为什么“在纯净的半导体中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能大大增强”？

半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产加的杂质能级。杂质能级位于禁带上方靠近导带底附近。杂质能级上的电子很易激发到导带成为电子载流子。这种能提供电子载流子的杂质称为施主，相应能级称为施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多。在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是杂质能级，通常位于禁带下方靠近价带处。价带中的电子很易激发到杂质能级上填补这个空位，使杂质原子成为负离子。价带中由于缺少一个电子而形成一个空穴载流子。这种能提供空穴的杂质称为受主杂质。存在受主杂质时，在价带中形成一个空穴载流子所需能量比本征半导体情形要小得多。半导体掺杂后其电阻率大大下降。加热或光照产生的热激发或光激发都会使自由载流子数增加而导致电阻率减小，半导体热敏电阻和光敏电阻就是根据此原理制成的。对掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是导带中的电子，属电子型导电，称N型半导体。掺入受主杂质的半导体属空穴型导电，称P型半导体。半导体在任何温度下都能产生电子-空穴对，故N型半导体中可存在少量导电空穴，P型半导体中可存在少量导电电子，它们均称为少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。

因为电子随温度的升高而运动加速,所以导电性能提高。半导体中参与导电的电子、空穴，会随温度的升高受激发而明显增多，导电性增加，电阻下降。半导体是要高纯度的，其中杂质多了就成导体了。所以将半导体与导体结合，制得的是导体，决不会是超导体。

半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，硅、锗、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都是半导体。常见的半导体有热敏电阻（如钴、锰、镍等的氧化物）、光敏电阻（如镉、铅等的硫化物与硒化物）。

扩展资料：

在纯净的半导体中掺入微量的某种杂质后，它的导电能力就可增加几十万甚至几百万倍。例如在纯硅中掺入百万分之一的硼后，硅的电阻率就大大减小，利用这种特性制成了各种不同的半导体器件，如二极管、双极型晶体管、场效晶体管及晶闸管等。

当半导体两端加上外电压时，半导体中将出现电子电流、空穴电流，即同时存在着电子导电和空穴导电。这是半导体导电的最大特点，也是半导体和金属在导电原理上的本质差别。

导体能够导电是因为导体中存在可运动的带电粒子。如金属导体中的电子，半导体中的正或负的载流子。这些带电粒子在有外电场时，在电场力的作用下，发生定向移动，形成电流。一般的导体都是金属导体，如铜和铝等，材料中金属原子以金属键结合，也就是自由价电子与正离子的结合，其中的导电粒子是电子，当温度升高时，由于处于平衡位置处的金属离子热振动的振幅增大，所以与电子碰撞的几率提高了，因此电阻增大；而半导体中，载流子（带电粒子）是正离子或负离子，当温度升高时，体系中带电粒子的平均能量升高了，因此平均的运动速度提高了，漂移的几率增大了，也就是导电率升高了。

---