半导体的导电性能比导体好吗

半导体的导电性能比导体要弱，详细介绍如下：

1、半导体的导电能力与导体并不相同，两者对比的话，半导体导电能力比导体导电能力弱，不过比绝缘体导电性能强。在能带结构模型中，金属的电导率由费米能级附近电子的迁移率决定。半导体的电导率由价带顶部附近的空穴和导带底部的电子的共同迁移率决定。

2、电子和空穴的有效质量不相等，同一能带的电子和空穴的有效质量相等我的意思是导带电子的有效质量不等于价带空穴的有效质量，所以两者的电导率要分开讨论。半导体的导电性比导体弱，半导体只在熔融状态下导电。

3、当机械温度为零时，理论上价带中的电子占据所有位置。在外部电场的作用下，不会发生位置偏移，也不会产生电流。在禁带中，没有电子，也不会产生电流。理论上，电流产生取决于导带。半导体的导带中没有电子。当价带中的电子吸收能量时，就会跃迁到导带。价带中也会有空穴。在外部电场的情况下，它们将转变为导带中的电子和价带中的电子。

4、导体中的价带电子不是全能带，它们在外场的作用下直接产生电流。以上是一个简单的概念。半导体中的电子空穴传导和导电金属中的电子传导的根本区别，不考虑缺陷等的影响。对于理想的材料，电导率取决于电导率涉及的数量和迁移率。所以很容易观察半导体和金属的导电性。

5、参与传导的载流子数量包括电子和空穴。一般来说，金属的载流子远远多于半导体，尤其是这个证书的导体。金属是电子导电的，具有低质量和高迁移率，而半导体具有低空穴迁移率。

半导体主要有三个特性，即光敏特性.热敏特性和掺杂特性。所谓光敏特性是指某些半导体受到强烈光芒照射时，其导电性能大大增强；光芒移开后，其导电性能大大减弱。所谓热敏特性是指外界环境温度升高时，半导体的导电性能也随着温度的升高而增强。所谓掺杂特性是指在纯净的半导体中，如果掺入极微量的杂质可使其导电性能剧增。

热敏性。热敏性拼音： [rè mǐn xìng] 基本解释： 当外界温度升高时，半导体导电能力增加，当外界温度降低时，半导体导电能力降低。半导体的这种特性叫热敏性。半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质.它的重要特性表现在以下几个方面：热敏性半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（Ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。光电特性很多半导体材料对光十分敏感。无光照时，不易导电；受到光照时，就变的容易导电了。例如，常用的硫化镉半导体光敏电阻，在无光照时电阻高达几十兆欧，受到光照时电阻会减小到几十千欧。半导体受光照后电阻明显变小的现象称为“光导电”。利用光导电特性制作的光电器件还有光电二极管和光电三极管等。近年来广泛使用着一种半导体发光器件--发光二极管，它通过电流时能够发光，把电能直接转成光能。目前已制作出发黄，绿，红，蓝几色的发光二极管，以及发出不可见光红外线的发光二极管。另一种常见的光电转换器件是硅光电池，它可以把光能直接转换成电能，是一种方便的而清洁的能源。 搀杂特性纯净的半导体材料电阻率很高，但掺入极微量的“杂质”元素后，其导电能力会发生极为显著的变化。例如，纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件。

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