律风根公司)

Aeroflex Circuit Technology

Agere Systems

Agilent(Hewlett-Packard)

Allegro MicroSystems

Alpha Industries

Altera Corporation

AMIC Technology

ANADIGICS, Inc

Analog Devices (美国模拟器件公司)

Analog Intergrations Corporation

Analog Microelectronics

Analog Systems (美国模拟系统公司)

Apuls Intergrated Circuits

Asahi Kasei Microsystems

ATMEL Corporation

AUK corp

austriamicrosystems AG

AVX Corporation

AZ Displays

Boca Semiconductor Corporation

Brilliance Semiconductor

Burr-Brown Corporation

Bytes

C&D Technologies

California Micro Devices Corp

Calogic, LLC

Catalyst Semiconductor

Central Semiconductor Corp

Ceramate Technical

Cherry Semiconductor Corporation (美国切瑞半导体器件公司)

Chino-Excel Technology

Cirrus Logic

Clare, Inc.

CML Microcircuits

Comchip Technology

Compensated Deuices Incorporated

Cypress Semiconductor

Daewoo Semiconductor (韩国大宇电子公司)

Dallas Semiconducotr

Dc Components

DENSEI-LAMBDA

Diodes Incorporated

Diotec Semiconductor

Dynex Semiconductor

EIC discrete Semiconductors

ELAN Microelectronics Corp

Elantec Semiconductor

Elpida Memory

Epson Company

Ericsson

ETC

Etron Technology, Inc.

Exar Corporation

Fairchild Semiconductor (美国仙童公司)

Filtronic Compound Semiconductors

Formosa MS

Fuji Electric

Fujitsu Media Devices Limited (日本富士通公司)

General Semiconductor

General Instruments [GI] (美国通用仪器公司)

Gilway Technical Lamp

GOLD STAR[韩国金星(高尔达)电子公司]

GOOD-ARK Electronics

Hamamatsu Corporation

Harris Corporation

Hi-Sincerity Mocroelectronics

Hirose Electric

Hitachi Semiconductor (日本日立公司)

Hittite Microwave Corporation

Holt Integrated Circuits

Holtek Semiconductor Inc

Humirel

Hynix Semiconductor

IMP, Inc

Impala Linear Corporation

Infineon Technologies AG

InnovASIC, Inc

inntech (美国英特奇公司)

Integrated Circuit Solution Inc

Integrated Circuit Systems

Integrated Device Technology

Intel Corporation

International Rectifier

Intersil Corporation (美国英特锡尔公司)

ITT(德国ITT-半导体公司)

Jinan Gude Electronic Device

KEC(Korea Electronics)

Kemet Corporation

Knox Semiconductor, Inc

Kodenshi Corp

Kyocera Kinseki Corpotation

Lattice Semiconductor

LEM

Leshan Radio Company

Level One�?s

Linear Technology

Lite-On Technology Corporation

Littelfuse

LOGIC Devices Incorporated

LSI Computer Systems

Macronix International

Marktech Corporate

Matsushita Electric Works(Nais)

Maxim Integrated Products （美国）美信集成产品公司

Micrel Semiconductor

Micro Commercial Components

Micro Electronics

Micro Linear Corporation

MICRO NETWORK(美国微网路公司)

MICRO POWER SYSTEMS(美国微功耗系统公司)

AMERICAN MICRO SYSTEMS(美国微系统公司)

Microchip Technology

Micron Technology

Micropac Industries

Microsemi Corporation

Mitel Networks Corporation

MITEL SEMICONDUCTOR(加拿大米特尔半导体公司)

Mitsubishi Electric Semiconductor (日本三菱电机公司)

Mosel Vitelic, Corp

Mospec Semiconductor

MOSTEK(美国莫斯特卡公司)

Motorola, Inc (美国莫托罗拉半导体产品公司)

MULLARD(英国麦拉迪公司)

National Semiconductor (美国国家半导体公司)

NEC ELECTRON(日本电气公司)

New Japan Radio (新日本无线电公司)

Nippon Precision Circuits Inc

NITRON(美国NITROR公司)

NTE Electronics

OKI electronic componets (日本冲电气有限公司)(美国OKI半导体公司)

ON Semiconductor

OTAX Corporation

Pan Jit International Inc.

Panasonic Semiconductor (日本松下电器公司)

PerkinElmer Optoelectronics

Philips Semiconductors (荷兰菲利浦公司)

PLESSEY(英国普利西半导体公司) Plessey

PMC-Sierra, Inc

Polyfet RF Devices

Power Innovations Limited

Power Integrations, Inc.

Power Semiconductors

Power-One

Powerex Power Semiconductors

Powertip Technology

Precid-Dip Durtal SA

Princeton Technology Corp

PRO ELECTRON(欧洲电子联盟)

QT Optoelectronics

QUALCOMM Incorporated

RAYTHEON(美国雷声公司)

RCA(美国无线电公司)

Recom International Power

Rectron Semiconductor

RF Micro Devices

RICOH electronics devices division

Rohm (日本东洋电具制作所)(日本罗姆公司)

Sames

Samsung semiconductor (韩国三星电子公司)

Sanken electric (日本三肯电子公司)

Sanyo Semicon Device (日本三洋电气公司)

Seiko Instruments Inc

Seme LAB

Semicoa Semiconductor

Semtech Corporation

Semtech International Holdings Limited

SGS-ATES SEMICONDUCTOR(意大利SGS-亚特斯半导体公司)

Shanghai Lunsure Electronic Tech

Shanghai Sunrise Electronics

Sharp Electrionic Components [日本夏普(声宝)公司]

Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd

Siemens Semiconductor Group (德国西门子公司)

SiGe Semiconductor, Inc.

SIGNETICS(美国西格尼蒂克公司)

SILICON GENERAL(美国通用硅片公司)

Silicon Storage Technology, Inc

Sipex Corporation

SOLITRON(美国索利特罗器件公司) Solitron

SONiX Technology Company

Sony Corporation (日本索尼公司)

SPRAGUE ELECTRIC(美国史普拉格电子公司)

SSS(美国固体科学公司)

STMicroelectronics

Supertex, Inc

Surge Components

System Logic Semiconductor

Taiwan Memory Technology

Taiyo Yuden (U.S.A.), Inc

Teccor Electronics

TelCom Semiconductor, Inc

TEMIC Semiconductors

TEXAR INTEGRATED SYSTEMS(美国埃克萨集成系统公司)

Texas Instruments (美国德克萨斯仪器公司)

Thermtrol Corporation

THOMSON-CSF(法国汤姆逊半导体公司)

TOKO, Inc

Tontek Design Technology

Torex Semiconductor

Toshiba Semiconductor

TRACO Electronic AG

Traco Electronic AG

TRANSYS Electronics Limited

TriQuint Semiconductor

TRSYS

TRW LSI PRODUCTS(美国TRW大规模集成电路公司)

Tyco Electronics

UMC Corporation

UNISEM

Unisonic Technologies

United Monolithic Semiconductors

Unity Opto Technology

Vaishali Semiconductor

Vanguard International Semiconductor

Vicor Corporation

Vishay Siliconix

Vishay Telefunken

Winbond

Wing Shing Computer Components

Wolfgang Knap

Wolfson Microelectronics plc

Won-Top Electronics

Xicor Inc.

Xilinx, Inc

YAMAHA(日本雅马哈公司)

Zetex Semiconductors

Zilog, Inc.

Zowie Technology Corporation

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