
美国于1984年制定了历史上第一个保护集成电路的法律《1984年半导体芯片保护法》。世界知识产权组织从1985年就开始着手准备一项公约草案,先后召开了四届关于集成电路知识产权的专家会议。于1989年5月制定了《关于集成电路知识产权条约》。另外,《与贸易有关的知识产权协议(TRIPS)》也对集成电路布图设计保护进行了规定。同时,世界各国也都相继对集成电路知识产权进行立法保护。
离子注入后退火:加热注入硅片,修复晶格损伤,使杂质原子移动到晶格点,将其激活。高温退火和快速热处理相比,快速热处理更优越。
因为快速热处理可以避免长时间的高温导致杂质扩散,以及减小瞬间增强扩散。
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