半导体酸排的一般浓度是多少

半导体酸排的浓度是多少在50到1000mg/m3之间。半导体企业废气分为酸性排气、碱性排气、有机废气、砷排和一般排气等。酸性废气采用碱液洗涤塔，废气与氢氧化钠吸收液进行气液两相充分接触吸收中和反应。

硬氧化采用的设备比较简单,投资少,占地面积少, *** 作方便,易于掌握.其设备由以下几个部分组成.

(1)制冷与热交换装置：为了在铝制品上获得硬质氧化膜,必须在低温下进行氧化处理,才能将由于在高电压、高电流下产生的热量带走,因此冷却氧化液起着重要作用.一般工厂常采用冷凝量达9000kcal／h(1cal=4．1840J)的冷动机组对氧化溶液进行强制降温.

(2)硬质阳极氧化处理槽：硬质阳极氧化处理槽常采用钢制矿渣棉保温铅衬里制作槽.条件不具备时,为简便起见,也可以用木板、钢筋混凝土制作槽体,再涂上防腐衬里.槽体内还需配备一定的冷却蛇形管、压缩空气搅拌管、阴极板、多孔塑料软隔板和导电支架等.槽体的大小和冷却管的设计应根据零件的大小、生产的批量和冷冻机组的功率进行考虑.

(3)溶液温度控制、搅拌及通风系统：硬质阳极氧化过程中,溶液的温度控制和搅拌对硬质阳极氧化工艺来说是个重要的问题.通常温度较低(一5～+5℃或一10～+10℃)时,氧化膜其有较高的电阻,但为了获得厚的氧化膜层,氧化过程中势必要逐渐外加电压,消除因高电阻影响而保持一定的电流密度,使氧化过程继续进行.当大电流通过氧化膜层时,因产生大量的焦耳热,外加氧化膜的生成热,使制件附近的氧化膜与其基体金属接界处温度上升,甚至烧坏零件,因此严格控制温度是必要的.不少工厂采用半导体温度计(一50～+50℃),使用方便可靠.还有的采用一20～+100℃的水银温度计,但是由于是玻璃制品,容易碎,使用久了刻度就会模糊不清,但一次投资少.氧化过程中的发热现象常采用搅拌的方法消除.压缩空气搅拌应保持压缩空气的干净,不能使油、水带入溶液内.氧化过程中,由于温度低,刺激性气体少,条件不具备时,可以不考虑抽风装置,但镀前处理的除油、酸腐蚀、化学抛光等应在良好的抽风条件下进行.

(4)电流设备：硬质阳极氧化处理采用的电源设备与一般阳极氧化处理大体相同.硬度阳极氧化处理也常用直流电源,有的还采用直流电上叠加交流电源[其比例为(4：1)～(6：1)].硬质阳极氧化处理采用的电流、电压比一般阳极氧化处理的要高.

(5)夹具：硬质阳极氧化处理的夹具设计、制造和选择对于氧化处理的质量有很大关系,其设计的原则是：装卸方便,工件紧固要牢,接触导电好,不变形.夹具结构的形式应根据氧化处理零件形状、结构和大小而定.

化学镀镍半导体拉力不好的原因

A . PH值过低，反应慢，沉积速度低

B．PH值过高，溶液会反应剧烈，呈沸腾状，出现深灰色镍粉（溶液自然分解的象征）

*** 作中可以添加氨水来补充蒸发了的氨和中和沉积反应时产生的酸4.温度：

温度对沉积速度影响很大，温度俞高，沉淀速度俞快，当温度低于700C 反应已不进行，当温度高于950C时，将大大降低溶液的稳定性，特别是加热不均匀，PH值偏高时，很容易的自然分解

5.镀镍的时间：

时间过长，沉积的镍层过厚，在烧结时会导镍层致脱落，镀镍失败

时间过短，沉积的镍层过薄，烧结渗入芯片中的镍层不足，不会与二次镍足够的接合在一起，导致抗拉力不足。

本公司镀镍工艺采用渐延长时间的镀镍工艺，2-4min,控制镍层在一个比较均匀的范围内

6.烧结：

由于热能的驱动，加上镍是比较活泼的金属，在高温下镍极易向硅层中渗透。

控制点：

A．氮气的流量

因镍在高温下极易氧化，氮气作为保护气体必须提供足够的保护作用B．推拉杆的速度：

推进的速度过快：热应力过大，层与硅层的附着性降低

拉出的速度过快：芯片过热的情况下拉至炉口导致镍层氧化C．在炉口冷却足够时间：

防止芯片镍层氧化

7.去氧化镍及清洗：

目的：

A．去没有烧渗入硅层内部多余的镍层及氧化镍，为二次镍作与一次镍结合提供清洁，无杂质干扰的环境

B．如氧化镍除去不净，它会增高VF

工艺条件：

85℃热硝酸浸泡4min,浸1：10HF30秒，振清洗10：15min.

控制重点：

A．将一次镍外表的氧化镍及其它杂质振荡清洗撤底，如清洗不净会导致一次镍与二次镍之间的结合不良，最终导致一次镍与二次镍之间的

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