
效应的一种。当照射的光子能量hv等于或大于半导体的禁带宽度Eg时,光子能够将价带中的电子激发到导带,从而产生导电的电子、空穴对,这就是本征光电导效应。这里h是普朗克常数,v是光子频率,Eg是材料的禁带宽度(单位为电子伏)。因此,本征光电导体的响应长波限λc为λc=hc/Eg=1.24/Eg (μm)
式中 c为光速。本征光电导材料的长波限受禁带宽度的限制.凡禁带宽度或杂质离化能合适的半导体材料都具有光电效应。但是制造实用性器件还要考虑性能、工艺、价格等因素。常用的光电导探测器材料在射线和可见光波段有:CdS、CdSe、CdTe、Si、Ge等在近红外波段有:PbS、PbSe、InSb、Hg0.75Cd0.25Te等在长于8微米波段有:Hg1-xCdxTe、PbxSn1-x、Te、Si掺杂、Ge掺杂等;CdS、CdSe、PbS等材料可以由多晶薄膜形式制成光电导探测器。
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光电传感器是采用光电元件作为检测元件的传感器。它首先把被测量的变化转换成光信号的变化,然后借助光电元件进一步将光信号转换成电信号。光电传感器一般由光源、光学通路和光电元件三部分组成。 光电传感器原理是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。 光电传感器在一般情况下,有三部分构成,它们分为:发送器、接收器和检测电路。 发送器对准目标发射光束,发射的光束一般来源于半导体光源,发光二极管(LED)、激光二极管及红外发射二极管。光束不间断地发射,或者改变脉冲宽度。接收器有光电二极管、光电三极管、光电池组成。在接收器的前面,装有光学元件如透镜和光圈等。在其后面是检测电路,它能滤出有效信号和应用该信号。 此外,光电开关的结构元件中还有发射板和光导纤维。
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光电传感器是利用光电元件作为检测元件的传感器。它首先将测量到的变化转化为光信号的变化,然后进一步借助光电元件将光信号转化为电信号。光电传感器一般由光源、光路和光电元件组成。光电传感器的原理是通过将光强的变化转化为电信号的变化来实现控制。一般来说,光电传感器由三部分组成,分别是发射器、接收器和检测电路。发射器瞄准目标发射光束,光束一般来自半导体光源、发光二极管(LED)、激光二极管、红外发射二极管。连续发射光束,或者改变脉冲宽度。接收器由光电二极管、光电晶体管和光电池组成。在接收器的前面,安装了透镜和光圈等光学元件。后面是检波电路,可以过滤掉有效信号,加以应用。此外,光电开关的结构元件包括发射板和光纤。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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