怎样判断半导体是N型还是P型？具体阐述。谢谢～

怎样判断半导体是N型还是P型？具体阐述。谢谢～

1、用霍尔效应：两端通电，在内部会形成稳定电流，但在半导体的上下表面是没有电位差的；然后在半导体的两个对面的侧，加一个面磁场，这个时候在半导体另两个侧面上会形成电势差（因为内部的载流子在磁场作用下发生了偏转），因为N型半导体载流子是电子，故根据电流的方向和两个侧面的电位高低就可以进行判断。

2、如果条件允许，你找一个掺杂已知的半导体，然后把他们粘到一起，组成个整体结，分别测两端电流导通情况，如果出现不能导通情况，则说明未知的和已知的相反，如果都导通，则相同。（瞎猜的）

怎样判断霍尔元件是P型还是N型半导体

将电路接好后，（有的是开漏极的，需加上拉电阻）

无磁性物体接近的情况下，去量它的预设输出状态。

如果输出高的话就是N型的，输出低的话就是P型的。

或者直接看datasheet，里面都有描述，框图一般都会画出来的。

阐述什么是半导体p-n结

以电子为多数载流子的半导体和以空穴为多数载流子的半导体通过冶金等方法结合在一起，结合处就是pn结了

怎么用霍尔法判断N型半导体和P型半导体

当Is与Im都为正值时，霍尔电压Vh为正则为p型。为负是n型

P型半导体是什么N 型半导体是什么？

型半导体中空穴导电，空穴带正（Positive）电荷；

N型半导体中电子导电，电子带负（Negative）电荷；

在半导体材料矽或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。 （ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN接面，在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体，并形成阻挡层或接触电位差。当P型接正极，N型接负极，N型半导体多余壳粒和PN接面上壳粒易往正移动，且阻挡层变薄接触电位差变小，即电阻变小 ）

p-n结的p型半导体和n型半导体是接触的还是之间有缝隙？

是直接连线在一起的，分点接触型和面接触型，整流管等大功率的就是面接触，接触面大，可以承受更大功率。

如何判断施主杂质和n型半导体，受主杂质和p型半导体

化学元素周期表中3主族元素为受主杂质，5主族为施主杂质。

半导体中受主杂质占主导地位为P型，施主杂质占主导地位为N型

p型半导体和n型半导体的区别 怎样形成的

如果杂质是周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟，它们的价电子带都只有三个电子，并且它们传导带的最小能级低于第Ⅳ族元素的传导电子能级。因此电子能够更容易地由锗或矽的价电子带跃迁到硼或铟的传导带。在这个过程中，由于失去了电子而产生了一个正离子，因为这对于其它电子而言是个“空位”，所以通常把它叫做“空穴”，而这种材料被称为“P”型半导体。在这样的材料中传导主要是由带正电的空穴引起的，因而在这种情况下电子是“少数载流子”。

如果掺入的杂质是周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑，这些元素的价电子带都有五个电子，然而，杂质元素价电子的最大能级大于锗（或矽）的最大能级，因此电子很容易从这个能级进入第Ⅳ族元素的传导带。这些材料就变成了半导体。因为传导性是由于有多余的负离子引起的，所以称为“N”型半导体。也有些材料的传导性是由于材料中有多余的正离子，但主要还是由于有大量的电子引起的，因而（在N型材料中）电子被称为“多数载流子”。

怎么使N型半导体变成P型半导体？什么条件下可以使N型半导体变成P型半导体？

N型半导体就是导电载流子是电子，P型半导体就是导电载流子是空穴。

N型半导体中之所以是电子导电是因为其在本征半导体基础上进行了施主掺杂（例如在本征Si中掺入5价的磷元素） 而P型半导体中之所以是空穴导电是因为其在本征半导体基础上进行了授主掺杂（例如在本征Si中掺入3价的硼元素） Si为4价

所以假设要想把磷掺杂量为X的N型半导体转为P型当然就是在此N型半导体中掺入大于X量的磷（当然具体掺杂量与工艺及材料有关）

半导体的掺杂等工艺要在超净间中进行，掺杂是半导体工艺中的一步，主要的掺杂方法有离子注入和热扩散

N型半导体和P型半导体的异同

P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

在纯净的矽晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中矽原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电效能就越强。

N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

在纯净的矽晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中矽原子的位置，就形成了N型半导体。在N型半导体中，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电效能就越强。

本征半导体 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成巨集观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子 - 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多，

什么是半导体行业？为何叫半导体

物理问题，

物体的导电性，以此来分类命名的，

想铁，铜等，……属于良导体，

一定温度下的银属于超导体,因为这个时候电阻突然消失，

磁悬浮列车就由此而设计。……

不导电或导电性极低的成为 绝缘体，比如木材，橡胶，

而更多的是有一定的导电性，像二极体，三极体，……

半导体产业就是此类的厂商，销售商等的组合

什么是p型半导体，n型半导体，p

【n型半导体】“n”表示负电的意思，在这类半导体中，参与导电的主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的“施主”杂质。所谓施主杂质就是掺入杂质能够提供导电电子而改变半导体的导电效能。例如，半导体锗和矽中的五价元素砷、锑、磷等原子都是施主杂质。如果在某一半导体的杂质总量中，施主杂质的数量占多数，则这种半导体就是n型半导体。如果在矽单晶中掺入五价元素砷、磷。则在矽原子和砷、磷原子组成共价键之后，磷外层的五个电子中，四个电子组成共价键，多出的一个电子受原子核束缚很小，因此很容易成为自由电子。所以这种半导体中，电子载流子的数目很多，主要kao电子导电，叫做电子半导体，简称n型半导体。 【p型半导体】“p”表示正电的意思。在这种半导体中，参与导电的主要是带正电的空穴，这些空穴来自于半导体中的“受主”杂质。所谓受主杂质就是掺入杂质能够接受半导体中的价电子，产生同数量的空穴，从而改变了半导体的导电效能。例如，半导体锗和矽中的三价元素硼、铟、镓等原子都是受主。如果某一半导体的杂质总量中，受主杂质的数量占多数，则这半导体是p型半导体。如果在单晶矽上掺入三价硼原子，则硼原子与矽原子组成共价键。由于硼原子数目比矽原子要少很多，因此整个晶体结构基本不变，只是某些位置上的矽原子被硼原子所代替。硼是三价元素，外层只有三个价电子，所以当它与矽原子组成共价键时，就自然形成了一个空穴。这样，掺入的硼杂质的每一个原子都可能提供一个空穴，从而使矽单晶中空穴载流子的数目大大增加。这种半导体内几乎没有自由电子，主要kao空穴导电，所以叫做空穴半导体，简称p型半导体。 【p－n结】在一块半导体中，掺入施主杂质，使其中一部分成为n型半导体。其余部分掺入受主杂质而成为p型半导体，当p型半导体和n型半导体这两个区域共处一体时，这两个区域之间的交界层就是p-n结。p-n结很薄，结中电子和和空穴都很少，但在kao近n型一边有带正电荷的离子，kao近p型一边有带负电荷的离子。这是因为，在p型区中空穴的浓度大，在n型区中电子的浓度大，所以把它们结合在一起时，在它们交界的地方便要发生电子和空穴的扩散运动。由于p区有大量可以移动的空穴，n区几乎没有空穴，空穴就要由p区向n区扩散。同样n区有大量的自由电子，p区几乎没有电子，所以电子就要由n区向p区扩散。随着扩散的进行，p区空穴减少，出现了一层带负电的粒子区；n区电子减少，出现了一层带正电的粒子区。结果在p－n结的边界附近形成了一个空间电荷区，p型区一边带负电荷的离子，n型区一边带正电荷的离子，因而在结中形成了很强的区域性电场，方向由n区指向p区。当结上加正向电压（即p区加电源正极，n区加电源负极）时，这电场减弱，n区中的电子和p区中的空穴都容易通过，因而电流较大；当外加电压相反时，则这电场增强，只有原n区中的少数空穴和p区中的少数电子能够通过，因而电流很小。因此p－n结具有整流作用。当具有p－n结的半导体受到光照时，其中电子和空穴的数目增多，在结的区域性电场作用下，p区的电子移到n区，n区的空穴移到p区，这样在结的两端就有电荷积累，形成电势差。这现象称为p－n结的光生伏特效应。由于这些特性，用p－n结可制成半导体二极体和光电池等器件。如果在p－n结上加以反向电压（n区加在电源正极，p区加在电源负极），电压在一定范围内，p－n结几乎不通过电流，但当加在p－n结上的反向电压越过某一数值时，发生电流突然增大的现象。这时p-n结被击穿。p－n结被击穿后便失去其单向导电的效能，但结并不一定损坏，此时将反向电压降低，它的效能还可以恢复。根据其内在的物理过程，p－n结击穿可分为雪崩击穿和隧道击穿两种。

什么是半导体

锗、矽、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极体、三极体等。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊效能的薄层，一般称此薄层为PN接面。图中上部分为P型半导体和N型半导体介面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN接面的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN接面的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。这种材料在某个温度范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度，电阻率下降

常温下导电效能介于导体与绝缘体之间的材料，叫做半导体。

把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。

把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。半导体的分类，按照其制造技术可以分为：积体电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类。此外，还有按照其所处理的讯号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。半导体室温时电阻率约在10E-5～10E7欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和矽是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。

半导体材料的电阻率介于导体和绝缘体之间，其电效能受到杂质型别、杂质浓度、温度、材料缺陷......的影响。

电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质称为半导体：

室温时电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间，温度升高时电阻率则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和矽是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

详见百度百科：:baike.baidu./link?url=kIesFWTTuFUOpV2ZSCSeRIssV-5N_DKxb9Q6xVjsSRi9qhXFBcI_ApuOamuJWI3n

半导体（英语：Semiconductor）是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、行动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有矽、锗、砷化镓等，而矽更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

拓展资料：

材料的导电性是由导带中含有的电子数量决定。当电子从价带获得能量而跳跃至导电带时，电子就可以在带间任意移动而导电。一般常见的金属材料其导电带与价电带之间的能隙非常小，在室温下电子很容易获得能量而跳跃至导电带而导电，而绝缘材料则因为能隙很大（通常大于9电子伏特），电子很难跳跃至导电带，所以无法导电。

一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，介于导体和绝缘体之间。因此只要给予适当条件的能量激发，或是改变其能隙之间距，此材料就能导电。

半导体通过电子传导或空穴传导的方式传输电流。电子传导的方式与铜线中电流的流动类似，即在电场作用下高度电离的原子将多余的电子向着负离子化程度比较低的方向传递。空穴导电则是指在正离子化的材料中，原子核外由于电子缺失形成的“空穴”，在电场作用下，空穴被少数的电子补入而造成空穴移动所形成的电流（一般称为正电流）。

材料中载流子（carrier）的数量对半导体的导电特性极为重要。这可以通过在半导体中有选择的加入其他“杂质”（IIIA、VA族元素）来控制。如果我们在纯矽中掺杂（doping）少许的砷或磷（最外层有5个电子），就会多出1个自由电子，这样就形成N型半导体；如果我们在纯矽中掺入少许的硼（最外层有3个电子），就反而少了1个电子，而形成一个空穴（hole），这样就形成P型半导体（少了1个带负电荷的原子，可视为多了1个正电荷）。

半导体( semiconductor)，指常温下导电效能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。

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