碳化硅外延晶片概念是什么？适用于什么领域、行业？

碳化硅外延晶片即以碳化硅单晶作为衬底生长的外延片。

碳化硅外延晶片使用领域、行业：外延晶片主要用于各种分立器件的制作，比如SBD、MOSFET、JFET、BJT、SIT和MESFET等，这些器件广泛应用于各个领域，如白色家电、混合及纯电动汽车、太阳能和风能发电、UPS、马达控制、轨道机车、轮船和智能电网等。

碳化硅外延晶片属于半导体行业。

扩展资料：

2012年，中国国内首批产业化3英寸和4英寸碳化硅半导体外延晶片在位于厦门火炬高新区的瀚天泰成电子科技（厦门）有限公司投产。

2013年，瀚天泰成计划试生产6英寸规格的碳化硅外延品片；到2016年，将实现年产碳化硅外延晶片2万片，产值有望达到4．2亿元。

2015年，中国科学院物理研究所研究员陈小龙研究组与北京天科合达蓝光半导体有限公司合作，解决了6英寸扩径技术和晶片加工技术，成功研制出了6英寸碳化硅单晶衬底。截至2014年3月，天科合达形成了一条年产7万片碳化硅晶片的生产线。

参考资料来源：凤凰网-中国成功研制国产6英寸碳化硅晶片 年产7万片

和讯网-【央广独家】国内首批商用碳化硅外延晶片在厦门投产

碳化硅十大生产企业如下：

1、豪迈集团股份有限公司。

豪迈始创于1995年，地处山东半岛蓝色经济区的高密市。近五年来，以超过20%的速度稳步增长。产品涉及轮胎模具、高端机械零部件、油气装备、化工、精密锻造等，与美国GE、德国西门子、法国米其林、日本普利司通、德国大陆等20多家世界500强企业合作。

2、湖南三安半导体有限责任公司。

湖南三安半导体有限责任公司是上市公司三安光电股份有限公司的全资子公司（独立核算），业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造、及服务。

主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地，依托全产业链及大规模生产布局将使得公司节能芯片产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场领先竞争优势。

3、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司。

瀚天天成电子科技（厦门）有限公司成立于2011年，是中美合资高新技术企业，主营新型碳化硅半导体外延晶片。公司汇集了国内外碳化硅半导体领域优秀的专家人才，公司团队荣获2011年福建省高层次创业人才及厦门市“双百人才”。

4、中国电子科技集团公司第四十六研究所。

中国电子科技集团公司第四十六研究所始建于1958年，坐落于天津市河西区陈塘庄工业园区，是国家重点*电子材料研究机构，主要产品有保偏光纤、Sagnac环圈、光纤耦合器、光纤合束器、光纤激光器、光纤放大器等。

5、北京天科合达半导体股份有限公司。

北京天科合达半导体股份有限公司于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，公司坚持现代企业管理制度，具备完整、规范的管理体系。

6、山西烁科晶体有限公司。

山西烁科晶体有限公司，简称“烁科晶体”，是中国电子科技集团公司第二研究所的全资子公司，公司成立于2018年10月，是一家从事三代半导体材料碳化硅研发生产的高新技术企业。

7、同辉电子科技股份有限公司。

同辉电子科技股份有限公司成立于2007年5月23日，公司在坚持LED 产业长期发展的基础上，积极布局市场潜力大、国家政策大力支持的智慧灯杆、充电桩及以 SiC为核心的第三代半导体产业。

8、江苏天科合达半导体有限公司。

江苏天科合达半导体有限公司为北京天科合达半导体股份有限公司的全资子公司，于2018年10月成立，专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售，为全球SiC晶片的主要生产商之一。

9、深圳基本半导体有限公司。

深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化，在深圳南山、深圳坪山、北京亦庄、南京浦口、日本名古屋设有研发中心。

10、广东芯粤能半导体有限公司。

广东芯粤能半导体有限公司(筹)由世界500强企业吉利汽车参与投资。项目主要面向新能源汽车及相关应用领域的碳化硅（SiC）芯片产业化，包括芯片设计、芯片工艺研发与规模化制造等。

碳化硅半导体产业链主要包括碳化硅高纯粉料、单晶衬底、外延片、功率器件、模块封装和终端应用等环节。

1.碳化硅高纯粉料

碳化硅高纯粉料是采用PVT法生长碳化硅单晶的原料,其产品纯度直接影响碳化硅单晶的生长质量以及电学性能。碳化硅粉料有多种合成方式,主要有固相法、液相法和气相法3种。其中,固相法包括碳热还原法、自蔓延高温合成法和机械粉碎法液相法包括溶胶-凝胶法和聚合物热分解法气相法包括化学气相沉积法、等离子体法和激光诱导法等。

2.单晶衬底

单晶衬底是半导体的支撑材料、导电材料和外延生长基片。生产碳化硅单晶衬底的关键步骤是单晶的生长,也是碳化硅半导体材料应用的主要技术难点,是产业链中技术密集型和资金密集型的环节。目前,SiC单晶生长方法有物理气相传输法(PVT法)、液相法(LPE法)、高温化学气相沉积法(HTCVD法)等。

3.外延片

碳化硅外延片,是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶薄膜(外延层)的碳化硅片。目前,碳化硅单晶衬底上的SiC薄膜制备主要有化学气相淀积法（CVD）、液相法（LPE）、升华法、溅射法、MBE法等多种方法。

4.功率器件

采用碳化硅材料制造的宽禁带功率器件,具有耐高温、高频、高效的特性。

5.模块封装

目前,量产阶段的相关功率器件封装类型基本沿用了硅功率器件。模块封装可以优化碳化硅功率器件使用过程中的性能和可靠性,可灵活地将功率器件与不同的应用方案结合。

6.终端应用

在第三代半导体应用中，碳化硅半导体的优势在于可与氮化镓半导体互补。由于SiC器件高转换效率、低发热特性和轻量化等优势,下游行业需求持续增加,有取代SiQ器件的趋势。

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