
芯片上不同MOS管之间是靠金属或者多晶硅互联的,越是复杂的芯片,这个互连线越是不可能在一层之内布完,于是就有好几层互连线,不同层互连线之间就要有ILD来隔离并支撑。
任意两根导线之间都有电容,ILD介质介电常数比较高,导线比较宽,距离比较近的时候层间电容就有比较大影响。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

芯片上不同MOS管之间是靠金属或者多晶硅互联的,越是复杂的芯片,这个互连线越是不可能在一层之内布完,于是就有好几层互连线,不同层互连线之间就要有ILD来隔离并支撑。
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