电子为什么从更负的导带跃迁到更正的导带

电子带负电，正负相吸。拓展：跃迁类型第一种类型：价带顶和导带底位于相同的k点，直接带隙半导体电子吸收光子从价带顶跃迁到导带底，满足能量守恒和准栋梁守恒的选样定则，即 在讨论本征光吸收时，光子动量可省（差了个数量级），跃迁选择定则可简写成，跃迁过程中波矢不变，能带图上，初末态几乎在同一条直线上，也称竖直跃迁第二种类型：价带顶和导带底位于不同的k点，间接带隙半导体非竖直跃迁，单纯吸收光子不能使电子从价带顶跃迁到导带底，必须在吸收光子的同时伴随吸收或者发射一个声子：电子能量差=光子能量声子能量声子能量较小，近似：电子能量差=光子能量而准动量守恒的跃迁选择定则为： 为声子的准动量，它与能带中电子的准动量相仿，可略去光子动量：公式理解：电子跃迁过程中，光子主要提供跃迁所需的能量，二声子则住哟啊提供给跃迁所需的准动量。光吸收的逆反应：导带中的电子跃迁到价带空能级而发射光子，称为电子-空穴对的复合发光。通常来说，电子集中在导带底，空穴集中在价带顶发射光子的能量基本等于带隙宽度。吸收相同的光子，直接带隙半导体发光几率远大于简介带隙半导体，利用电子-空穴复合发光的器件主要时直接半导体，发光颜色取决与半导体的带隙大小。

在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。

由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。

开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。

扩展资料：

在极低温度下，半导体的价带是满带，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位。

在一定温度下，电子- 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子- 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。

温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，则载流子的浓度降低，导电性能变差。

参考资料来源：百度百科--半导体

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